Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EM6OE16NWAKA-07IH | 8.2500 | ![]() | 9367 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6OE16 | SDRAM | 1,14 В ~ 1,26 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 18 нс | ДРАМ | 256М х 16 | ПОД | 15нс | ||
![]() | EM63A165BM-5IH | 2,6189 | ![]() | 5184 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ЕМ63А165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ63А165БМ-5ИХТР | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | EM6HD08EWAHH-12IH | 9.0200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6HD08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (7,5х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | EM6GC08EWUG-10IH | 3.5700 | ![]() | 448 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6GC08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | EM6HE16EWAKG-10IH | 10.5100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6HE16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | EM68B16CWQK-25H | 2,2334 | ![]() | 9792 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | EM68B16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM68B16CWQK-25HTR | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 400 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15нс | |
![]() | ЭМ63Б165ТС-5ИСГ | 6.8508 | ![]() | 5761 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM63B165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ63Б165ТС-5ИСГТР | EAR99 | 8542.32.0028 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | EM6HE08EW3F-10IH | - | ![]() | 6933 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6HE08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (9х10,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HE08EW3F-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM6GD08EWUF-10H | 2,9953 | ![]() | 8928 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6GD08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GD08EWUF-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM6GE08EW8D-10IH | 5.8500 | ![]() | 8005 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6GE08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | EM6HE16EWXD-10IH | 5.8500 | ![]() | 2565 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6HE16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | EM6HC08EWUG-10IH | 4.0102 | ![]() | 1379 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6HC08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HC08EWUG-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM6GA16LBXA-12H | 2.5100 | ![]() | 688 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | EM6GA16 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 500 | ||||||||||||||||
![]() | EM68D16CBQC-18IH | 9.5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | EM68D16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 533 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 350 пс | ДРАМ | 128М х 16 | SSTL_18 | 15нс | ||
![]() | ЭМ63А165ТС-5Г | 1,8501 | ![]() | 8203 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ЕМ63А165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ63А165ТС-5ГТР | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | EM6HE08EW8D-10H | 5.2066 | ![]() | 6676 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6HE08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HE08EW8D-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM6GF16EW5A-10ISH | 20.0250 | ![]() | 1348 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | |||||||||||||||||
![]() | EM6HE08EW8D-10IH | 5.8500 | ![]() | 1755 г. | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6HE08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HE08EW8D-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM6GC16EWKG-10IH | 2,5809 | ![]() | 1763 г. | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | EM6GC16 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GC16EWKG-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM68A16CBQC-25H | 1,8198 | ![]() | 7387 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ЕМ68А16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM68A16CBQC-25HTR | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 400 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | |
![]() | ЭМ63Б165ТС-5СГ | 6,6986 | ![]() | 9568 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM63B165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ63Б165ТС-5СГТР | EAR99 | 8542.32.0028 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | EM6A9160TSC-4G | 1,7660 | ![]() | 5674 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM6A9160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6A9160TSC-4GTR | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 250 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 700 пс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 12нс | |
![]() | EM6GD08EWUF-10IH | 3,5028 | ![]() | 3137 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6GD08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GD08EWUF-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM68C16CWQG-25H | 3.1099 | ![]() | 3127 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | EM68C16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM68C16CWQG-25HTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | |
![]() | EM6AC160TSA-4G | - | ![]() | 1597 г. | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM6AC160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 1000 | 250 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 16 | SSTL_2 | 15нс | ||||
![]() | EM639165TS-5IG | 1,7660 | ![]() | 4448 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ЕМ639165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ639165ТС-5ИГТР | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | EM68A16CBQC-25IH | 3.3000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ЕМ68А16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 400 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | EM68D16CBQC-18H | 7.1250 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | EM68D16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM68D16CBQC-18HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 533 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 350 пс | ДРАМ | 128М х 16 | SSTL_18 | 15нс | |
![]() | EM639165BM-5IH | 2,0680 | ![]() | 1034 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ЕМ639165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ639165БМ-5ИХТР | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | EM6GE16EWXD-10IH | 5.8500 | ![]() | 8438 | 0,00000000 | Этрон Технология, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6GE16 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (9х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GE16EWXD-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)