Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Тип | Базовый номер продукта | Тип входа | Технология | Тип выхода | Программируемый НИЦ | ФАПЧ | Основная цель | Вход | Выход | Количество цепей | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход | Частота - Макс. | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тип логики | Количество элементов | Количество бит на элементе | Ток — выходной высокий, низкий | Тактовая частота | Тип | Источник напряжения питания | Размер | Время доступа | Схема | Независимые схемы | Время задержки — | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71В256СА15ЙИ | - | ![]() | 4257 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71В256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||
![]() | ЗСПМ1035CA1W0 | - | ![]() | 1839 г. | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | ЗСПМ1035 | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ЗСПМ9000АИ1Р | - | ![]() | 5461 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | ЗСПМ9000 | скачать | ZSPM9000AI1RIDT | EAR99 | 8542.39.0001 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В35761СА166БГИ | 11.7900 | ![]() | 34 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В35761С | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В547ХС100ПФ | 1,6600 | ![]() | 598 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71В547 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 10 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT244CTSOG | 1.1400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 20-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 74FCT244 | - | 3-государство | 4,75 В ~ 5,25 В | 20-СОИК | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Буферный, неинвертирующий | 2 | 4 | 15 мА, 64 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ЗСПМ1025DA1W0 | - | ![]() | 3316 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | ЗСПМ1025 | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT74FCT245TQ | 0,5400 | ![]() | 72 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 20-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 74FCT245 | - | 3-государство | 4,75 В ~ 5,25 В | 20-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.39.0001 | 3000 | Трансивер, неинвертирующий | 1 | 8 | 15 мА, 64 мА | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 71256S35TDB | - | ![]() | 9340 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71256С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 35 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 35нс | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT574PBCTSO | 0,2900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | 74FCT574 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS3126XQ | - | ![]() | 8194 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | QS3126 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS3244YSO | 0,1400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | QS3244 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT2257КАТК | 0,2700 | ![]() | 18 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | 74FCT2257 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT74FCT16373TPV | 1,0000 | ![]() | 35 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 74FCT16373 | Три штата | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ТВСОП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.39.0001 | 1000 | Прозрачная защелка D-типа | 32 мА, 64 мА | 8:8 | 2 | 13нс | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 841S101EGILFT | 6.9500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | Не проверено | Да | PCI Express (PCIe) | LVCMOS, Кристалл | ХССЛ | 1 | 1:1 | Нет/Да | 100 МГц | 3135 В ~ 3465 В | 16-ЦСОП | - | не соответствует RoHS | Непригодный | Поставщик не определен | 2832-841S101EGILFT | EAR99 | 8542.39.0000 | 36 | ||||||||||||||||||||||
![]() | QS32245PAG | 1.1400 | ![]() | 16 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 20-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | Переключатель | QS32245 | 4,75 В ~ 5,25 В | 20-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Единая поставка | 1 х 8:1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT245CTPGG | 1.1400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 20-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 74FCT245 | - | 3-государство | 4,75 В ~ 5,25 В | 20-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Трансивер, неинвертирующий | 1 | 8 | 15 мА, 64 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT16543CTPVG8 | 1,5400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-БССОП (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 74FCT16543 | - | 3-государство | 4,5 В ~ 5,5 В | 56-ССОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Трансивер, неинвертирующий | 2 | 8 | 32 мА, 64 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT139ZCTSO | 0,2700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | 74FCT139 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 1000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 61823Н | - | ![]() | 7905 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | Не проверено | - | Непригодный | 3 (168 часов) | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60244D | - | ![]() | 8931 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | Не проверено | - | Непригодный | 3 (168 часов) | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54FCT573TDB | - | ![]() | 8735 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С | Сквозное отверстие | 20-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 54FCT373 | Три штата | 4,5 В ~ 5,5 В | 20-CDIP | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Прозрачная защелка D-типа | - | 8:8 | 1 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 71В65603С133БГГИ | 29.1800 | ![]() | 84 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В65603 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT74FCT374TK | 0,5400 | ![]() | 16 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Устаревший | 74FCT374 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT163374X4CPV | 0,6700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | 74FCT163374 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT373ATSOG8 | 1.1400 | ![]() | 444 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74FCT | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 20-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | 74FCT373 | Три штата | 4,75 В ~ 5,25 В | 20-СОИК | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Прозрачная защелка D-типа | 15 мА, 48 мА | 8:8 | 1 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7164S20DB | 33,6800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) | 7164С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 20 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS3245YQ | - | ![]() | 9889 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | QS3245 | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74АЛВК162245ПАГ8 | 1,5700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | 74АЛВК | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,240 дюйма, 6,10 мм) | 74ALVC162245 | - | 3-государство | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦСОП | скачать | EAR99 | 8542.39.0001 | 192 | Трансивер, неинвертирующий | 2 | 8 | 12 мА, 12 мА; 24 мА, 24 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5V9910ZQ-QS5V99105SOI | 5.2900 | ![]() | 597 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 0000.00.0000 | 1 |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)