SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Функции Базовый номер продукта Тип входа Технология Текущий - Доставка Напряжение — вход Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Температурный коэффициент Программируемый НИЦ Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Тип ссылки Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Тип канала Топология Частота — переключение Защита от неисправностей Функции управления Конфигурация вывода Синхронный выпрямитель Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Управляемая перемена Количество водителей Тип ворот Логическое напряжение – ВИЛ, VIH Ток — пиковый выход (источник, приемник) Время подъема/спада (типичное) Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. Шум - от 10 Гц до 10 кГц Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15,LM(CT 0,0742
запросить цену
ECAD 8105 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF15 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,5 В - 1 1,13 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ТСК421Г,Л3Ф 0,8500
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP ТСК421 Неинвертирующий Не проверено 2,7 В ~ 28 В 6-ВЦПГ (0,8x1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 синхронный Верхняя сторона и нижняя сторона 2 N-канальный МОП-транзистор 0,4 В, 1,2 В - -
TCR2DG19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG19,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 5190 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,9 В - 1 0,17 В @ 100 мА - Перегрузка по току, перегрев
TA78L015AP(TPE6,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP(TPE6,FM -
запросить цену
ECAD 6651 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л015 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 15 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 40 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев
TB6561NG Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6561НГ -
запросить цену
ECAD 1962 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -20°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Сквозное отверстие 24-СДИП (0,300", 7,62 мм) ТБ6561 Би-КМОП 10 В ~ 36 В 24-СДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 100 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (4) 1,5 А 10 В ~ 36 В - Матовый ДК -
TCR2EE29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE29,LM(CT 0,0680
запросить цену
ECAD 6634 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE29 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,9 В - 1 0,23 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA78DS05BP(FJTN,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP(FJTN,AF -
запросить цену
ECAD 5680 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, переходное напряжение
TC78H660FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FNG,ЭЛ 1,2700
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Общего назначения Поверхностный монтаж 16-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) TC78H660 ДМОС 1,5 В ~ 5,5 В 16-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности - Полумост (4) 2,5 В ~ 16 В - Матовый ДК -
TA58M06S,MTDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage ТА58М06С,МТДК(М -
запросить цену
ECAD 8463 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58М06 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 80 мА - Позитивный 500 мА - 1 0,65 В при 500 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCR3DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДГ33,ЛФ 0,1054
запросить цену
ECAD 3467 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA ТКР3ДГ33 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 65 мкА 78 мкА - Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,215 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF32,LM(CT 0,0906
запросить цену
ECAD 4668 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 3,2 В - 1 0,25 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TBD62084AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084AFNG,EL 1.4000
запросить цену
ECAD 214 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62084 Инвертирование N-канал 1:1 18-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR3DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3ДГ12,ЛФ 0,1054
запросить цену
ECAD 5253 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, CSPBGA ТКР3ДГ12 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСПЭ (0,65х0,65) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 65 мкА 78 мкА - Позитивный 300 мА 1,2 В - 1 0,6 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR3RM33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР3РМ33А,ЛФ -
запросить цену
ECAD 3988 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3РМ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка ТКР3РМ33 5,5 В Зафиксированный 4-ДФНК (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 - Позитивный 300 мА 3,3 В - 1 0,13 В при 300 мА 100 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ДГ15,ЛФ 0,1394
запросить цену
ECAD 8750 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ДГ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УФБГА, ВЛЦСП ТКР2ДГ15 5,5 В Зафиксированный 4-ВКСП (0,79х0,79) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 70 мкА - Позитивный 200 мА 1,5 В - 1 0,5 В при 100 мА - Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение
TC78B002FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B002FNG,ЭЛ 0,6056
запросить цену
ECAD 9661 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Драйвер двигателя вентилятора Поверхностный монтаж 16-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) TC78B002 ДМОС 3,5 В ~ 16 В 16-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Полумост (2) 1,5 А 3,5 В ~ 16 В - Бесщеточный постоянный ток (BLDC) -
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТБ7101AF(T5L3.3,Ф) -
запросить цену
ECAD 3163 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод ТБ7101 5,5 В Зафиксированный ПС-8 (2,9х2,4) - 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 1 Бак 1 МГц Позитивный Да 3,3 В - 4,3 В
TCR2LE21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE21,LM(CT 0,0742
запросить цену
ECAD 4687 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛЕ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2LE21 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,1 В - 1 0,56 В при 150 мА - Перегрузка по току
TA76L431S(T6SOY,QM Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S(T6SOY,QM -
запросить цену
ECAD 9027 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76Л431 - - - - ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27,LM(CT 0,0906
запросить цену
ECAD 6228 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3ДФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3DF27 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Давать возможность Позитивный 300 мА 2,7 В - 1 0,31 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев
TCK108AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК108АФ,ЛФ 0,4800
запросить цену
ECAD 85 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения ТСК108 Инвертирование P-канал 1:1 СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Не требуется Вкл/Выкл 1 - Высокая сторона 63мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TCK22972G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22972Г,ЛФ 0,1807
запросить цену
ECAD 7624 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП Контролируемая скорость нарастания ТСК22972 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Обратный ток Высокая сторона 25мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TAR5S25U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТАР5С25У(ТЕ85Л,Ф) 0,5000
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), плоский вывод 15 В Зафиксированный УФВ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 850 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 2,5 В - 1 0,2 В @ 50 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6F(J -
запросить цену
ECAD 9170 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов TA78L005 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6 мА - Позитивный 150 мА - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 49 дБ (120 Гц) -
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ТКР8БМ10А,Л3Ф 0,4900
запросить цену
ECAD 9139 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR8BM Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XDFN Открытая площадка TCR8BM10 5,5 В Зафиксированный 5-ДФНБ (1,2х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 36 мкА Ограничение тока, Включить Позитивный 800 мА - 1 0,23 В при 800 мА 98 дБ (1 кГц) Блокировка перегрузок по току, перегрева, пониженного напряжения (УВЛО)
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14,LM(CT 0,3300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF14 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,4 В - 1 0,42 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG,EL 1.1900
запросить цену
ECAD 5405 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) - TBD62083 Инвертирование N-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TBD62004AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFNG,EL 0,4687
запросить цену
ECAD 1404 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-LSSOP (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62004 Инвертирование N-канал 1:1 16-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 7 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТСК22912Г,ЛФ 0,5100
запросить цену
ECAD 705 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-УФБГА, ВЛЦП - ТСК22912 Неинвертирующий P-канал 1:1 6-ВЦСПЕ (0,80х1,2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 5000 Не требуется Вкл/Выкл 1 Перегрев, обратный ток, УВЛО Высокая сторона 31мОм 1,1 В ~ 5,5 В Общего назначения
TA48M04F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage ТА48М04Ф(Т6Л1,СНК) -
запросить цену
ECAD 1577 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТА48М04 29В Зафиксированный PW-МОЛД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 1,4 мА 25 мА - Позитивный 500 мА - 1 0,65 В при 500 мА 68 дБ (120 Гц) Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, обратная полярность
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе