SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Ток — выход/канал Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Частота — переключение Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Синхронный выпрямитель Метод измерения Количество Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2DG21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG21,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 8943 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,1 В - 1 0,15 В @ 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A,L3F 0,4600
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800мА - 1 0,285 В при 800 мА - Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27,LM(CT 0,0680
запросить цену
ECAD 1161 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE27 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,7 В - 1 0,23 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295,LM(CT 0,0680
запросить цену
ECAD 3054 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE295 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,95 В - 1 0,23 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28,LF(SE 0,4800
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 2,8 В - 1 0,25 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage ТКЕ800НА,РФ 1,5200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 10-WFDFN Открытая площадка TCKE800 4,4 В ~ 18 В 10-ВСОНБ (3х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Электронный предохранитель - -
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG,EL 0,8900
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62004 Инвертирование N-канал 1:1 16-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 7 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТА78Л24Ф(ТЕ12Л,Ф) -
запросить цену
ECAD 4095 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА78Л24 40В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 6 мА 6,5 мА - Позитивный 150 мА 24В - 1 - 35 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК1024Г,ЛФ 0,5600
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки ТСК1024 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВКСПЭ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 - Вкл/Выкл 1 Ограничение тока (фиксированное), перегрев, обратный ток Высокая сторона 31мОм 1,4 В ~ 5,5 В Общего назначения 1,54 А
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7102F(TE12L,Q) -
запросить цену
ECAD 6031 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN ТКВ71 5,5 В Регулируемый 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 1 Бак 1,4 МГц Позитивный Да 0,8 В 5,5 В 2,7 В
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,9 В - 1 0,6 В при 150 мА - Перегрузка по току
TC78B002FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FTG,ЭЛ 0,5047
запросить цену
ECAD 7270 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Драйвер двигателя вентилятора Поверхностный монтаж 16-WFDFN Открытая площадка TC78B002 ДМОС 3,5 В ~ 16 В 16-WQFN (3х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (2) 1,5 А 3,5 В ~ 16 В - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 228 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,54 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ12,ЛФ 0,5000
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП TCR2DG12 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА - Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 0,8 В при 100 мА 85 дБ ~ 50 дБ (1 кГц ~ 100 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8,EL 1,9179
запросить цену
ECAD 7765 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ6585 Би-КМОП 4,5 В ~ 42 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (3) 1,2А 4,5 В ~ 42 В - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG,EL -
запросить цену
ECAD 4510 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Подсветка Поверхностный монтаж СОТ-23-6 Регулятор постоянного тока ТБ62752 1,1 МГц СОТ-23-6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 20 мА 1 Да Повышение (Усиление) 5,5 В ШИМ 2,8 В -
TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage ТА48033БФ(Т6Л1,НК) -
запросить цену
ECAD 2334 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА48033 16 В Зафиксированный PW-МОЛД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,7 мА 20 мА - Позитивный 3,3 В - 1 0,69 В при 1 А (тип.) 62 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TB62215AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ,8 7.3500
запросить цену
ECAD 7324 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 17 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TCR2LE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE32,LM(CT 0,0762
запросить цену
ECAD 7556 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 ТКР2ЛЕ32 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,2 В - 1 0,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage ТКР5СБ33А(Т5Л,Ф,Т) -
запросить цену
ECAD 5687 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР5СБ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТКР5СБ33 Зафиксированный СМВ - 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 75 мкА Давать возможность Позитивный 150 мА 3,3 В - 1 0,19 В при 50 мА 80 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage ТА4800АФ(Т6Л1,К) -
запросить цену
ECAD 6637 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) ТА4800 16 В Регулируемый 5-HSIP скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,7 мА 20 мА - Позитивный 1,5 В 1 0,5 В при 500 мА 63 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TBD62183AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFNG,EL 1.2000
запросить цену
ECAD 8608 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - Подлежит уточнению62183 Инвертирование N-канал 1:1 18-ССОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 2000 г. 2,8 В ~ 25 В - 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 50 мА
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6NHF(J -
запросить цену
ECAD 6489 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5С18У(ТЕ85Л,Ф) 0,4700
запросить цену
ECAD 388 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), плоский вывод ТАР5С18 15 В Зафиксированный УФВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,8 В - 1 - 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG,C,EL,B -
запросить цену
ECAD 5590 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) Линейный TC62D748 - 24-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 90 мА 16 Да Регистр сдвига 5,5 В - 17В
TB67S265FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S265FTG,ЭЛ 1,1819
запросить цену
ECAD 3827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С265 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, последовательный Полумост (4) 10 В ~ 47 В Биполярный - 1, 1/2
TCR3DF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF125,LM(CT 0,0906
запросить цену
ECAD 8844 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF125 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,25 В - 1 0,62 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TB67S539SFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG,EL 0,8343
запросить цену
ECAD 1329 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 32-VFQFN Открытая колодка ДМОС 4,5 В ~ 33 В 32-ВКФН (5х5) скачать 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Логика Полумост (4) 1,8 А 4,5 В ~ 33 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33,ЛФ 0,6400
запросить цену
ECAD 3004 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР15АГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP ТКР15АГ33 Зафиксированный 6-ВЦСП (1,2х0,80) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 40 мкА Давать возможность Позитивный 1,5 А 3,3 В - 1 0,648 В при 1,5 А 95 дБ ~ 60 дБ (1 кГц) Ограничение тока, тепловое отключение, УВЛО
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31,ЛМ 0,4100
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2LE31 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,1 В - 1 0,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе