SIC
close

Память(238)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
MR2A08ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A08ACMA35R 23,6740
запросить цену
 ECAD 6138 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR2A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 8 Параллельно 35нс
MR4A16BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45R 47.0550
запросить цену
 ECAD 3140 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR4A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR4A16BUYS45RTR EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 16Мбит 45 нс БАРАН 1М х 16 Параллельно 45нс
MR0A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35 13.1995 г.
запросить цену
 ECAD 7847 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR0A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1035 EAR99 8542.32.0071 348 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 35нс
MR0A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35 -
запросить цену
 ECAD 9529 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) MR0A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 32-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 108 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 35нс
MR4A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35R 46,9950
запросить цену
 ECAD 2126 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR4A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) скачать Соответствует ROHS3 5 (48 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2500 Энергонезависимый 16Мбит 35 нс БАРАН 2М х 8 Параллельно 35нс
MR0A08BSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BSO35 -
запросить цену
 ECAD 7913 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) MR0A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 32-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1027 EAR99 8542.32.0071 108 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 35нс
MR25H128AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDFR 8.8200
запросить цену
 ECAD 2186 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H128 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР25Х128АМДФРТР EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 128Кбит БАРАН 16К х 8 СПИ -
EM064LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1T 44.9250
запросить цену
 ECAD 9870 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM064LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200 МГц Энергонезависимый 64 Мбит БАРАН 8М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR0A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. MR0A16AVYS35R 15.5400
запросить цену
 ECAD 1896 г. 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR0A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 64К х 16 Параллельно 35нс
MR5A16AUMA45 Everspin Technologies Inc. МР5А16АУМА45 77,7900
запросить цену
 ECAD 2907 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР5А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 6 (время на этикетке) REACH не касается 819-МР5А16АУМА45 EAR99 8542.32.0071 240 Энергонезависимый 32 Мбит 45 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 45нс
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
запросить цену
 ECAD 9488 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR4A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR4A16BUYS45 EAR99 8542.32.0071 108 Энергонезависимый 16Мбит 45 нс БАРАН 1М х 16 Параллельно 45нс
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. МР1А16АМА35 15,3663
запросить цену
 ECAD 7734 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР1А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР1А16АМА35 EAR99 8542.32.0071 348 Энергонезависимый 2Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 16 Параллельно 35нс
EM064LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1T 44.9250
запросить цену
 ECAD 3357 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM064LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 64 Мбит БАРАН 8М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR25H10CDF Everspin Technologies Inc. MR25H10CDF 9.7900
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H10 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1039 EAR99 8542.32.0071 570 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит БАРАН 128 КБ х 8 СПИ -
EM008LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1R 19.0500
запросить цену
 ECAD 5008 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM008LXQADG13IS1RTR EAR99 8542.32.0071 2000 г. 200 МГц Энергонезависимый 8 Мбит БАРАН 1М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR25H128APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128APDFR 7.3200
запросить цену
 ECAD 8547 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный MR25H128 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
запросить цену
 ECAD 334 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR3A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR3A16ACMA35 EAR99 8542.32.0071 240 Энергонезависимый 8 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 16 Параллельно 35нс
EM004LXQBDH13CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXQBDH13CS1T 15.2500
запросить цену
 ECAD 1233 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM004LXQBDH13CS1T 570 200 МГц Энергонезависимый 4 Мбит 7 нс БАРАН 512К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. МР1А16АЙС35Р 17.2350
запросить цену
 ECAD 6299 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР1А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР1А16АЙС35РТР EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 2Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 16 Параллельно 35нс
EM016LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1T 19,5696
запросить цену
 ECAD 4890 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM016LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200 МГц Энергонезависимый 16Мбит БАРАН 2М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
EM032LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1T 31.4250
запросить цену
 ECAD 8182 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM032LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 32 Мбит БАРАН 4М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
EM008LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1T 19.0500
запросить цену
 ECAD 3932 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM008LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200 МГц Энергонезависимый 8 Мбит БАРАН 1М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
EM032LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1R 30.9000
запросить цену
 ECAD 1283 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM032LXOAB320CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4000 200 МГц Энергонезависимый 32 Мбит БАРАН 4М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR1A16AYS35 Everspin Technologies Inc. МР1А16АЙС35 22.4000
запросить цену
 ECAD 265 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР1А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 2Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 16 Параллельно 35нс
MR25H256AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDFR 8.5386
запросить цену
 ECAD 9234 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H256 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР25Х256АМДФРТР EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 256Кбит 9 нс БАРАН 32К х 8 СПИ -
MR25H256ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDF 5.9100
запросить цену
 ECAD 16 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H256 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1064 EAR99 8542.32.0071 570 40 МГц Энергонезависимый 256Кбит БАРАН 32К х 8 СПИ -
MR10Q010SCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010SCR 7.0944
запросить цену
 ECAD 5497 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) MR10Q010 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR10Q010SCRTR EAR99 8542.32.0071 1000 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит 7 нс БАРАН 128 КБ х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
MR4A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BYS35R 31,6650
запросить цену
 ECAD 1539 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR4A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 16Мбит 35 нс БАРАН 2М х 8 Параллельно 35нс
EM008LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1T 19.0500
запросить цену
 ECAD 5387 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM008LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 8 Мбит БАРАН 1М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR5A16AMA35 Everspin Technologies Inc. МР5А16АМА35 63,9000
запросить цену
 ECAD 8661 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР5А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР5А16АМА35 EAR99 8542.32.0071 240 Энергонезависимый 32 Мбит 35 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 35нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.