Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EM6HD08EWUF-10H | 2,9953 | ![]() | 2800 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6HD08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HD08EWUF-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HC16EWXC-12IH | 4.0102 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6HC16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6GE16EWXD-10H | 5.2066 | ![]() | 5609 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6GE16 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (9х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GE16EWXD-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM639165BM-5H | 1,8198 | ![]() | 2846 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ЕМ639165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM639165BM-5HTR | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
| EM6GA16LCAEA-12H | 2.1700 | ![]() | 319 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 50-УФБГА, ВЛЦП | EM6GA16 | DRAM-RPC | 1425 В ~ 1575 В | 50-ВЛЦСП (1,96х4,63) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GA16LCAEA-12H | EAR99 | 8542.32.0032 | 66 | 800 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6HD16EWBH-10H | 5.9374 | ![]() | 9536 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | EM6HD16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6AA160BKE-4IH | 2,7826 | ![]() | 4162 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | EM6AA160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6AA160BKE-4IHTR | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 250 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6AA160TSE-4G | 1,6819 | ![]() | 3264 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM6AA160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ6АА160ЦЭ-4ГТР | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 250 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HC16EWXC-12H | 3,6828 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6HC16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6HD08EWAHH-12H | 5.8500 | ![]() | 1008 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6HD08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (7,5х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HD08EWAHH-12HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6GE08EW9G-10H | 5.2066 | ![]() | 2839 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6GE08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (7,5х10,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GE08EW9G-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6OE08NW9A-07IH | 8.2500 | ![]() | 2009 год | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6OE08 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (7,5х10,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 18 нс | ДРАМ | 512М х 8 | ПОД | 15 нс | ||
![]() | EM68C16CWQG-25IH | 4.8100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | EM68C16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6GE16EWAKG-10H | 5.2066 | ![]() | 1292 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6GE16 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GE16EWAKG-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HB16EWKA-12IH | 3,2261 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | EM6HB16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 1500 | 667 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6GD08EWAHH-10IH | 3,5028 | ![]() | 5807 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6GD08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (7,5х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HE16EWXD-10H | 5.2066 | ![]() | 3438 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6HE16 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HE16EWXD-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6GE08EW8D-10H | 5.2066 | ![]() | 4319 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6GE08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GE08EW8D-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6GE16EWAKG-10IH | 5.8500 | ![]() | 7168 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6GE16 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GE16EWAKG-10IHTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HC16EWKG-10H | 2,2538 | ![]() | 3693 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | EM6HC16 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HC16EWKG-10HTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM68B08CWAH-25H | 3.1099 | ![]() | 2679 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | EM68B08 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ФБГА (8х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM68B08CWAH-25HTR | EAR99 | 8542.32.0028 | 2000 г. | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6GD08EWAHH-10H | 2,9953 | ![]() | 6440 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6GD08 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (7,5х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6GD08EWAHH-10HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HD16EWBH-10IH | 9.0200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | EM6HD16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6HE08EW9G-10H | 7.1250 | ![]() | 6136 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | EM6HE08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (7,5х10,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6HC08EWUG-10H | 3,6828 | ![]() | 4928 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | EM6HC08 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6HC08EWUG-10HTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | EM6HC16EWKG-10IH | 2,5809 | ![]() | 1305 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6HC16 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | EM6OE16NWAKA-07H | 7.5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | EM6OE16 | SDRAM | 1,14 В ~ 1,26 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6OE16NWAKA-07HTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 18 нс | ДРАМ | 256М х 16 | ПОД | 15 нс | |
![]() | EM6A9160TSC-4IG | 1,9342 | ![]() | 4632 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM6A9160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-EM6A9160TSC-4IGTR | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 250 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 700 пс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 12нс | |
![]() | EM63A165BM-5IH | 2,6189 | ![]() | 5184 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ЕМ63А165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ63А165БМ-5ИХТР | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 10 нс | |
![]() | ЭМ63Б165ТС-5ИСГ | 6.8508 | ![]() | 5761 | 0,00000000 | Этрон Технолоджи, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | EM63B165 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2174-ЭМ63Б165ТС-5ИСГТР | EAR99 | 8542.32.0028 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 4,5 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 10 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)