SIC
close

Управление питанием (УПМИЦ)(1138)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Частота Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Функция Ток — выход/канал Тип ссылки Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Ток - Выход Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TA58L09S,LS2PAIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,LS2PAIQ(М -
запросить цену
 ECAD 4900 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л09 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 9В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТА76431АС(ТЕ6,Ф,М) -
запросить цену
 ECAD 8436 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76431 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,F(J -
запросить цену
 ECAD 2980 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л018 40В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 18В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 38 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075,ЛФ 0,1344
запросить цену
 ECAD 7559 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM075 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 0,75 В - 1 0,21 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TB67S142FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142FTG,ЭЛ 1,6439
запросить цену
 ECAD 8253 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С142 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 3А 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2, 1/4
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТЦР5АМ33,ЛФ 0,1357
запросить цену
 ECAD 6086 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР5АМ33 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 3,3 В - 1 0,43 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TCR3DF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF11,LM(CT 0,0906
запросить цену
 ECAD 9459 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF11 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,1 В - 1 0,67 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A,ЛФ 0,0878
запросить цену
 ECAD 3614 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR3UM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка TCR3UM175 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,75 В - 1 0,273 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2EN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,9 В - 1 0,29 В при 300 мА, 0,3 В при 300 мА - Перегрузка по току
TA78L006AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP,WNLF(J -
запросить цену
 ECAD 3934 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L006 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6 мА - Позитивный 150 мА 6В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 47 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 264-TCR2LN285LF(РАЗДЕЛ EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,85 В - 1 0,36 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB67S142HG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С142ХГ 6.6200
запросить цену
 ECAD 34 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ67С142 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 17 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 3А 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2, 1/4
TB6560AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ,8 7.2800
запросить цену
 ECAD 45 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SSIP сформировал успешных клиентов ТБ6560 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 14 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 4,5 В ~ 34 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TB67S213FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S213FTAG,EL 1,3699
запросить цену
 ECAD 2068 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 36-WFQFN Открытая колодка ТБ67С213 БиКДМОС 4,75 В ~ 5,25 В 36-WQFN (6x6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 2А 10 В ~ 35 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TB6674FAG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FAG,8,EL 2,8900
запросить цену
 ECAD 2279 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 75°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) ТБ6674 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 16-ССОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 100 мА 2,7 В ~ 22 В Биполярный - -
TB6642FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FG,8,ЭЛ 2,7700
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-BSOP (ширина 0,252 дюйма, 6,40 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ6642 Би-КМОП 10 В ~ 45 В 16-ХСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1500 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (2) 1,5 А 10 В ~ 45 В - Матовый ДК -
TB9045FNG-150,EL Toshiba Semiconductor and Storage ТБ9045ФНГ-150,ЭЛ 11.4387
запросить цену
 ECAD 4995 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Источник питания, автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ9045 - 48-ХЦСОП скачать 3 (168 часов) 264-TB9045FNG-150ELTR EAR99 8542.39.0001 1000 3 6В
TCR2EN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН285,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 2057 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN285 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,85 В - 1 0,21 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA58M12F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage ТА58М12Ф(ТЕ16Л1,НК -
запросить цену
 ECAD 6818 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА58М12 29В Зафиксированный PW-МОЛД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,2 мА 80 мА - Позитивный 500 мА 12 В - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TB6561NG,8 Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6561НГ,8 6,0795
запросить цену
 ECAD 1719 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ6561 Би-КМОП 10 В ~ 36 В 24-СДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 20 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 1,5 А 10 В ~ 36 В - Матовый ДК -
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК128АГ,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 2792 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный ТСК128 - 264-TCK128AG,ЛФТР EAR99 8542.39.0001 1
TA78L12F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТА78Л12Ф(ТЕ12Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 6680 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА78Л12 35В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 6 мА 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 - 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6WNLF(J -
запросить цену
 ECAD 3650 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76432 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG,C8,EL 1,3710
запросить цену
 ECAD 2927 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62218 ДМОС 4,75 В ~ 5,25 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 2А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TA76L431S,T6Q(M Toshiba Semiconductor and Storage ТА76Л431С,Т6К(М -
запросить цену
 ECAD 9001 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76Л431 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62781FNG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG,8,EL -
запросить цену
 ECAD 8436 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 20-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) Линейный ТБ62781 - 20-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 40 мА 9 Да - 5,5 В - 3В 28В
TB9053FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9053FTG(ЭЛ) 5.0200
запросить цену
 ECAD 4509 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 40-LFQFN Открытая колодка ТБ9053 ДМОС 4,5 В ~ 28 В 40-КФН (6х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 3000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ, СПИ Полумост (4) 6А 4,5 В ~ 28 В Биполярный Матовый ДК -
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP,F(J -
запросить цену
 ECAD 8489 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L075 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 7,5 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCR2EF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF105,LM(CT 0,0618
запросить цену
 ECAD 3343 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,05 В - 1 0,77 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A,LF(SE 0,4600
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ12 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 12 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,2 В - 1 - - Перегрузка по току, перегрев
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.