SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Программируемый НИЦ Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Функция Ток — выход/канал Тип ссылки Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Тип канала Внутренний переключатель(и) Топология Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Метод измерения Количество Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Управляемая перемена Количество водителей Тип ворот Логическое напряжение – ВИЛ, VIH Ток — пиковый выход (источник, приемник) Время подъема/спада (типичное) Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR3DF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF11,LM(CT 0,0906
запросить цену
ECAD 9459 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF11 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,1 В - 1 0,67 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТЦР5АМ33,ЛФ 0,1357
запросить цену
ECAD 6086 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР5АМ33 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 3,3 В - 1 0,43 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A,ЛФ 0,0878
запросить цену
ECAD 3614 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR3UM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка TCR3UM175 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,75 В - 1 0,273 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2EE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE12,LM(CT 0,3300
запросить цену
ECAD 6687 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE12 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 0,57 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095,ЛФ -
запросить цену
ECAD 8775 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2LN095 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,95 В - 1 1,46 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5С50ТЕ85ЛФ 0,4400
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТАР5С50 15 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА ВКЛ/ВЫКЛ Позитивный 200 мА - 1 0,2 В при 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA76L431S,T6Q(M Toshiba Semiconductor and Storage ТА76Л431С,Т6К(М -
запросить цену
ECAD 9001 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76Л431 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3UG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG28A,ЛФ 0,4700
запросить цену
ECAD 526 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG28 5,5 В Зафиксированный 4-ВЦСП-Ф (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 2,8 В - 1 0,327 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TCK22973G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22973Г,ЛФ 0,1807
запросить цену
ECAD 8208 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Контролируемая скорость нарастания ТСК22973 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Обратный ток Высокая сторона 25мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TA48S05AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S05AF(T6L1,Q) -
запросить цену
ECAD 7233 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) ТА48С05 16 В Зафиксированный 5-HSIP скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,7 мА 20 мА Давать возможность Позитивный - 1 0,69 В при 1 А (тип.) 60 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TB62802AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62802AFG,8,EL 2,6700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 60°С ПЗС-драйвер Поверхностный монтаж 16-BSOP (ширина 0,252 дюйма, 6,40 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62802 - 4,7 В ~ 5,5 В 16-ХСОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1500
TB67S141HG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С141ХГ 5,9794
запросить цену
ECAD 6243 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ67С141 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8542.39.0001 17 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2, 1/4
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ТСК420Г, Л3Ф 0,8500
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP ТСК420 Неинвертирующий Не проверено 2,7 В ~ 28 В 6-ВЦПГ (0,8x1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Одинокий Хай 1 N-канальный МОП-транзистор 0,4 В, 1,2 В - -
TBD62781APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781APG 1,9400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие 18-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) - TBD62781 Неинвертирующий P-канал 1:1 18-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 800 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона 1,6 Ом 50 В (макс.) Общего назначения 400 мА
TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45,LM(CT 0,3700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE45 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 4,5 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB6552FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FTG,8,EL 0,6489
запросить цену
ECAD 1259 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-WFQFN Открытая колодка ТБ6552 Силовой МОП-транзистор 2,7 В ~ 5,5 В 16-WQFN (3х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ, последовательный Полумост (4) 800мА 2,5 В ~ 13,5 В - Матовый ДК -
TA78L05F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТА78Л05Ф(ТЕ12Л,Ф) -
запросить цену
ECAD 9629 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА78Л05 35В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 5,5 мА 6 мА - Позитивный 150 мА - 1 - 49 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДГ31,ЛФ 0,1054
запросить цену
ECAD 1144 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG31 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Давать возможность Позитивный 300 мА 3,1 В - 1 0,235 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCR2LN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН25,ЛФ -
запросить цену
ECAD 5281 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН25 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,5 В - 1 0,36 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NL,РФ 1,5200
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 10-WFDFN Открытая площадка TCKE800 4,4 В ~ 18 В 10-ВСОНБ (3х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Электронный предохранитель - -
TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A,L3F 0,4900
запросить цену
ECAD 9468 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 500 мА 1,8 В - 1 0,21 В при 500 мА 98 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5С16У(ТЕ85Л,Ф) 0,6000
запросить цену
ECAD 22 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), плоский вывод ТАР5С16 15 В Зафиксированный УФВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,6 В - 1 - 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA58L08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08F(TE16L1,NQ -
запросить цену
ECAD 1016 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА58Л08 29В Зафиксированный PW-МОЛД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1 мА 50 мА Давать возможность Позитивный 250 мА - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR15AG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР15АГ25,ЛФ 0,6400
запросить цену
ECAD 6394 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР15АГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP ТКР15АГ25 Зафиксированный 6-ВЦСП (1,2х0,80) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 40 мкА Давать возможность Позитивный 1,5 А 2,5 В - 1 0,648 В при 1,5 А 95 дБ ~ 60 дБ (1 кГц) Ограничение тока, тепловое отключение, УВЛО
TC62D722FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722FG,ЭЛ -
запросить цену
ECAD 1558 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) Линейный TC62D722 - 24-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 90 мА 16 Да Регистр сдвига 5,5 В - 17В
TB67S142NG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С142НГ 4.8600
запросить цену
ECAD 5990 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ67С142 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 24-СДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный ТБ67С142НГ(О) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2, 1/4
TB62752BFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752BFUG,EL -
запросить цену
ECAD 2895 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Подсветка Поверхностный монтаж СОТ-23-6 Регулятор постоянного тока ТБ62752 1 МГц СОТ-23-6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 20 мА 1 Да Шаг вверх (Ускорение) 5,5 В ШИМ 2,8 В -
TA76432S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ТА76432С,Ф(Дж -
запросить цену
ECAD 4297 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76432 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДМ28,ЛФ 0,0926
запросить цену
ECAD 9748 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка ТКР3ДМ28 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 2,8 В - 1 0,25 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3RM12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3РМ12А,ЛФ 0,4600
запросить цену
ECAD 164 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ12 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 - Позитивный 300 мА 1,2 В - 1 0,13 В при 300 мА 100 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе