SIC
close

Управление питанием (УПМИЦ)(1138)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Частота Технология Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Функция Ток — выход/канал Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Ток - Выход Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TB6560AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG,8,EL -
запросить цену
 ECAD 3195 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ6560 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 1,5 А 4,5 В ~ 34 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125,ЛФ 0,5100
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR4DG Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG125 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Давать возможность Позитивный 420 мА 1,25 В - 1 0,781 В при 420 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев, короткое замыкание
TCR2LN15,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН15,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 7538 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН15 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,5 В - 1 1,11 В при 150 мА - Перегрузка по току
TC78B006FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FTG,ЭЛ 1,3600
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-WFQFN Открытая колодка TC78B006 Силовой МОП-транзистор 3,5 В ~ 16 В 16-WQFN (3х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Модулятор — коммутация, управление направлением ШИМ Предварительный драйвер - полумост (2) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12,LM(CT 0,3900
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF12 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 1,25 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LE09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE09,LM(CT 0,0742
запросить цену
 ECAD 5498 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,9 В - 1 1,48 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TB67S109AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С109АФНГ,ЭЛ 3,6800
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ67С109 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1 ~ 1/32
TCR3DF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF18,LM(CT 0,4200
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF18 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 1,8 В - 1 0,4 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB9061AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage ТБ9061AFNG,ЭЛ 4,6865
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 24-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) ТБ9061 Би-КМОП 5,5 В ~ 18 В 24-ССОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Модулятор — коммутация, управление направлением Параллельно Предварительный драйвер - полумост (3) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR5BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105A,L3F 0,4900
запросить цену
 ECAD 5309 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5BM105 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 500 мА 1,05 В - 1 0,14 В при 500 мА 98 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FNG,C8,EL 1,4997
запросить цену
 ECAD 7801 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ62208 ДМОС 4,5 В ~ 5,5 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 1,8 А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2
TB67S102AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFNG,ЭЛ 1,8746
запросить цену
 ECAD 1039 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка ТБ67С102 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TCR3UG25A,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3УГ25А,ЛФ 0,4700
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG25 5,5 В Зафиксированный 4-ВЦСП-Ф (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.39.0001 5000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 2,5 В - 1 0,327 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TB6585FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FG,8,EL 1,7304
запросить цену
 ECAD 5910 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Активный ТБ6585 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) TB6585FG8EL EAR99 8542.39.0001 1000
TB6584AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG,C8,EL 1,4384
запросить цену
 ECAD 9200 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Активный ТБ6584 скачать Соответствует ROHS3 TB6584AFNGC8EL EAR99 8542.39.0001 2000 г.
TB67H400AHG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67Х400АХГ 6.4000
запросить цену
 ECAD 510 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SIP сформированных деловых клиентов ТБ67Н400 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 25-ХЗИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 510 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (4) 6А 10 В ~ 47 В - Матовый ДК -
TA58M05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05F(TE16L1,NQ -
запросить цену
 ECAD 9668 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА58М05 29В Зафиксированный PW-МОЛД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мА 5В - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TA7291FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291FG(О,ЭЛ) -
запросить цену
 ECAD 6661 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 75°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-BSOP (ширина 0,252 дюйма, 6,40 мм) + 2 нагревательных вкладки ТА7291 Биполярный 4,5 В ~ 20 В 16-ХСОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1500 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 400 мА 0 В ~ 20 В - Матовый ДК -
TA78L012AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,F(J -
запросить цену
 ECAD 9256 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCR3UG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG28A,ЛФ 0,4700
запросить цену
 ECAD 526 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG28 5,5 В Зафиксированный 4-ВЦСП-Ф (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 2,8 В - 1 0,327 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TCR2EF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF33,LM(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 271 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF33 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2EN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН27,ЛФ 0,3500
запросить цену
 ECAD 35 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN27 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,7 В - 1 0,21 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB62216FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG,C,8,EL 1,5069
запросить цену
 ECAD 7667 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 28-BSOP (ширина 0,346 дюйма, 8,80 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62216 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 28-ХСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 2А 10 В ~ 38 В - Матовый ДК -
TB67S285FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S285FTG,ЭЛ 4.5900
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ67С285 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ВКФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, последовательный Полумост (8) 3А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG,EL 2.2800
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) прибор Поверхностный монтаж 36-WFQFN Открытая колодка ТБ62261 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 36-WQFN (6x6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 800 мА 10 В ~ 35 В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4
TB62777FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG,8,EL 0,6777
запросить цену
 ECAD 7758 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Светодиодное освещение Поверхностный монтаж 16-СОП (ширина 0,181 дюйма, 4,60 мм) Линейный ТБ62777 - 16-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 40 мА 8 Да Регистр сдвига 5,5 В - 3В 25 В
TA78DS05AF(TE12L,F Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05AF(TE12L,F -
запросить цену
 ECAD 2237 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-243АА ТА78ДС 29В Зафиксированный ПВ-МИНИ (СОТ-89) - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 1 мА - Позитивный 30 мА 5В - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, Тран
TCR2EN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН33,ЛФ 0,0896
запросить цену
 ECAD 3356 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN33 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,18 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR5BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM11A,L3F 0,4900
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5BM11 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 500 мА 1,1 В - 1 0,14 В при 500 мА 98 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA48018BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48018BF(T6L1,NQ) -
запросить цену
 ECAD 5230 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА48018 16 В Зафиксированный PW-МОЛД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,7 мА 20 мА - Позитивный 1А 1,8 В - 1 1,6 В @ 1 А (тип.) 66 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.