SIC
close

Управление питанием (УПМИЦ)(1138)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Ток — выход/канал Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин) Напряжение — выход Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TC62D748CFNAG(CBHJ Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG(CBHJ -
запросить цену
 ECAD 5936 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Светодиодное освещение Поверхностный монтаж 24-ССОП (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Линейный TC62D748 - 24-ССОП - 264-TC62D748CFNAG(CBHJ УСТАРЕВШИЙ 1 90 мА 16 Нет Регистр сдвига 5,5 В Нет 3В 17В
TAR5S30UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S30UTE85LF 0,5100
запросить цену
 ECAD 865 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), плоский вывод ТАР5С30 15 В Зафиксированный УФВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3В - 1 0,2 В @ 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCB010FNG Toshiba Semiconductor and Storage TCB010FNG -
запросить цену
 ECAD 5007 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Активный -40°С ~ 85°С Конвертер, Автомобильная Аудиосистема Поверхностный монтаж 36-BSSOP (0,433 дюйма, ширина 11,00 мм) Открытая колодка 18В 36-ХССОП скачать 264-TCB010FNG EAR99 8542.39.0001 1 7 3,3 В, 3,3 В, 5 В
TA58M05S(YAZK,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage ТА58М05С(ЯЗК,AQ) -
запросить цену
 ECAD 7841 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мкА 5В - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305,LM(CT 0,3500
запросить цену
 ECAD 363 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE305 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,05 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB62754AFNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB62754AFNG(О,EL) -
запросить цену
 ECAD 6503 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 95°С (ТА) Подсветка Поверхностный монтаж 20-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) Контроллер постоянного тока ТБ62754 1,6 МГц 20-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 48 мА 6 Да Шаг вверх (Ускорение) 5,5 В ШИМ 4,5 В -
TCR2EN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН12,ЛФ 0,0896
запросить цену
 ECAD 4283 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN12 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 0,55 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TBD62381AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFNG,EL 1,7100
запросить цену
 ECAD 9992 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 18-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62381 - N-канал 1:1 18-ССОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 2000 г. 4,5 В ~ 5,5 В Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона 1 Ом 0 В ~ 50 В Общего назначения 500 мА
TB62216FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,C8,EL 2.3900
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62216 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 2А 10 В ~ 38 В - Матовый ДК -
TA58L05S,LS4NSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,LS4NSAQ(J -
запросить цену
 ECAD 5801 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 5В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF115,LM(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF115 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,15 В - 1 1,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB6674FAG Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FAG -
запросить цену
 ECAD 3570 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 75°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-СОП (ширина 0,181 дюйма, 4,60 мм) ТБ6674 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 16-ССОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 100 мА 2,7 В ~ 22 В Биполярный - -
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,9 В - 1 1,46 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TA78L018AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP,T6F(J -
запросить цену
 ECAD 5551 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л018 40В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 18В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 38 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG,ЭЛ -
запросить цену
 ECAD 1895 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) Линейный ТБ62747 - 24-ССОП скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 45 мА 16 Да Регистр сдвига 5,5 В - 3В 26В
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11,РФ(SE 0,4800
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,1 В - 1 0,65 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(LS2DNS,AQ -
запросить цену
 ECAD 4984 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 5В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5СБ33(ТЕ85Л,Ф) 0,4600
запросить цену
 ECAD 8980 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТАР5СБ33 15 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,3 В - 1 0,2 В @ 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA78DS10BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP,F(J -
запросить цену
 ECAD 3616 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1,4 мА 1,4 мА - Позитивный 30 мА 10 В - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095,LM(CT 0,0742
запросить цену
 ECAD 7130 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,95 В - 1 1,48 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 5897 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ09 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 - Позитивный 300 мА 0,9 В - 1 0,13 В при 300 мА 100 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA58L05S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,SUMISQ(M -
запросить цену
 ECAD 6938 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 5В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ30,ЛФ 0,4400
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП ТКР2ДГ30 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА - Позитивный 200 мА 3В - 1 0,11 В при 100 мА 73 дБ ~ 50 дБ (1 кГц ~ 100 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22951Г,ЛФ 0,5100
запросить цену
 ECAD 8256 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки ТСК22951 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Ограничение тока (фиксированное), перегрев, обратный ток Высокая сторона 31мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения 740 мА
TB62215AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG,C8,EL 1,6274
запросить цену
 ECAD 4759 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TB62215AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFG,8,ЭЛ 1.1500
запросить цену
 ECAD 8532 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 28-BSOP (ширина 0,346 дюйма, 8,80 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 28-ХСОП скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFNG -
запросить цену
 ECAD 3817 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62783 Неинвертирующий P-канал 1:1 18-ССОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR8BM115A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM115A,L3F 0,4600
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800 мА 1,15 В - 1 0,255 В при 800 мА - Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35,ЛФ 0,4500
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR4DG Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG35 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 68 мкА Давать возможность Позитивный 420 мА 3,5 В - 1 0,26 В при 420 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев, короткое замыкание
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24,ЛФ 0,1394
запросить цену
 ECAD 3967 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,4 В - 1 0,13 В при 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.