- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(5712)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ИС64ВВ102416БЛЛ-10МЛА3 | 26.2419 |  | 2657 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS64WV102416 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
 | IS62C1024AL-35QLI-TR | 2,6100 | | 8 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) | ИС62К1024 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 35 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 35нс | |||
 | ИС43ТР16640БЛ-125ДЖБЛ | - | | 1823 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС46ЛД32128Б-25БПЛА1 | - | | 8282 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ВФБГА | ИС46ЛД32128 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 168-ВФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС46ЛД32128Б-25БПЛА1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 5,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ХСУЛ_12 | 15 нс | |
 | IS61WV102416FBLL-8BLI | 9.7363 | | 1319 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС61ВВ102416ФБЛЛ-8БЛИ | 480 | Неустойчивый | 16Мбит | 8 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 8нс | ||||||
| IS25WP256E-JLLE | 4.0444 | | 5161 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS25WP256E-JLLE | 480 | 166 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 50 мкс, 1 мс | ||||||
 | ИС42С32160Ф-7ТЛИ | 15.0000 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС46ЛД32128Б-25БПЛА2-ТР | - | | 6181 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ВФБГА | ИС46ЛД32128 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 168-ВФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС46ЛД32128Б-25БПЛА2-ТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 5,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ХСУЛ_12 | 15 нс | |
| IS46LQ16256A-062TBLA2 | 15.4924 | | 9664 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA2 | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | ДРАМ | 256М х 16 | ЛВСТЛ | - | ||||||
 | IS25LQ010B-JNLE | - | | 4301 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | IS25LQ010 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1322 | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 800 мкс | ||
| IS25WP128F-RHLA3 | 2,7864 | | 1408 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,65 В ~ 1,95 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS25WP128F-RHLA3 | 480 | 166 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 5,5 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 40 мкс, 800 мкс | |||||
| ИС42С32200Л-5ТЛ | 3,3234 | | 8405 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 4,8 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС42С16320Б-6ТЛ | - | | 2870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16320 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | - | ||
 | IS62WV1288DBLL-45QLI-TR | - | | 4917 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) | ИС62ВВ1288 | SRAM — асинхронный | 2,3 В ~ 3,6 В | 32-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 45 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 45нс | |||
 | ИС61ЛФ51236А-6.5Б2И-ТР | - | | 1420 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-ББГА | IS61LF51236 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
 | IS43LR32800F-6BL-TR | - | | 8135 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС43LR32800 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | 15 нс | ||
| ИС42С32160Ф-6БЛИ-ТР | 12.6600 | | 4218 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 167 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС43ЛР32800Х-6БЛИ-ТР | 4,9180 | | 8552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43ЛР32800Х-6БЛИ-ТР | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 8М х 32 | LVCMOS | 15 нс | |||||
 | ИС43ТР85120А-15ХБЛ-ТР | 5,8612 | | 6065 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR85120 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-TWBGA (9х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 667 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
| ИС45С32800ДЖ-7БЛА1-ТР | 7.5150 | | 7511 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС45С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 2500 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 8 | Параллельно | - | ||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | | 2364 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | IS62WV102416 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 16Мбит | 55 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 55нс | |||
 | ИС61ВВ2568ЕДБЛЛ-10БЛИ | 4,5984 | | 1465 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-ТФБГА | ИС61ВВ2568 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 36-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 2Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
 | ИС65ВВ25616БЛЛ-70ТЛА3-ТР | 8.0280 | | 5446 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС65ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 2,5 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 70 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 70нс | |||
 | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | - | | 9424 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ВФБГА | ИС66ВВК2М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 54-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
| IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | - | | 9472 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС46ЛК16256АЛ-062БЛА1-ТР | 2500 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 256М х 16 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||
| ИС42С32200К1-6Т-ТР | - | | 1902 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32200 | SDRAM | 3,15 В ~ 3,45 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1500 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС49НЛК18160-33БЛ | - | | 9571 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | IS49NLC18160 | РЛДРАМ 2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-TWBGA (11x18,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 МГц | Неустойчивый | 288 Мбит | 20 нс | ДРАМ | 16М х 18 | Параллельно | - | ||
| ИС62ВВС0648ФБЛЛ-20НЛИ-ТР | 2,0460 | | 6274 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | IS62WVS0648 | SRAM – синхронный, SDR | 2,2 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3000 | 20 МГц | Неустойчивый | 512Кбит | СРАМ | 64К х 8 | SPI — вход четырехвывода, SDI, DTR | - | |||
 | ИС61КДПБ42М18А-400М3Л | 71.5551 | | 1268 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | IS61QDPB42 | SRAM — синхронный, QUADP | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | 8,4 нс | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||
| ИС43ТР16640Б-15ГБЛИ | - | | 6224 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)