SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Функции Базовый номер продукта Тип входа Технология Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Защита от неисправностей Функции управления Конфигурация вывода Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TA58L08S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S,SUMISQ(M -
запросить цену
ECAD 5777 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л08 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TBD62786AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786AFNG,EL 1,8200
запросить цену
ECAD 21 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 18-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - Подлежит уточнению62786 Инвертирование P-канал 1:1 18-ССОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 2000 г. 2В ~ 50В Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона 1,6 Ом 0 В ~ 50 В Общего назначения 400 мА
TCK22911G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22911Г,ЛФ 0,1675
запросить цену
ECAD 8653 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки ТСК22911 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Перегрев, обратный ток, УВЛО Высокая сторона 31мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TPD2015FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage ТПД2015ФН,Л1Ф(С 3,8700
запросить цену
ECAD 4987 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 30-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) - ТПД2015 Неинвертирующий N-канал 1:1 30-ССОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 8 В ~ 40 В Вкл/Выкл 8 Ограничение тока (регулируемое), перегрев Высокая сторона 900мОм - Реле, драйвер соленоида 500 мА
TA58M08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage ТА58М08С(ФДЖТН,КМ) -
запросить цену
ECAD 9550 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М08 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мА - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCR15AG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР15АГ105,ЛФ 0,2294
запросить цену
ECAD 6398 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР15АГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP ТКР15АГ105 Зафиксированный 6-ВЦСП (1,2х0,80) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 40 мкА Давать возможность Позитивный 1,5 А 1,05 В - 1 0,228 В при 1,5 А 95 дБ ~ 60 дБ (1 кГц) Ограничение тока, тепловое отключение, УВЛО
TA58L05S,COMTQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,COMTQ(М -
запросить цену
ECAD 2376 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB6617FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6617FNG(О,ЭЛ) -
запросить цену
ECAD 7426 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) ТБ6617 Силовой МОП-транзистор 2,7 В ~ 5,5 В 16-ССОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 4,5 В ~ 45 В - Матовый ДК -
TPD4207F,FQ Toshiba Semiconductor and Storage ТПД4207Ф,ЧК 9.7100
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 30-СОП (0,433 дюйма, ширина 11,00 мм) ТПД4207 Силовой МОП-транзистор 13,5 В ~ 16,5 В 30-СОП скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (3) 50 В ~ 450 В - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TA78L008AP,6MBSF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP,6MBSF(M -
запросить цену
ECAD 7399 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л008 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB67S158FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S158FTG,ЭЛ 1,7809
запросить цену
ECAD 4486 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С158 ДМОС 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (8) 1,5 А 10 В ~ 60 В однополярный - -
TA78L012AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,T6F(J -
запросить цену
ECAD 4521 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TB6600FG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6600ФГ 5.7300
запросить цену
ECAD 3604 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 64-TQFP Открытая колодка ТБ6600 Силовой МОП-транзистор 8 В ~ 42 В 64-ХКФП (10х10) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) ТБ6600ФГ(О) EAR99 8542.39.0001 160 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 8 В ~ 42 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TB67S141FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141FTG,ЭЛ 3.1800
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С141 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (2) 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2, 1/4
TCK112G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК112Г,ЛФ 0,7300
запросить цену
ECAD 16 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения ТСК112 Неинвертирующий N-канал 1:1 6-МЦПК (1,5х1,0) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Перегрев, обратный ток Высокая сторона 8,3 мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TBD62084AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFWG,EL 1.1900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) - TBD62084 Инвертирование N-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR5AM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР5АМ18,ЛФ 0,1357
запросить цену
ECAD 8241 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM18 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 1,8 В - 1 0,43 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TA58M05S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S,SUMISQ(M -
запросить цену
ECAD 1316 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мкА - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TB62216FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG,8,ЭЛ -
запросить цену
ECAD 5096 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший - Общего назначения Поверхностный монтаж 28-BSOP (ширина 0,346 дюйма, 8,80 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ62216 Силовой МОП-транзистор 40 В (макс.) 28-ХСОП скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 2,5 А - - Матовый ДК -
TB67S580FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С580ФНГ,ЭЛ 2.1500
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, ширина 4,40 мм) Открытая колодка ДМОС 8,2 В ~ 44 В 28-ХЦСОП скачать 1 (без блокировки) 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Вкл/Выкл Полумост (4) 1,6А 8,2 В ~ 44 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТПД4163Ф,ЛФ 6.3000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 135°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 42-СОП (ширина 0,330 дюймов, 8,40 мм), 31 вывод, открытая площадка БТИЗ 13,5 В ~ 16,5 В 31-ХССОП - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (3) 50 В ~ 450 В Многофазный Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TCR2EE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE115,LM(CT 0,0618
запросить цену
ECAD 7361 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE115 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,15 В - 1 0,67 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA78L008AP(DNSO,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP(DNSO,FM -
запросить цену
ECAD 7130 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л008 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 45 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCR2EE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE28,LM(CT 0,3700
запросить цену
ECAD 5527 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE28 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,8 В - 1 0,23 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2LN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН10,ЛФ 0,3600
запросить цену
ECAD 70 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН10 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 1,38 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275,LM(CT 0,3700
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE275 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,75 В - 1 0,23 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR2EE34,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE34,LM(CT 0,3700
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE34 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,4 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA58L12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S,Q(J -
запросить цену
ECAD 8687 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л12 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1,2 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 12 В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 1,23 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB62215AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG,C8,EL 1,6274
запросить цену
ECAD 4759 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62215 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-КФН (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 38 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе