SIC
close

Управление питанием (УПМИЦ)(1138)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Выход Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Функция Тип ссылки Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Перезагрузить Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Защита от неисправностей Функции управления Конфигурация вывода Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Тип переключателя Ток-выход (макс.) Количество контролируемых напряжений Напряжение – пороговое значение Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A,L3F 0,4900
запросить цену
 ECAD 5309 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5BM105 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 500 мА 1,05 В - 1 0,14 В при 500 мА 98 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB67S102AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFNG,ЭЛ 1,8746
запросить цену
 ECAD 1039 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ67С102 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FNG,C8,EL 1,4997
запросить цену
 ECAD 7801 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ62208 ДМОС 4,5 В ~ 5,5 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 1,8 А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2
TA58M05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05F(TE16L1,NQ -
запросить цену
 ECAD 9668 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА58М05 29В Зафиксированный PW-МОЛД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мА 5В - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG,C8,EL 1,4384
запросить цену
 ECAD 9200 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Активный ТБ6584 скачать Соответствует ROHS3 TB6584AFNGC8EL EAR99 8542.39.0001 2000 г.
TB67H400AHG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67Х400АХГ 6.4000
запросить цену
 ECAD 510 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ67Н400 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 510 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (4) 6А 10 В ~ 47 В - Матовый ДК -
TCR2LE09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE09,LM(CT 0,0742
запросить цену
 ECAD 5498 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,9 В - 1 1,48 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TA7291FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291FG(О,ЭЛ) -
запросить цену
 ECAD 6661 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 75°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-BSOP (ширина 0,252 дюйма, 6,40 мм) + 2 нагревательных вкладки ТА7291 Биполярный 4,5 В ~ 20 В 16-ХСОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1500 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 400 мА 0 В ~ 20 В - Матовый ДК -
TA78L012AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,F(J -
запросить цену
 ECAD 9256 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB67S109AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С109АФНГ,ЭЛ 3,6800
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ67С109 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1 ~ 1/32
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP(ТОРИ,FM -
запросить цену
 ECAD 7522 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л008 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 8В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТА48Л025Ф(ТЕ12Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 4325 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА48Л025 16 В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 800 мкА 5 мА - Позитивный 150 мА 2,5 В - 1 0,5 В при 100 мА 70 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР5АМ10,ЛФ 0,5000
запросить цену
 ECAD 8528 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM10 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 1В - 1 0,25 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE,LF(CT 0,5000
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCTH0xxxE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж Термальный Открытый дренаж или открытый коллектор - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 4000 - 1 0,5 В
TA58L12S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S(FJTN,AQ) -
запросить цену
 ECAD 5632 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л12 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1,2 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 12 В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG,EL 1,3100
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) - Подлежит уточнению62183 Инвертирование N-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8542.39.0001 1000 2,8 В ~ 25 В - 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 50 мА
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ33,ЛФ 0,5000
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП ТКР2ДГ33 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА - Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,11 В при 100 мА - Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125,ЛФ 0,5100
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR4DG Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG125 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Давать возможность Позитивный 420 мА 1,25 В - 1 0,781 В при 420 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев, короткое замыкание
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG,8,EL -
запросить цену
 ECAD 3195 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ6560 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 1,5 А 4,5 В ~ 34 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТА76431АС(ТЕ6,Ф,М) -
запросить цену
 ECAD 8436 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76431 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,F(J -
запросить цену
 ECAD 2980 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л018 40В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 18В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 38 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB67S142HG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С142ХГ 6.6200
запросить цену
 ECAD 34 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ67С142 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 17 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 3А 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2, 1/4
TA58L09S,LS2PAIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,LS2PAIQ(М -
запросить цену
 ECAD 4900 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л09 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 9В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3DF33,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33,ЛМ -
запросить цену
 ECAD 5204 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF33 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,25 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075,ЛФ 0,1344
запросить цену
 ECAD 7559 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM075 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 0,75 В - 1 0,21 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TCR3DF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF11,LM(CT 0,0906
запросить цену
 ECAD 9459 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF11 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,1 В - 1 0,67 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТЦР5АМ33,ЛФ 0,1357
запросить цену
 ECAD 6086 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР5АМ33 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 3,3 В - 1 0,43 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A,ЛФ 0,0878
запросить цену
 ECAD 3614 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR3UM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка TCR3UM175 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,75 В - 1 0,273 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2EE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE12,LM(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 6687 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE12 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 0,57 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 8775 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2LN095 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,95 В - 1 1,46 В @ 150 мА - Перегрузка по току
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.