SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Функции Базовый номер продукта Тип входа Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Функция Тип ссылки Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Защита от неисправностей Функции управления Конфигурация вывода Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30,LM(CT 0,4200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТКР3ДФ30 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 65 мкА 78 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА - 1 0,27 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,8,EL -
запросить цену
ECAD 1553 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший - Общего назначения Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТБ62216 Силовой МОП-транзистор 40 В (макс.) 48-КФН (7х7) скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 2,5 А - - Матовый ДК -
TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЛН19,ЛФ -
запросить цену
ECAD 5768 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЛН19 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,9 В - 1 0,6 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR3DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДГ36,ЛФ 0,3900
запросить цену
ECAD 8412 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 5000 Давать возможность Позитивный 300 мА 3,6 В - 1 0,185 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065,ЛФ 0,1344
запросить цену
ECAD 4827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM065 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 0,65 В - 1 0,2 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TA58L06S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,SUMISQ(M -
запросить цену
ECAD 2351 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л06 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP(ТОРИ,FM -
запросить цену
ECAD 2935 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L005 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 49 дБ (120 Гц) -
TLE4274V50 Toshiba Semiconductor and Storage ТЛЕ4274В50 -
запросить цену
ECAD 4781 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Активный ТЛЕ4274 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛЕ4274В50ТС EAR99 8542.39.0001 50
TB6556FG,8,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6556FG,8,EL,СУХОЙ -
запросить цену
ECAD 8267 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший -30°С ~ 115°С (ТА) Контроллер вентилятора Поверхностный монтаж 30-BSOP (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТБ6556 Би-КМОП 6В ~ 10В 30-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.31.0001 1000 Модулятор — коммутация, управление направлением Параллельно Предварительный драйвер - полумост (3) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TB67H410NG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67Х410НГ 3,8200
запросить цену
ECAD 79 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ67Н410 БиКДМОС 4,75 В ~ 5,25 В 24-СДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный ТБ67Х410НГ(О) EAR99 8542.39.0001 20 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, ШИМ Полумост (4) 10 В ~ 47 В - Матовый ДК -
TCR2DG29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG29,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 4370 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,9 В - 1 0,12 В @ 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20,LM(CT 0,3700
запросить цену
ECAD 800 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE20 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,31 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A,LM(CT 0,4100
запросить цену
ECAD 2099 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТКР3УФ30 5,5 В Зафиксированный СМВ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА - 1 0,287 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCK321G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК321Г,ЛФ 0,5973
запросить цену
ECAD 1420 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-УФБГА, ЦСПБГА Управление скоростью нарастания, флаг состояния ТСК321 - N-канал 2:1 16-МЦПК (1,9х1,9) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Перегрев, перенапряжение, обратный ток, U Высокая сторона 98мОм 2,3 В ~ 36 В Общего назначения
TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF28,LM(CT 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF28 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,8 В - 1 0,38 В при 150 мА - Перегрузка по току
TAR5S49(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5С49(ТЕ85Л,Ф) 0,2076
запросить цену
ECAD 6157 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ТАР5С49 15 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА ВКЛ/ВЫКЛ Позитивный 200 мА 4,9 В - 1 0,2 В @ 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA76432S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6MURAF(J -
запросить цену
ECAD 8998 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76432 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A,ЛФ 0,1261
запросить цену
ECAD 4531 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПФ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 5000 0,68 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1825 В - 1 - 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG,8,ЭЛ 1.1201
запросить цену
ECAD 8652 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -30°С ~ 75°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-BSOP (ширина 0,252 дюйма, 6,40 мм) + 2 нагревательных вкладки ТБ6674 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 16-ХСОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 1500 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 350 мА 2,7 В ~ 22 В Биполярный - -
TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG,ЭЛ 1,5300
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж Открытая площадка 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) ТБ67Н450 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 44 В 8-ХСОП - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3500 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности - Половина моста 4,5 В ~ 44 В Биполярный Матовый ДК -
TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM085,ЛФ 0,1344
запросить цену
ECAD 5661 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR5AM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR5AM085 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 55 мкА 68 мкА Давать возможность Позитивный 500 мА 0,85 В - 1 0,22 В при 500 мА 70 дБ ~ 40 дБ (1 кГц ~ 10 Гц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения
TB6586FG,C8,EL,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG,C8,EL,ГЦ 2.0600
запросить цену
ECAD 23 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 115°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) ТБ6586 Би-КМОП 6,5 В ~ 16,5 В 24-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Модулятор — коммутация, управление направлением Параллельно Предварительный драйвер - полумост (3) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG,C8,EL 2,0549
запросить цену
ECAD 4373 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Активный ТБ6560 скачать Соответствует ROHS3 TB6560AFTGC8EL EAR99 8542.39.0001 2000 г.
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage ТПД2017ФН,Л1Ф(С 4.4500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-СОП (ширина 0,236 дюйма, 6,00 мм) - ТПД2017 Неинвертирующий N-канал 1:1 24-ССОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 8 Ограничение тока (регулируемое), перегрев Низкая сторона 1 Ом 0,8 В ~ 2 В Реле, драйвер соленоида 500 мА
TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FTG,ЭЛ 0,6963
запросить цену
ECAD 8401 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный TC78S600 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000
TB67S269FTG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ67С269ФТГ -
запросить цену
ECAD 1924 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С269 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 47 В Биполярный - 1 ~ 1/32
TA58L05S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(FJTN,AQ) -
запросить цену
ECAD 6255 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12,LM(CT 0,4100
запросить цену
ECAD 1177 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2LE12 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,2 В - 1 1,25 В при 150 мА - Перегрузка по току
TA78DS05CP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP(T6ND,AF -
запросить цену
ECAD 7457 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, Тран
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,9 В - 1 1,46 В при 150 мА - Перегрузка по току
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе