Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Тип | Базовый номер продукта | Тип входа | Технология | Тип выхода | Направление | Программируемый НИЦ | Количество цепей | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тип логики | Количество элементов | Количество бит на элементе | Ток — выходной высокий, низкий | функция | -3 дБ Пропускная способность | Схема переключателя | Схема мультиплексора/демультиплексора | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Межканальное соглашение (ΔRon) | Напряжение питания, одиночное (В+) | Напряжение питания, двойное (В±) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Инжекция заряда | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Перекрестные помехи | Тактовая частота | Тип | Источник напряжения питания | Размер | Перезагрузить | Тайминг | Скорость счета | Тип триггера | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Ток – состояние покоя (Iq) | Время доступа | Входная емкость | Схема | Независимые схемы | Время задержки — | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 74FST6800QG | 0,7300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74ФСТ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 24-ССОП (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | Переключатель | 74FST6800 | - | 24-QSOP | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Единая поставка | 10 х 1:1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71016S20PHG | - | ![]() | 4405 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71016С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT244PBCTQ | 0,2700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT74FCT540KTP | - | ![]() | 7951 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Устаревший | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS3125X | 0,1400 | ![]() | 18 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | QS3125 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC16823AXPV | 0,4700 | ![]() | 9816 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | Не проверено | - | Непригодный | 3 (168 часов) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В256СА15ИГ6 | - | ![]() | 2969 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71В256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-СОЮ | скачать | Непригодный | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT163CP | - | ![]() | 1723 г. | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 74FCT163 | Вверх | 4,5 В ~ 5,5 В | 16-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Двойной счетчик | 1 | 4 | синхронный | синхронный | 35 МГц | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT16543NBETPA | 1,0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | 74FCT16543 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT164245NBTPA | 1,2600 | ![]() | 246 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | 74FCT164245 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В3579С85ПФИ | 2.0100 | ![]() | 342 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В3579 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT823ATSOG | 0,2900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | D-тип | 74FCT823 | Трехуровневый, неинвертированный | 4,75 В ~ 5,25 В | 24-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 9 | 15 мА, 48 мА | Установить (предустановка) и сброс | Положительное преимущество | 20 нс при 5 В, 300 пФ | 1 мА | 6 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6116SA45TPG | 2.8000 | ![]() | 8289 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 24-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 6116SA | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 24-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 16Кбит | 45 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 45нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT2245ATSOG8 | 0,9700 | ![]() | 16 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 20-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 74FCT2245 | - | 3-государство | 4,75 В ~ 5,25 В | 20-СОИК | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 310 | Трансивер, неинвертирующий | 1 | 8 | 15 мА, 12 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS4A101QG8 | - | ![]() | 5335 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-ССОП (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 4 | 16-QSOP | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,4 ГГц | СПСТ - НЕТ | 1:1 | 17Ом | - | 5В | - | 6,5 нс, 6 нс | 1,5 шт. | 5пФ | 1нА | -75 дБ при 30 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74АЛВЧ162373ПАГ | 1,5700 | ![]() | 14 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74АЛВЧ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,240 дюйма, 6,10 мм) | 74АЛВЧ162373 | Три штата | 2,3 В ~ 3,6 В | 48-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 277 | Прозрачная защелка D-типа | 12 мА, 12 мА | 8:8 | 2 | 1,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162245CTPVG | - | ![]() | 2611 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-БССОП (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 74FCT162245 | - | 3-государство | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ССОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Трансивер, неинвертирующий | 2 | 8 | 24 мА, 24 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT240ПАТК | - | ![]() | 6803 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT74FCT821BTQ | 0,8500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ССОП (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | D-тип | 74FCT821 | Трехуровневый, неинвертированный | 4,75 В ~ 5,25 В | 24-QSOP | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 10 | 15 мА, 48 мА | Стандартный | Положительное преимущество | - | 1 мА | 6 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ЗСПМ4141АИ1В31 | - | ![]() | 4651 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | ЗСПМ4141 | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 2500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT163374APAG | 2.1100 | ![]() | 726 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,240 дюйма, 6,10 мм) | 74FCT163374 | Три штата | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 | 8 | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71256L35YI | - | ![]() | 3034 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71256Л | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 35 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 35нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В546С100ПФГ | 6.4900 | ![]() | 179 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В546 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 47 | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В65703С75ПФИ | 6.0000 | ![]() | 128 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В65703 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 9Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74АЛВЧ162244ПАГ | 1,8600 | ![]() | 14 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74АЛВЧ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,240 дюйма, 6,10 мм) | 74АЛВЧ162244 | - | 3-государство | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Буферный, неинвертирующий | 4 | 4 | 12 мА, 12 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT244PBATPY | - | ![]() | 9186 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS74FCT4X244ZQATQ3 | - | ![]() | 4970 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | Не проверено | - | Непригодный | 3 (168 часов) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В416Л10БЭ | 8.3300 | ![]() | 406 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | 71В416Л | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 48-КАБГА (9х9) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FST3253FQ | - | ![]() | 4558 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | Не проверено | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В3558С133ПФГ | 7.6600 | ![]() | 633 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В3558 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)