SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Функции Базовый номер продукта Тип входа Технология Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Защита от неисправностей Функции управления Конфигурация вывода Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2EF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF13,LM(CT 0,4200
запросить цену
ECAD 60 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF13 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,3 В - 1 0,47 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28,ЛФ 0,5000
запросить цену
ECAD 9976 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП TCR2DG28 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА - Позитивный 200 мА 2,8 В - 1 0,12 В @ 100 мА - Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TCR2LE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE115,LM(CT 0,0742
запросить цену
ECAD 6644 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,15 В - 1 1,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2EN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN285,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,85 В - 1 0,21 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A,L3F 0,4600
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800 мА 0,95 В - 1 0,225 В при 800 мА - Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TCR2EN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN36,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,6 В - 1 0,18 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285,ЛФ -
запросить цену
ECAD 5637 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2LN285 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,85 В - 1 0,36 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LN25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,5 В - 1 0,36 В при 150 мА - Перегрузка по току
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33UTE85LF 0,5000
запросить цену
ECAD 27 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), плоский вывод ТАР5С33 15 В Зафиксированный УФВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,2 В @ 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA58L06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,Q(J -
запросить цену
ECAD 5930 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л06 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТПД4164Ф,ЛФ 7.4500
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 135°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 42-СОП (ширина 0,330 дюймов, 8,40 мм), 31 вывод, открытая площадка БТИЗ 13,5 В 31-ХССОП - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (3) 13,5 В ~ 450 В Многофазный Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН105,ЛФ -
запросить цену
ECAD 9926 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН105 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,05 В - 1 1,38 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB67S209FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG,ЭЛ 1,6644
запросить цену
ECAD 2320 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С209 НМОП, ПМОП 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 47 В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TB62215AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG,C8,EL 1,9973
запросить цену
ECAD 5550 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 28-BSOP (ширина 0,346 дюйма, 8,80 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 28-ХСОП скачать Соответствует ROHS3 TB62215AFGC8EL EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 38 В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12,L3F 0,1538
запросить цену
ECAD 9066 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR8BM12 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800 мА 1,2 В - 1 0,26 В при 800 мА 98 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105,LM(CT 0,4900
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF105 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,05 В - 1 0,77 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCR3UM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM10A,LF(SE 0,4700
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 580 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА - 1 1057 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083FTG(ЭЛ) 8.2600
запросить цену
ECAD 53 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 150°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность 48-VFQFN Открытая колодка Силовой МОП-транзистор 3 В ~ 5,5 В, 4,5 В ~ 28 В 48-ВКФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Модератор — Текущее управление СПИ Предварительный драйвер - полумост (3) - - Многофазный Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК108АФ,ЛФ 0,4800
запросить цену
ECAD 85 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения ТСК108 Инвертирование P-канал 1:1 СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Не требуется Вкл/Выкл 1 - Высокая сторона 63мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105,ЛФ 0,1357
запросить цену
ECAD 9636 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR4DG Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG105 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Давать возможность Позитивный 420 мА 1,05 В - 1 0,991 В при 420 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТА48Л033Ф(ТЕ12Л,Ф) -
запросить цену
ECAD 3844 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА48Л033 16 В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 800 мкА 5 мА - Позитивный 150 мА 3,3 В - 1 0,5 В при 100 мА 68 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР15АГ10,ЛФ 0,2531
запросить цену
ECAD 6785 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР15АГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP ТКР15АГ10 5,5 В Зафиксированный 6-ВКСПФ (0,80х1,2) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 40 мкА Давать возможность Позитивный 1,5 А - 1 0,228 В при 1,5 А 95 дБ (1 кГц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A,LM(CT 0,4100
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3UF105 5,5 В Зафиксированный СМВ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 580 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 1,05 В - 1 1057 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FTG,8,EL 2.3700
запросить цену
ECAD 2373 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 32-VFQFN Открытая колодка ТБ6642 Би-КМОП 10 В ~ 45 В 32-ВКФН (5х5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (2) 1,5 А 10 В ~ 45 В - Матовый ДК -
TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДМ18,ЛФ 0,3700
запросить цену
ECAD 9501 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка ТКР3ДМ18 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 1,8 В - 1 0,38 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TBD62503APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503APG 1,3600
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) - TBD62503 Инвертирование N-канал 1:1 16-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) TBD62503APG(Z,ГЦ) EAR99 8542.39.0001 25 Не требуется Вкл/Выкл 7 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 300 мА
TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG,EL 1,7809
запросить цену
ECAD 6157 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка НМОП 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Вкл/Выкл - - 10 В ~ 40 В однополярный - -
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG,ЭЛ 2,7700
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 36-WFQFN Открытая колодка ТБ67С512 Силовой МОП-транзистор 2 В ~ 5,5 В 36-WQFN (6x6) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Предварительный драйвер — полумост (4) 10 В ~ 35 В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4
TBD62381APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381APG 1,9400
запросить цену
ECAD 6671 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие 18-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) - TBD62381 - N-канал 1:1 18-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 20 4,5 В ~ 5,5 В Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона 1Ом 0 В ~ 50 В Общего назначения 500 мА
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР5АМ105,ЛФ 0,1344
запросить цену
ECAD 1346 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM105 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 1,05 В - 1 0,25 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе