SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Функции Базовый номер продукта Тип входа Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Программируемый НИЦ Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Тип ссылки Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Тип канала Топология Частота — переключение Защита от неисправностей Функции управления Конфигурация вывода Синхронный выпрямитель Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Управляемая перемена Количество водителей Тип ворот Логическое напряжение – ВИЛ, VIH Ток — пиковый выход (источник, приемник) Время подъема/спада (типичное) Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ30,ЛФ 0,4400
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП ТКР2ДГ30 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА - Позитивный 200 мА - 1 0,11 В при 100 мА 73 дБ ~ 50 дБ (1 кГц ~ 100 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TCR2LN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН115,ЛФ -
запросить цену
ECAD 4547 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН115 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,15 В - 1 1,28 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК401Г,ЛФ 0,6200
запросить цену
ECAD 51 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП ТСК401 Неинвертирующий Не проверено 2,7 В ~ 28 В 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Одинокий Хай 1 - 0,4 В, 1,6 В - 0,2 мс, 1,5 мкс
TCR2EN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН28,ЛФ 0,0896
запросить цену
ECAD 1287 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2EN28 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,8 В - 1 0,21 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2EE45,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45,ЛМ -
запросить цену
ECAD 5861 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE45 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 4,5 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR8BM25A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM25A,L3F 0,4600
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800 мА 2,5 В - 1 0,29 В при 800 мА - Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TA48025BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage ТА48025БФ(Т6Л1,НК) -
запросить цену
ECAD 8207 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА48025 16 В Зафиксированный PW-МОЛД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,7 мА 20 мА - Позитивный 2,5 В - 1 0,88 В при 1 А (тип.) 64 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TB67B008FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FTG,EL 2.1300
запросить цену
ECAD 40 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 24-WFQFN Открытая колодка ТБ67Б008 Силовой МОП-транзистор 5,5 В ~ 22 В 24-WQFN (4х4) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (3) 5,5 В ~ 22 В - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДМ36,ЛФ 0,0926
запросить цену
ECAD 8010 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДМ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка ТКР3ДМ36 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 3,6 В - 1 0,2 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TPD4162F,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТПД4162Ф,ЛФ 2,4947
запросить цену
ECAD 1495 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 135°С Общего назначения Поверхностный монтаж 62-СОП (ширина 0,331 дюйма, 8,40 мм), открытая площадка, 31 вывод ТПД4162 БТИЗ 13,5 В ~ 17,5 В P-HSSOP31-0918-0.80-002 скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Высокая сторона 700 мА 50 В ~ 450 В Многофазный Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR3UF33A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF33A,LM(CT 0,4100
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,287 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2LN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN115,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,15 В - 1 1,28 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TA78L020AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L020AP,T6WNF(J -
запросить цену
ECAD 5715 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л020 40В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 20 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 37 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TA76431AS,T6MURF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS,T6MURF(J -
запросить цену
ECAD 3539 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76431 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB7106F(T2LPP1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7106F(T2LPP1,Q) -
запросить цену
ECAD 4028 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN ТБ7106 20 В Регулируемый 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 1 Бак 380 кГц Позитивный Да 0,8 В 18В 4,5 В
TA8428K(O,S) Toshiba Semiconductor and Storage ТА8428К(О,С) -
запросить цену
ECAD 7534 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие Открытая вкладка 7-SIP ТА8428 Биполярный 7В ~ 27В 7-HSIP скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 25 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 1,5 А 7В ~ 27В - Матовый ДК -
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG,C8,EL 2,9200
запросить цену
ECAD 6044 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62208 ДМОС 4,5 В ~ 5,5 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 1,8 А 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2
TB67S249FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S249FTG,ЭЛ 5.4600
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ67С249 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-ВКФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (8) 4,5 А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCR2EF40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF40,LM(CT 0,3300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF40 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TBD62084AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFG,EL 1,3600
запросить цену
ECAD 7239 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,276 дюйма, 7,00 мм) - TBD62084 Инвертирование N-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТБ7101Ф(Т5Л3.3,Ф) -
запросить цену
ECAD 2441 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод ТБ7101 5,5 В Зафиксированный ПС-8 (2,9х2,4) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 1 Бак 1 МГц Позитивный Да 3,3 В - 4,3 В
TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A,ЛФ 0,4500
запросить цену
ECAD 203 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR3UM Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка TCR3UM18 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,8 В - 1 0,457 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК302Г,ЛФ 0,4658
запросить цену
ECAD 2363 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТСК30 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 9-УФБГА, ВЛЦП Управление скоростью нарастания, флаг состояния ТСК302 - N-канал 1:1 9-ВЦСП (1,5х1,5) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Перегрев, перенапряжение, обратный ток, UVLO Высокая сторона 73мОм 2,3 В ~ 28 В Общего назначения
TA58M09S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M09S,Q(J -
запросить цену
ECAD 8868 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М09 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мА - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCK22923G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22923Г,ЛФ 0,1675
запросить цену
ECAD 4602 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения ТСК22923 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Обратный ток Высокая сторона 25мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TC62D748AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748AFG,ЭЛ 0,4326
запросить цену
ECAD 8344 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Активный TC62D748 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г.
TCR2EF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF11,LM(CT 0,3300
запросить цену
ECAD 9941 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF11 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,1 В - 1 0,67 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TBD62083AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFNG,EL 1.4000
запросить цену
ECAD 1091 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62083 Инвертирование N-канал 1:1 18-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30,LM(CT 0,4200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТКР3ДФ30 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА - 1 0,27 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA78L006AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP,F(J -
запросить цену
ECAD 4560 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L006 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 47 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе