- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(5712)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ИС43ДР16640А-3ДБИ | - |  | 4090 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ИС43ДР16640 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-TWBGA (8х13,65) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ДР16640А-3ДБИ | УСТАРЕВШИЙ | 209 | 333 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 450 пс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | IS66WVH16M8DALL-166B1LI | 5.0400 | | 6 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ИС66ВВХ16М8 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 166 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 36 нс | ПСРАМ | 16М х 8 | Параллельно | 36нс | ||
 | ИС43ЛД32128А-25БПЛИ-ТР | - | | 2586 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ВФБГА | ИС43ЛД32128 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 168-ВФБГА (12х12) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS43LD32128A-25BPLI-ТР | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 400 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 5,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ХСУЛ_12 | 15 нс | ||
 | ИС93К66А-2ГРЛИ | - | | 2049 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93С66А | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1051-5 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8, 256 х 16 | Микропровод | 5 мс | ||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55Б2И | - | | 9201 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS62WV12816 | SRAM — асинхронный | 2,5 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС62ВВ12816БЛЛ-55Б2И | УСТАРЕВШИЙ | 480 | Неустойчивый | 2Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 16 | Параллельно | 55нс | |||
 | ИС62К1024АЛ-35ТЛИ | 2.4500 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ИС62К1024 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | Неустойчивый | 1Мбит | 35 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 35 нс | |||
| ИС61ВВ25616ФБЛЛ-10БЛИ | 2,9982 | | 9060 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС61ВВ25616ФБЛЛ-10БЛИ | 480 | Неустойчивый | 4Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||
 | ИС43ТР85120АЛ-107МБЛ-ТР | - | | 6772 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR85120 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-TWBGA (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ТР85120АЛ-107МБЛ-ТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
| ИС62ВВ1288ДБЛЛ-45ТЛИ-ТР | - | | 9364 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ИС62ВВ1288 | SRAM — асинхронный | 2,3 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 1Мбит | 45 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 45нс | |||
| IS61WV51216EEALL-20TLI | 7,4957 | | 7133 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS61WV51216EEALL-20TLI | 135 | Неустойчивый | 8 Мбит | 20 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||||
 | ИС45С32800Д-7БЛА1 | - | | 1146 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС45С32400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 8 | Параллельно | - | ||
 | IS62WV25616EALL-55BLI-TR | 4.1409 | | 1999 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | ИС62ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 4Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
| ИС42С32400Э-7БЛИ | - | | 2186 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС61ВПС51236А-200Б3И | - | | 3299 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61VPS51236 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
| IS49NLC96400A-18WBL | 52.0065 | | 8723 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-TWBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS49NLC96400A-18WBL | 104 | 533 МГц | Неустойчивый | 576Мбит | 15 нс | ДРАМ | 64М х 9 | ХСТЛ | - | ||||
| IS29GL032-70BLED-TR | 2,6208 | | 6804 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS29GL032-70BLED-TR | 2500 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | CFI | 70нс | ||||||
 | ИС62ВВ25616БЛЛ-55ТЛИ-ТР | 4.4700 | | 45 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС62ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 2,5 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
| ИС43ЛД32128Б-25БПЛИ-ТР | 12.4500 | | 8543 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ВФБГА | ИС43ЛД32128 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 168-ВФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS43LD32128B-25BPLI-ТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 400 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 5,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ХСУЛ_12 | 15 нс | |
| ИС61НЛФ102418-6.5Б3И-ТР | - | | 1120 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61NLF102418 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
| IS62WV10248DBLL-55TLI-TR | - | | 6132 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS62WV10248 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 8 Мбит | 55 нс | СРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 55нс | |||
| IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 8,5785 | | 7042 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС61ВВ102416ФБЛЛ-10Б2ЛИ-ТР | 2500 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||
 | ИС49НЛС96400-25БИ | - | | 9190 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLS96400 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-FCBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 МГц | Неустойчивый | 576Мбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 9 | Параллельно | - | ||
| ИС62ВВ51216ХБЛЛ-45Б2ЛИ | 5.5800 | | 460 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI | 480 | Неустойчивый | 8 Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 45нс | ||||||
| ИС49НЛК93200-25БЛ | - | | 7720 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLC93200 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-FCBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 32М х 9 | Параллельно | - | ||
| ИС42С32200Л-7БЛИ-ТР | 4,0648 | | 9176 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС42С16400Д-6БЛ-ТР | - | | 2162 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС42С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 60-МиниBGA (6,4х10,1) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | - | ||
| ИС43ТР85120А-107МБЛ-ТР | - | | 7116 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR85120 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-TWBGA (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ТР85120А-107МБЛ-ТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
 | ИС46ТР16640Б-107МБЛА2-ТР | - | | 3129 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС46ТР16640Б-107МБЛА2-ТР | EAR99 | 8542.32.0032 | 1500 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
| ИС49НЛС18160А-25ВБЛ | 27,7833 | | 1384 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-TWBGA (11х18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS49NLS18160A-25WBL | 104 | 400 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 16М х 18 | ХСТЛ | - | ||||
 | IS21TF08G-JQLI-TR | - | | 5695 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | IS21TF08G | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LFBGA (14x18) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 200 МГц | Энергонезависимый | 64Гбит | ВСПЫШКА | 8Г х 8 | ММК | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)