SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Ток — выход/канал Тип ссылки Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Частота — переключение Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Синхронный выпрямитель Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин) Напряжение — выход Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN30,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,18 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB67H420FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H420FTG,ЭЛ 6.0000
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ67Н420 КМОП 2 В ~ 5,5 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 10 В ~ 47 В Биполярный Матовый ДК -
TB67H400ANG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400ANG 6.2800
запросить цену
ECAD 997 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ67Н400 Силовой МОП-транзистор 2 В ~ 5,5 В 24-СДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный TB67H400ANG(О) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (4) 10 В ~ 47 В - Матовый ДК -
TCR8BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM18A,L3F 0,4600
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 264-TCR8BM18AL3FCT EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800 мА 1,8 В - 1 0,305 В при 800 мА - Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,HOTIF(M -
запросить цену
ECAD 4229 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л008 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB67H480FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H480FNG,ЭЛ 2.1500
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, ширина 4,40 мм) Открытая колодка ДМОС 8,2 В ~ 44 В 28-ХЦСОП скачать 1 (без блокировки) 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Вкл/Выкл Полумост (4) 2,5 А 8,2 В ~ 44 В Биполярный Матовый ДК 1
TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28,LM(CT 0,4000
запросить цену
ECAD 23 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2LE28 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,8 В - 1 0,38 В при 150 мА - Перегрузка по току
TC62D776CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG(CEBH -
запросить цену
ECAD 8331 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Светодиодное освещение Поверхностный монтаж 24-ССОП (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Линейный TC62D776 - 24-ССОП - 264-TC62D776CFNAG(ЦЕВХ УСТАРЕВШИЙ 1 90 мА 1 Нет Регистр сдвига 5,5 В Нет 17В
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09,LM(CT 0,3800
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF09 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,9 В - 1 1,48 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TA78DS12BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ТА78ДС12БП,Ф(Ж -
запросить цену
ECAD 9727 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1,5 мА 1,5 мА - Позитивный 30 мА 12 В - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TCR2DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ35,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 6151 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,5 В - 1 0,11 В при 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB62206FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage ТБ62206ФГ,ЭЛ -
запросить цену
ECAD 3729 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 20-BSOP (ширина 0,346 дюйма, 8,80 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62206 ДМОС 4,5 В ~ 5,5 В 20-ХСОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 1,5 А 13 В ~ 35 В Биполярный - 1, 1/2
TCR2LE25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE25,LM(CT 0,4400
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 ТКР2ЛЕ25 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,5 В - 1 0,38 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG,8,EL -
запросить цену
ECAD 4503 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 28-BSOP (ширина 0,346 дюйма, 8,80 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62214 ДМОС 4,75 В ~ 5,25 В 28-ХСОП скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН10,ЛФ 0,0798
запросить цену
ECAD 5878 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЕН10 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,75 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR3RM33A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A,LF(SE 0,4600
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ33 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 12 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,14 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TA48M025F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage ТА48М025Ф(Т6Л1,СНК -
запросить цену
ECAD 2525 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА48М025 29В Зафиксированный PW-МОЛД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,4 мА 25 мА - Позитивный 500 мА 2,5 В - 1 0,65 В при 500 мА 72 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, обратная полярность
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage КИА78ДЛ15ПИ -
запросить цену
ECAD 3334 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Активный КИА78 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 50
TBD62783APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783APG 1,6600
запросить цену
ECAD 26 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 18-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) - TBD62783 Неинвертирующий P-канал 1:1 18-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 20 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TA78DS05CP,6NSNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,6NSNF(J -
запросить цену
ECAD 6957 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11,LM(CT 0,0742
запросить цену
ECAD 8537 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2LE11 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,1 В - 1 1,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6FNCF(J -
запросить цену
ECAD 4631 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л015 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 15 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 40 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TCK106G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК106Г,ЛФ 0,4400
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 4-УФБГА Контролируемая скорость нарастания ТСК106 Неинвертирующий P-канал 1:1 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Не требуется Вкл/Выкл 1 - Высокая сторона 49мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9056FNG(О,ЭЛ) 4.0170
запросить цену
ECAD 6829 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 24-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) ТБ9056 Би-КМОП 7В ~ 18В 24-ССОП скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Модулятор — коммутация, управление направлением ШИМ Полумост (2) - - Сервопривод постоянного тока -
TBD62004APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004APG 1.1500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) - TBD62004 Инвертирование N-канал 1:1 16-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) TBD62004APG(Z,ГЦ) EAR99 8542.39.0001 25 Не требуется Вкл/Выкл 7 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TB6865AFG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6865AFG -
запросить цену
ECAD 7114 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -40°С ~ 85°С Беспроводной передатчик производительности Поверхностный монтаж 100-LQFP ТБ6865 - 4,5 В ~ 14 В 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 900
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7113F(TE12L,К) -
запросить цену
ECAD 4470 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN ТКВ71 5,6 В Регулируемый 8-СОП Прогресс (5х5) - 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 1 Бак 1 МГц Позитивный Да 0,8 В 5,6 В 2,7 В
TCR5AM07,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM07,ЛФ 0,1344
запросить цену
ECAD 1363 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM07 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 0,7 В - 1 0,21 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TB6643KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6643KQ,8 4.5000
запросить цену
ECAD 171 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие Открытая вкладка 7-SIP ТБ6643 Би-КМОП 10 В ~ 45 В 7-HSIP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 25 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 1,5 А 10 В ~ 45 В - Матовый ДК -
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S(T6MURATFM -
запросить цену
ECAD 4941 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76432 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) TA76432ST6MURATFM EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе