SIC
close

Память(238)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
MR20H40DFR Everspin Technologies Inc. MR20H40DFR -
запросить цену
 ECAD 1326 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка МР20Х40 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 50 МГц Энергонезависимый 4 Мбит БАРАН 512К х 8 СПИ -
EMD3D256M08G1-150CBS1 Everspin Technologies Inc. EMD3D256M08G1-150CBS1 55,9878
запросить цену
 ECAD 2122 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1425 В ~ 1575 В 78-БГА (10х13) - Соответствует ROHS3 819-EMD3D256M08G1-150CBS1 190 667 МГц Энергонезависимый 256Мбит 14 нс БАРАН 32М х 8 Параллельно -
EMD4E001G16G2-150CAS2R Everspin Technologies Inc. EMD4E001G16G2-150CAS2R 106.4000
запросить цену
 ECAD 4256 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,14 В ~ 1,26 В 96-БГА (10х13) - Соответствует ROHS3 819-EMD4E001G16G2-150CAS2RTR 2000 г. 667 МГц Энергонезависимый 1Гбит 18 нс БАРАН 128М х 8 Параллельно 15нс
MR256A08BSO35R Everspin Technologies Inc. МР256А08БСО35Р -
запросить цену
 ECAD 4555 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) MR256A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 32-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 256Кбит 35 нс БАРАН 32К х 8 Параллельно 35нс
MR0A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AYS35 17.4100
запросить цену
 ECAD 7789 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR0A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 64К х 16 Параллельно 35нс
MR0A16AMA35R Everspin Technologies Inc. МР0А16АМА35Р 13.0950
запросить цену
 ECAD 8922 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR0A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 64К х 16 Параллельно 35нс
MR0D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0D08BMA45 15.7200
запросить цену
 ECAD 8124 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR0D08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1031 EAR99 8542.32.0071 348 Энергонезависимый 1 Мбит 45 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 45нс
MR2A08AYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35 31.5300
запросить цену
 ECAD 729 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR2A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1004 EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 8 Параллельно 35нс
MR3A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR3A16ACYS35R 31.3650
запросить цену
 ECAD 6440 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR3A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR3A16ACYS35RTR EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 8 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 16 Параллельно 35нс
MR5A16AYS35R Everspin Technologies Inc. МР5А16АЙС35Р 64.0950
запросить цену
 ECAD 5139 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР5А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-МР5А16АЙС35РТР EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 32 Мбит 35 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 35нс
MR2A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A16AMYS35 31.5150
запросить цену
 ECAD 7756 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР2А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 256К х 16 Параллельно 35нс
MR4A08BYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BYS35 37,6200
запросить цену
 ECAD 8937 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR4A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 16Мбит 35 нс БАРАН 2М х 8 Параллельно 35нс
MR256A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35 -
запросить цену
 ECAD 1599 г. 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) MR256A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 32-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 108 Энергонезависимый 256Кбит 35 нс БАРАН 32К х 8 Параллельно 35нс
MR25H256APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256APDFR 7.2219
запросить цену
 ECAD 7247 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MR25H256 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Малый флаг (5х6) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR25H256APDFRTR EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 256Кбит 9 нс БАРАН 32К х 8 СПИ -
MR25H10MDCR Everspin Technologies Inc. MR25H10MDCR 10.2900
запросить цену
 ECAD 3277 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТДФН Открытая площадка MR25H10 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 8-ДФН-ЭП, Большой флаг (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит БАРАН 128 КБ х 8 СПИ -
MR2A08ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08ACYS35 32.1800
запросить цену
 ECAD 626 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR2A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1003 EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 8 Параллельно 35нс
EM008LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1T 15,8270
запросить цену
 ECAD 2686 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 24-ТБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM008LXQAB313CS1T EAR99 8542.32.0071 480 200 МГц Энергонезависимый 8 Мбит БАРАН 1М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR256A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35 11.7600
запросить цену
 ECAD 696 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR256A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1036 EAR99 8542.32.0071 348 Энергонезависимый 256Кбит 35 нс БАРАН 32К х 8 Параллельно 35нс
MR2A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AMYS35R 31,8450
запросить цену
 ECAD 8902 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МР2А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 256К х 16 Параллельно 35нс
MR0A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BMA35 13.0680
запросить цену
 ECAD 6185 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR0A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1030 EAR99 8542.32.0071 348 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 128 КБ х 8 Параллельно 35нс
EM016LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1R 19.9500
запросить цену
 ECAD 5899 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM016LXQADG13CS1RTR EAR99 8542.32.0071 2000 г. 200 МГц Энергонезависимый 16Мбит БАРАН 2М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
MR0A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR0A16ACYS35R 12,5286
запросить цену
 ECAD 2172 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR0A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 1 Мбит 35 нс БАРАН 64К х 16 Параллельно 35нс
MR3A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35R 32.1600
запросить цену
 ECAD 6879 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR3A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-MR3A16ACMA35РТР EAR99 8542.32.0071 2500 Энергонезависимый 8 Мбит 35 нс БАРАН 512К х 16 Параллельно 35нс
MR2A16AMA35 Everspin Technologies Inc. МР2А16АМА35 29.4900
запросить цену
 ECAD 489 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР2А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1018 EAR99 8542.32.0071 348 Энергонезависимый 4 Мбит 35 нс БАРАН 256К х 16 Параллельно 35нс
MR4A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BMA35R 41.0250
запросить цену
 ECAD 6881 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR4A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) скачать Соответствует ROHS3 5 (48 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2500 Энергонезависимый 16Мбит 35 нс БАРАН 2М х 8 Параллельно 35нс
MR256A08BYS35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BYS35 9.9100
запросить цену
 ECAD 934 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MR256A08 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1024 EAR99 8542.32.0071 135 Энергонезависимый 256Кбит 35 нс БАРАН 32К х 8 Параллельно 35нс
EM032LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13IS1T 31.4250
запросить цену
 ECAD 2431 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. EMxxLX Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1,65 В ~ 2 В 8-ДФН (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 819-EM032LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200 МГц Энергонезависимый 32 Мбит БАРАН 4М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод -
EMD3D256M16G2-150CBS1 Everspin Technologies Inc. EMD3D256M16G2-150CBS1 55,9878
запросить цену
 ECAD 2717 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный 0°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1425 В ~ 1575 В 96-БГА (10х13) - Соответствует ROHS3 819-EMD3D256M16G2-150CBS1 190 667 МГц Энергонезависимый 256Мбит 14 нс БАРАН 16М х 16 Параллельно -
EMD3D256M16G2-150CBS1R Everspin Technologies Inc. EMD3D256M16G2-150CBS1R 54,6364
запросить цену
 ECAD 3816 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 1425 В ~ 1575 В 96-БГА (10х13) - Соответствует ROHS3 819-EMD3D256M16G2-150CBS1RTR 2000 г. 667 МГц Энергонезависимый 256Мбит 14 нс БАРАН 16М х 16 Параллельно -
MR4A16BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCMA35 55,8900
запросить цену
 ECAD 850 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА MR4A16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 819-1016 EAR99 8542.32.0071 240 Энергонезависимый 16Мбит 35 нс БАРАН 1М х 16 Параллельно 35нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.