SIC
close

Управление питанием (УПМИЦ)(1138)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Ток — выход/канал Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TA78L012AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,HOTIF(M -
запросить цену
 ECAD 9964 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCK2065G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК2065Г,ЛФ 0,4800
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки ТСК2065 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Ограничение тока (фиксированное), перегрев, обратный ток, UVLO Высокая сторона 31мОм 1,4 В ~ 5,5 В Общего назначения 1,11А
TB9080FG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ9080ФГ 6.3062
запросить цену
 ECAD 8444 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 64-LQFP ТБ9080 Биполярный 7В ~ 18В 64-ЛКФП (10х10) скачать 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 800 Контроллер — Скорость ШИМ Предварительный драйвер - полумост (3) - - - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TA58L05S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,HY-ATQ(М -
запросить цену
 ECAD 9220 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 5В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1,9800
запросить цену
 ECAD 120 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие 18-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) - TBD62785 Инвертирование P-канал 1:1 18-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 20 2В ~ 50В Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона 1,6 Ом 0 В ~ 50 В Общего назначения 400 мА
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A,LM(CT 0,4100
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3UF36 5,5 В Зафиксированный СМВ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 3,6 В - 1 0,245 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM45,LF(SE 0,4800
запросить цену
 ECAD 3185 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 125 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 4,5 В - 1 0,2 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG,EL 1,6600
запросить цену
 ECAD 45 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,276 дюйма, 7,00 мм) - TBD62783 Неинвертирующий P-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR2EF50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF50,LM(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 30 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF50 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 5В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA58L09S,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,Q(М -
запросить цену
 ECAD 4147 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л09 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 9В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2EF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF36,LM(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 6914 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF36 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 3,6 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB6560AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ -
запросить цену
 ECAD 3693 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Устаревший -30°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 25-SSIP сформировал успешных клиентов ТБ6560 Силовой МОП-транзистор 4,5 В ~ 5,5 В 25-ХЗИП скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8542.39.0001 504 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 4,5 В ~ 34 В Биполярный - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TCK105G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК105Г,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 1267 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения ТСК105 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПБ (0,80х1,2) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Ограничение тока (фиксированное), перегрев Высокая сторона 50мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения 1,2А
TBD62783AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFWG,EL 1.1000
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) - TBD62783 Неинвертирующий P-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TA58L05S,ASHIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,ASHIQ(M -
запросить цену
 ECAD 5236 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА 5В - 1 0,4 В @ 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TC62D722CFNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFNG,C,EL 4.2100
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) - Поверхностный монтаж 24-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) Открытая колодка Линейный TC62D722 - 24-ХЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 90 мА 16 Да Регистр сдвига 5,5 В - 3В 17В
TB62D787FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D787FTG,ЭЛ 1,4124
запросить цену
 ECAD 5174 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С - Поверхностный монтаж 40-VFQFN Открытая колодка Линейный ТБ62Д787 - 40-ВКФН (6х6) - Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 40 мА 24 Да - 28В ШИМ 7В 0,5 В ~ 4 В
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11,LM(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF11 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,1 В - 1 1,3 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB6615PG,8 Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6615ПГ,8 2.3400
запросить цену
 ECAD 3621 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТБ6615 16-ДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный ТБ6615ПГ8 EAR99 8542.39.0001 25
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG,8,EL 0,5047
запросить цену
 ECAD 8580 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Подсветка Поверхностный монтаж 8-SMD, открытая площадка с выводом Регулятор постоянного тока ТБ62763 200 кГц ~ 2 МГц 8-СОН (2,9х2,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 80 мА 1 Да Шаг вверх (Ускорение) 5,5 В - 2,8 В -
TA78DS05BP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage ТА78ДС05БП,Т6СТФ(М -
запросить цену
 ECAD 1267 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА 5В - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TB67S145FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S145FTG,ЭЛ 1,9179
запросить цену
 ECAD 9795 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С145 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Серийный Полумост (2) 3А 10 В ~ 40 В однополярный - 1, 1/2
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage ТА58ЛТ00Ф(Т6Л1,К) -
запросить цену
 ECAD 5745 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) ТА58Л 26В Регулируемый 5-HSIP скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 0,8 мА 15 мА Давать возможность Позитивный 150 мА 2,5 В 13,4 В 1 0,6 В @ 100 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCR3UM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM12A,LF(SE 0,4700
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 580 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,2 В - 1 0,857 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A,LF(SE 0,4700
запросить цену
 ECAD 166 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,8 В - 1 0,457 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2EE50,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50,ЛМ -
запросить цену
 ECAD 7396 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE50 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 5В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TCR3DM33,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33,РФ(SE 0,4800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,23 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3DM105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105,LF(SE 0,4800
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,05 В - 1 0,75 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB67S109AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFTG,ЭЛ 3.1400
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С109 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 3А 10 В ~ 47 В Биполярный - 1 ~ 1/32
TCR2EN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11,LF(SE 0,3800
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,1 В - 1 0,65 В при 150 мА - Перегрузка по току
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.