SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Интерфейс Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Функции управления Конфигурация вывода Ток - Выход Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR3DF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF36,LM(CT 0,0906
запросить цену
ECAD 5767 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 3,6 В - 1 0,22 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2EE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE10,LM(CT -
запросить цену
ECAD 7544 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE10 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 - 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB67B000FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000FG,ЭЛ 4.3106
запросить цену
ECAD 9973 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 115°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 42-СОП (ширина 0,330 дюймов, 8,40 мм), 34 результата, открытая площадка ТБ67Б000 БТИЗ 13,5 В ~ 16,5 В 34-ХССОП скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (3) - Многофазный Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TLE4274V50 Toshiba Semiconductor and Storage ТЛЕ4274В50 -
запросить цену
ECAD 4781 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Активный ТЛЕ4274 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛЕ4274В50ТС EAR99 8542.39.0001 50
TB6552FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6552FNG,C,8,EL 1,5800
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) ТБ6552 Силовой МОП-транзистор 2,7 В ~ 5,5 В 16-ССОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ, последовательный Полумост (4) 800 мА 2,5 В ~ 13,5 В - Матовый ДК -
TCR2EN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN15,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,5 В - 1 0,37 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2EN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН13,ЛФ 0,0896
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN13 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,3 В - 1 0,45 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB67H410NG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67Х410НГ 3,8200
запросить цену
ECAD 79 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ67Н410 БиКДМОС 4,75 В ~ 5,25 В 24-СДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный ТБ67Х410НГ(О) EAR99 8542.39.0001 20 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (4) 10 В ~ 47 В - Матовый ДК -
TA78DS05BP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6F(J -
запросить цену
ECAD 3893 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TCR2DG29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG29,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 4370 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,9 В - 1 0,12 В @ 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB6556FG,8,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6556FG,8,EL,СУХОЙ -
запросить цену
ECAD 8267 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший -30°С ~ 115°С (ТА) Контроллер вентилятора Поверхностный монтаж 30-BSOP (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТБ6556 Би-КМОП 6В ~ 10В 30-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.31.0001 1000 Модулятор — коммутация, управление направлением Параллельно Предварительный драйвер - полумост (3) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR2EN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 981 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,18 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR5AM09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM09,ЛФ 0,4100
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM09 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 0,9 В - 1 0,23 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TB62215AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG,8,EL -
запросить цену
ECAD 1320 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-КФН (7х7) скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TA78DS05BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP(T6ND,AF -
запросить цену
ECAD 1742 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TC78S600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG,C,EL 2.0700
запросить цену
ECAD 1742 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 20-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) TC78S600 Силовой МОП-транзистор 2,7 В ~ 5,5 В 20-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 800 мА 2,5 В ~ 15 В Биполярный - 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TCR3UM30A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM30A,LF(SE 0,4700
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА - 1 0,273 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3UF19A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF19A,LM(CT 0,4100
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3UF19 5,5 В Зафиксированный СМВ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 264-TCR3UF19ALM(ТР EAR99 8542.39.0001 3000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 1,9 В - 1 0,464 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3DM11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11,LF(SE 0,4800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,1 В - 1 0,65 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TC78B027FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B027FTG,ЭЛ 2,8100
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 24-VFQFN Открытая колодка TC78B027 НМОП 5 В ~ 16 В 24-ВКФН (4х4) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Модулятор — коммутация, управление направлением ШИМ Предварительный драйвер - полумост (3) 200 мА - Многофазный Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR3UM30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3УМ30А,ЛФ -
запросить цену
ECAD 1903 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR3UM Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка TCR3UM30 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА - 1 0,273 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB9120FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120FTG(ЭЛ) -
запросить цену
ECAD 7333 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность 28-VQFN Открытая колодка ТБ9120 Би-КМОП 4,75 В ~ 5,25 В 28-ВКФН (6х6) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Водитель ШИМ Предварительный драйвер - полумост (2) - 4,5 В ~ 18 В Биполярный - 1 ~ 1/256
TCR2EN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN30,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,18 В при 150 мА - Перегрузка по току
TAR5SB50(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5СБ50(ТЕ85Л,Ф) 0,4600
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТАР5СБ50 15 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,2 В @ 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,HOTIF(M -
запросить цену
ECAD 4229 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л008 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG,ЭЛ -
запросить цену
ECAD 1114 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°С ~ 115°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 30-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) ТБ6631 Би-КМОП 7 В ~ 16,5 В 30-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Модулятор — коммутация, управление направлением Параллельно Предварительный драйвер - полумост (3) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TB67H480FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H480FNG,ЭЛ 2.1500
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, ширина 4,40 мм) Открытая колодка ДМОС 8,2 В ~ 44 В 28-ХЦСОП скачать 1 (без блокировки) 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Вкл/Выкл Полумост (4) 2,5 А 8,2 В ~ 44 В Биполярный Матовый ДК 1
TCR2LF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF32,LM(CT 0,0721
запросить цену
ECAD 2819 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF32 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,2 В - 1 0,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
TC78S122FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FNG,ЭЛ 1,9467
запросить цену
ECAD 2498 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-TFSOP (0,240 дюймов, ширина 6,10 мм) Открытая колодка TC78S122 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 48-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (8) 8В ~ 38В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4
TCR3DF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF40,LM(CT 0,4900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF40 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА - 1 0,22 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе