SIC
close

Память(238)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
MR0A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR0A16AYS35R 11.7705
запросить цену
 ECAD 2636 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR0A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается MR0A16AYS35РЕВ EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 64К х 16 Параллельно 35нс
MR25H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40CDFR 17.3550
запросить цену
 ECAD 4788 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка МР25Х40 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 4 Мбит БАРАН 512К х 8 СПИ -
MR2A16AYS35R Everspin Technologies Inc. МР2А16АЙС35Р 24.6150
запросить цену
 ECAD 1839 г. 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР2А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается МР2А16АЙС35РЕВ EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 256К х 16 Параллельно 35нс
EM032LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1T 42.4700
запросить цену
 ECAD 480 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM032LXOAB320IS1T EAR99 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 32 Мбит БАРАН 4М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR25H10CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H10CDFR 7,9950
запросить цену
 ECAD 7598 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H10 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит БАРАН 128 КБ х 8 СПИ -
MR1A16AVYS35 Everspin Technologies Inc. МР1А16АВИС35 23.7700
запросить цену
 ECAD 270 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР1А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 2Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 16 Параллельно 35нс
EM016LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1R 18.6200
запросить цену
 ECAD 2388 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM016LXOAB320CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4000 200 МГц Энергонезависимый 16Мбит БАРАН 2М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR3A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. MR3A16AUYS45R 39.1200
запросить цену
 ECAD 2537 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR3A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR3A16AUYS45РТР EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 8 Мбит 45 нс БАРАН 512К х 16 Параллельно 35нс
EM032LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1R 31.4250
запросить цену
 ECAD 5991 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM032LXQAB313IS1RTR EAR99 8542.32.0071 4000 200 МГц Энергонезависимый 32 Мбит БАРАН 4М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR5A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. МР5А16АКМА35Р 60.3421
запросить цену
 ECAD 1168 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР5А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР5А16АКМА35РТР EAR99 8542.32.0071 2500 Энергонезависимый 32 Мбит 35 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 35нс
MR5A16AUMA45R Everspin Technologies Inc. МР5А16АУМА45Р 77,9850
запросить цену
 ECAD 2331 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР5А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР5А16АУМА45РТР EAR99 8542.32.0071 2500 Энергонезависимый 32 Мбит 45 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 45нс
MR25H10MDF Everspin Technologies Inc. МР25Х10МДФ 12.4100
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H10 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1042 EAR99 8542.32.0071 570 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит БАРАН 128 КБ х 8 СПИ -
MR256DL08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR256DL08BMA45R 7.3650
запросить цену
 ECAD 6273 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR256DL08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. Энергонезависимый 256Кбит 45 нс БАРАН 32К х 8 Параллельно 45нс
MR2A08AYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35R 24.6450
запросить цену
 ECAD 9921 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR2A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 8 Параллельно 35нс
MR4A16BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35R 50.4600
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR4A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 16Мбит 35 нс БАРАН 1М х 16 Параллельно 35нс
EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
запросить цену
 ECAD 4663 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM032LXQADG13CS1RTR EAR99 8542.32.0071 2000 г. 200 МГц Энергонезависимый 32 Мбит БАРАН 4М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR256A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCYS35 7,7613
запросить цену
 ECAD 5982 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR256A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1025 EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 256Кбит 35 нс БАРАН 32К х 8 Параллельно 35нс
MR25H40MDFR Everspin Technologies Inc. МР25Х40МДФР 30,6750
запросить цену
 ECAD 6246 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка МР25Х40 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 4 Мбит БАРАН 512К х 8 СПИ -
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
запросить цену
 ECAD 8541 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM064LXQADG13CS1RTR EAR99 8542.32.0071 2000 г. 200 МГц Энергонезависимый 64 Мбит БАРАН 8М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35 24,9685
запросить цену
 ECAD 3561 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR3A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР3А16АЙС35 EAR99 8542.32.0071 108 Энергонезависимый 8 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 16 Параллельно 35нс
MR10Q010VMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMBR 8,8950
запросить цену
 ECAD 4354 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ЛБГА MR10Q010 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 24-БГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR10Q010ВМБРТР EAR99 8542.32.0071 1000 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит 7 нс БАРАН 128 КБ х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
MR2A16AYS35 Everspin Technologies Inc. МР2А16АЙС35 31.5700
запросить цену
 ECAD 9273 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР2А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 256К х 16 Параллельно 35нс
MR0DL08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45R 15.0290
запросить цену
 ECAD 5791 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR0DL08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. Энергонезависимый 1 Мбит 45 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 45нс
MR3A16AMA35 Everspin Technologies Inc. МР3А16АМА35 24.5941
запросить цену
 ECAD 2619 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR3A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР3А16АМА35 EAR99 8542.32.0071 240 Энергонезависимый 8 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 16 Параллельно 35нс
EM008LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1T 20.1000
запросить цену
 ECAD 4685 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM008LXOAB320IS1T EAR99 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 8 Мбит БАРАН 1М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR4A08BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A08BUYS45 48.3600
запросить цену
 ECAD 6499 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR4A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR4A08BUYS45 EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 16Мбит 45 нс БАРАН 2М х 8 Параллельно 45нс
MR0A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35R 12,7946
запросить цену
 ECAD 6202 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR0A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 35нс
MR25H40VDFR Everspin Technologies Inc. МР25Х40ВДФР 20.1096
запросить цену
 ECAD 4604 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка МР25Х40 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР25Х40ВДФРТР EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 4 Мбит 9 нс БАРАН 512К х 8 СПИ -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.