- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталанский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(5712)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46LR32160B-6BLA1-TR | - |  | 9473 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС46LR32160 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | 12нс | ||
 | IS64WV102416BLL-10MA3-TR | - | | 3772 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS64WV102416 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9x11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
 | ИС29ГЛ128-70СЛЕТ | 7.8000 | | 5 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ИС29ГЛ128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС29ГЛ128-70СЛЕТ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 128Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | 200 мкс | ||
 | ИС43Р32800Д-5БИ | - | | 4036 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ЛФБГА | ИС43Р32800 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 144-ЛФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 189 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | 15нс | ||
| ИС42С32160А-75БЛ | - | | 9680 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ЛФБГА | ИС42С32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ЛФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1061 | EAR99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | |
 | ИС43Р86400Д-5ТЛИ | 8.3656 | | 2664 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р86400 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
 | IS25WX128-JHLE | 3.3203 | | 3870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | IS25WX128 | ВСПЫШКА | 1,7 В ~ 2 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS25WX128-JHLE | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 200 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — восьмеричный ввод-вывод | - | ||
| ИС45С32200Э-7БЛА1 | - | | 4885 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС45С32200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС45С16400ДЖ-6БЛА1 | 4,2265 | | 7164 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС45С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС46ДР16320Е-3ДБЛА1 | 5.1360 | | 9989 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ИС46ДР16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-TWBGA (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 450 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
 | IS37SML01G1-LLI-TR | 3,5652 | | 7397 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | IS37SML01 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | СПИ | - | ||
 | IS61LF6436A-8.5TQI-TR | - | | 4289 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS61LF6436 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 90 МГц | Неустойчивый | 2Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 64К х 36 | Параллельно | - | ||
 | ИС41ЛВ16100Д-50КЛИ-ТР | - | | 3506 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 42-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС41ЛВ16100 | ДРАМ - ЭДО | 3 В ~ 3,6 В | 42-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | Неустойчивый | 16Мбит | 25 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | |||
| ИС42С32200Л-7Б | - | | 7440 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС46ТР16640БЛ-125ДЖБЛА1 | - | | 1957 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС29ГЛ128-70ФЛЕБ | 7.2900 | | 288 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | ИС29ГЛ128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ЛФБГА (11х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС29ГЛ128-70ФЛЕБ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 144 | Энергонезависимый | 128Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | 200 мкс | ||
| ИС43ТР16128Б-15ХБЛИ | - | | 8940 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
| IS62WV5128EBLL-45QLI-TR | 4.0037 | | 2398 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) | ИС62ВВ5128 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 32-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 45нс | |||
 | ИС45С32400Е-7ТЛА2-ТР | - | | 1169 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС45С32400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1500 | 143 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС45С16100Э-7БЛА1 | - | | 2165 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС45С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 60-ТФБГА (6,4х10,1) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||
 | IS25LQ020B-JBLE | - | | 8405 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | IS25LQ020 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1317 | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 800 мкс | ||
 | IS61WV51216EDALL-20TLI | 12.2476 | | 6509 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS61WV51216 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 8 Мбит | 20 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 20 нс | |||
| IS65WV25616EBLL-55CTLA3 | - | | 1996 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС65ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
| ИС42ВМ16160К-75БЛИ | 6.6300 | | 5 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42ВМ16160 | SDRAM – мобильная версия | 1,7 В ~ 1,95 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1313 | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | |
| ИС42С32800Б-6БЛ | - | | 5812 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||
| IS46TR16640BL-125JBLA2-TR | - | | 7854 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1500 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС61ЛФ51236А-6.5Б3И-ТР | - | | 6667 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61LF51236 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
 | ИС43Р16160Ф-6БЛ-ТР | 3,6992 | | 3721 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
| ИС42СМ16800Г-75БИ | - | | 5805 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42СМ16800 | SDRAM – мобильная версия | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 6 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС45С16320Д-7КТЛА1 | 20.0828 | | 4678 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС45С16320 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)