SIC
close

Управление питанием (УПМИЦ)(1138)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Частота Технология Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Ток — выход/канал Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Метод измерения Количество Ток - Выход Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105,L3F 0,4100
запросить цену
 ECAD 333 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5BM105 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 1,05 В - 1 0,14 В при 500 мА 98 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2EN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN32,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 264-TCR2EN32LF(SETR EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,2 В - 1 0,18 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН13,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 2410 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН13 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,3 В - 1 1,11 В при 150 мА - Перегрузка по току
TC62D749CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG,C,EL,B -
запросить цену
 ECAD 2473 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) Линейный TC62D749 - 24-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 90 мА 16 Да Регистр сдвига 5,5 В - 3В 17В
TCR2LN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,1 В - 1 0,28 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185,LM(CT 0,3500
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE185 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,85 В - 1 0,31 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG,ЭЛ -
запросить цену
 ECAD 8068 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) Линейный TC62D722 - 24-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 90 мА 16 Да Регистр сдвига 5,5 В - 3В 17В
TCR2EN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,1 В - 1 0,29 В при 300 мА, 0,3 В при 300 мА - Перегрузка по току
TCR2EN36,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН36,ЛФ 0,3600
запросить цену
 ECAD 11 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN36 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,6 В - 1 0,18 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL,РФ 1,6700
запросить цену
 ECAD 22 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 10-WFDFN Открытая площадка TCKE712 4,4 В ~ 13,2 В 10-ВСОНБ (3х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Электронный предохранитель - - -
TCR3UM2925A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM2925A,LF(SE 0,4600
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 2925 В - 1 0,327 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TA48L018F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТА48Л018Ф(ТЕ12Л,Ф) 0,7200
запросить цену
 ECAD 16 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА48Л018 16 В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 800 мкА 5 мА - Позитивный 150 мА 1,8 В - 1 0,5 В при 100 мА 72 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP(6TOJ,AF -
запросить цену
 ECAD 4697 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(T6PSETEMF -
запросить цену
 ECAD 3306 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76431 - Регулируемый ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) TA76431ST6PSETEMF EAR99 8542.39.0001 1 - Позитивный - 2,495 В 36В 1 - - -
TCR3RM29A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A,LF(SE 0,4600
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ29 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 12 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 2,9 В - 1 0,15 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF17,LM(CT 0,0906
запросить цену
 ECAD 8478 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF17 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,7 В - 1 0,47 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCR4DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG33,ЛФ 0,5100
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТCR4DG Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG33 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Давать возможность Позитивный 420 мА 3,3 В - 1 0,263 В при 420 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев, короткое замыкание
TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,HOTIF(M -
запросить цену
 ECAD 7090 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L005 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6 мА - Позитивный 150 мА 5В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 49 дБ (120 Гц) -
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage КИА78L24BP -
запросить цену
 ECAD 4448 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Активный КИА78 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG,C8,EL 3.6500
запросить цену
 ECAD 4786 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33,LM(CT 0,4200
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF33 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,25 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FNG,ЭЛ 2.2800
запросить цену
 ECAD 5177 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 24-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) ТБ67Б008 Силовой МОП-транзистор 5,5 В ~ 22 В 24-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (3) 3А 5,5 В ~ 22 В - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF(T6L1,NQ) -
запросить цену
 ECAD 4546 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА4809 16 В Зафиксированный PW-МОЛД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,7 мА 20 мА - Позитивный 1А 9В - 1 0,69 В при 1 А (тип.) 55 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН11,ЛФ 0,0798
запросить цену
 ECAD 3856 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN11 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,1 В - 1 0,65 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A,ЛФ 0,4500
запросить цену
 ECAD 100 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR3UM Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка TCR3UM28 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 2,8 В - 1 0,327 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage ТА7291П(О) -
запросить цену
 ECAD 3971 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -30°С ~ 75°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие Открытая вкладка 10-SIP ТА7291 Биполярный 4,5 В ~ 20 В 10-HSIP - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 22 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 1А 0 В ~ 20 В - Матовый ДК -
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FNG,C8,EL 2.8000
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ62216 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 2А 10 В ~ 38 В - Матовый ДК -
TCR3UG25B,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3УГ25Б,ЛФ 0,1261
запросить цену
 ECAD 1277 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG25 5,5 В Зафиксированный 4-ВЦСП-Ф (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 2,5 В - 1 0,327 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ -
запросить цену
 ECAD 6418 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Устаревший -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать 1 (без блокировки) TB62215AHQ(О) EAR99 8542.39.0001 504 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TC78H651FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG,ЭЛ 1,5300
запросить цену
 ECAD 6457 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Общего назначения Поверхностный монтаж 16-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) TC78H651 ДМОС 1,8 В ~ 6 В 16-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности - Полумост (4) 1,5 А 1,8 В ~ 6 В Биполярный Матовый ДК -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.