SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет Функция Ток — выход/канал Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Частота — переключение Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Синхронный выпрямитель Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Режим Текущий – запуск Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,25 В - 1 0,55 В при 150 мА - Перегрузка по току
TA78L005AP,SDENF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,SDENF(J -
запросить цену
ECAD 1118 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L005 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 49 дБ (120 Гц) -
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S,HOTIKIQ(M -
запросить цену
ECAD 5233 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мкА - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG,8,ЭЛ 3.5800
запросить цену
ECAD 2288 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 30-BSOP (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТБ6561 Би-КМОП 10 В ~ 36 В 30-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 1,5 А 10 В ~ 36 В - Матовый ДК -
TA58M05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S,Q(J -
запросить цену
ECAD 3007 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мкА - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCR2LF18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF18,LM(CT 0,3900
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF18 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,8 В - 1 0,62 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR3DM285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285,LF(SE 0,4800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 2,85 В - 1 0,25 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB67S522FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S522FTAG,EL 1,4384
запросить цену
ECAD 8048 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 36-WFQFN Открытая колодка ТБ67С522 - 2 В ~ 5,5 В 36-WQFN (6x6) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (2) 2,8А 10 В ~ 35 В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4
TAR5S33TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5С33ТЕ85ЛФ 0,1496
запросить цену
ECAD 1444 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТАР5С33 15 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА ВКЛ/ВЫКЛ Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,2 В при 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2LF095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF095,LM(CT 0,0700
запросить цену
ECAD 6291 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF095 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,95 В - 1 1,48 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F(ТЕ12Л,К) -
запросить цену
ECAD 2524 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN ТБ7110 27В Регулируемый 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 2 Бак 500 кГц Позитивный Нет 1,5 А, 800 мА 1,215 В 24В 4,5 В
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25,LM(CT 0,3800
запросить цену
ECAD 8549 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF25 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 2,5 В - 1 0,31 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCK102G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК102Г,ЛФ 0,2235
запросить цену
ECAD 6251 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА Контролируемая скорость нарастания ТСК102 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-БГА скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Перегрев Высокая сторона 50мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TCK22893G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22893Г,ЛФ 0,1643
запросить цену
ECAD 7539 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки ТСК22893 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Ограничение тока (фиксированное), перегрев Высокая сторона 31мОм 1,4 В ~ 5,5 В Общего назначения 1,11А
TCR2LN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,5 В - 1 1,11 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE13,LM(CT 0,4000
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2LE13 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,3 В - 1 1,13 В при 150 мА - Перегрузка по току
TBD62502AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFG,EL 0,6316
запросить цену
ECAD 1298 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62502 Инвертирование N-канал 1:1 16-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 7 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 300 мА
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ13,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 3275 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП TCR2DG13 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,3 В - 1 0,7 В @ 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A,LF(SE 0,4600
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ12 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 12 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,2 В - 1 - - Перегрузка по току, перегрев
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG,ЭЛ -
запросить цену
ECAD 3311 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший -25°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 16-СОП (ширина 0,181 дюйма, 4,60 мм) ТБ6818 8,4 В ~ 26 В 16-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 20 кГц ~ 150 кГц Непрерывная проводимость (CCM) 30 мкА
TB9053FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9053FTG(ЭЛ) 5.0200
запросить цену
ECAD 4509 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 40-LFQFN Открытая колодка ТБ9053 ДМОС 4,5 В ~ 28 В 40-КФН (6х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 3000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ, СПИ Полумост (4) 4,5 В ~ 28 В Биполярный Матовый ДК -
TB67H481FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FNG,ЭЛ. 2.1500
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) Открытая колодка ДМОС 8,2 В ~ 44 В 28-ХЦСОП скачать 1 (без блокировки) 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Вкл/Выкл Полумост (4) 2,5 А 8,2 В ~ 44 В Биполярный Матовый ДК 1
TB62781FNG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG,8,EL -
запросить цену
ECAD 8436 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 20-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) Линейный ТБ62781 - 20-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 40 мА 9 Да - 5,5 В - 28В
TCR2EF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF105,LM(CT 0,0618
запросить цену
ECAD 3343 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,05 В - 1 0,77 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP,F(J -
запросить цену
ECAD 8489 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L075 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 7,5 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB7109F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7109F(TE12L,К) -
запросить цену
ECAD 1194 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С Конвертер, LNB Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN ТБ7109 8В ~ 27В 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 Регулируемый
TCR2LN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,7 В - 1 0,36 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР5АМ18А,ЛФ 0,1357
запросить цену
ECAD 2718 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM18 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 1,8 В - 1 0,43 В при 500 мА 90 дБ (1 кГц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TB6561NG,8 Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6561НГ,8 6,0795
запросить цену
ECAD 1719 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ6561 Би-КМОП 10 В ~ 36 В 24-СДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 20 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 1,5 А 10 В ~ 36 В - Матовый ДК -
TCR2EN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН285,ЛФ -
запросить цену
ECAD 2057 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN285 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,85 В - 1 0,21 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе