- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(5712)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ИС61К6416АЛ-12ТЛИ | 2.4500 |  | 4 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС61К6416 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 12нс | |||
 | ИС42С32160Ф-6БЛИ | 15.8300 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС42СМ32400Г-75БИ | - | | 2457 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42СМ32400 | SDRAM – мобильная версия | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 6 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС42С32800Д-6БЛИ-ТР | - | | 1521 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС61КДБ42М18-250М3 | - | | 6649 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | IS61QDB42 | SRAM – синхронный, QUAD | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||
 | IS25LP032D-JLLE | 1,4400 | | 1041 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | ИС25ЛП032 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||
 | IS45S16160G-7CTLA1-TR | 5,8156 | | 5788 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС45С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 1500 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | ||
 | IS25LP032D-JMLE | - | | 8681 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | ИС25ЛП032 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 44 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||
 | ИС61НЛП25618А-200Б3ЛИ | 9.8704 | | 4070 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИС61НЛП25618 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ПБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | ||
 | ИС43Р83200Ф-5ТЛ | 3.0705 | | 1726 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р83200 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 32М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС46ДР16320Д-3ДБЛА1 | 6.4315 | | 4911 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ИС46ДР16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-TWBGA (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 450 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
| ИС42РМ32160С-75БЛИ-ТР | - | | 1102 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ЛФБГА | ИС42РМ32160 | SDRAM – мобильная версия | 2,3 В ~ 3 В | 90-ШБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС42С32160К-6БЛИ-ТР | - | | 3844 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ЛФБГА | ИС42С32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ШБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС46Р16160Ф-6ТЛА2 | 5,3646 | | 6088 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС46Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR | 4,6281 | | 6802 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | IS62WV51216 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 8 Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
| ИС66ВВ51216ДБЛЛ-70ТЛИ | - | | 8722 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS66WV51216 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,5 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 8 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 70нс | |||
 | IS25WP032D-JBLE | 1.2500 | | 16 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | IS25WP032 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 90 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||
| ИС61ДДП2Б22М36А-400М3Л | 100.1770 | | 2518 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | ИС61ДДП2 | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | |||
| ИС45С16400Ф-7ТЛА1 | - | | 3736 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС45С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС61ЛВ12824-10ТК | - | | 3400 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИС61ЛВ12824 | SRAM — асинхронный | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Неустойчивый | 3Мбит | 10 нс | СРАМ | 128К х 24 | Параллельно | 10 нс | |||
 | ИС61НЛП102418Б-250Б3ЛИ-ТР | 18.0600 | | 1912 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИС61НЛП102418 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
 | ИС42С32200К1-55ТЛ-ТР | - | | 8928 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32200 | SDRAM | 3,15 В ~ 3,45 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1500 | 183 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС42С32800ДЖ-7БЛИ | 7.8300 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС61НЛФ25636А-7.5ТКИ | - | | 2392 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS61NLF25636 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
| ИС42С16800Д-75ЭТЛ-ТР | - | | 5198 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1500 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 6,5 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | - | ||
| IS34MW02G084-БЛИ-ТР | 4.3621 | | 4179 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-ВФБГА (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS34MW02G084-БЛИ-ТР | 2500 | Энергонезависимый | 2Гбит | 30 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | 45нс | ||||||
 | ИС46Р16160Д-5БЛА1-ТР | 6.4350 | | 5248 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС46Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
| ИС61ВПД102418А-200Б3И | - | | 9377 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИС61ВПД102418 | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 2375 В ~ 2625 В | 165-ПБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
| ИС42С32200К1-7ТЛ-ТР | - | | 5089 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32200 | SDRAM | 3,15 В ~ 3,45 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1500 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС43ЛР16320Б-6БЛИ-ТР | - | | 9237 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43LR16320 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 60-ТФБГА (8х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2000 г. | 166 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 12нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)