- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(5712)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ИС46ТР16128А-125КБЛА2 | - |  | 5775 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС43ДР86400С-25ДБЛИ | 6,8343 | | 4987 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43ДР86400 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС42С83200Б-6ТЛИ-ТР | - | | 9552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С83200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 8 | Параллельно | - | ||
 | ИС43Р86400Д-5ТЛИ-ТР | 7.8600 | | 8247 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р86400 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 1500 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
| ИС42С86400Б-7ТЛ | - | | 1688 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С86400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | - | ||
 | ИС43ТР16640ЭД-15ХБЛИ | 5.8300 | | 6587 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43ТР16640ЭД-15ХБЛИ | 190 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | SSTL_15 | 15 нс | |||||
| ИС66ВВЭ4М16ЕБЛЛ-70БЛИ-ТР | 3,6010 | | 7353 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВЭ4М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 64 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
| IS43QR85120B-083RBL | 9,8483 | | 1053 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-TWBGA (10x14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS43QR85120B-083RBL | 136 | 1,2 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 19 нс | ДРАМ | 512М х 8 | ПОД | 15 нс | |||||
 | ИС42С16100К1-5ТЛ | - | | 1225 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 200 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||
 | IS25WP016D-JNLE-TR | 0,7337 | | 2677 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | IS25WP016 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 3000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||
| IS62WV10248HBLL-45TLI | 5.3900 | | 6841 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS62WV10248HBLL-45TLI | 135 | Неустойчивый | 8 Мбит | 45 нс | СРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 45нс | ||||||
 | ИС42С16400Д-7БЛ | - | | 8155 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС42С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 60-МиниBGA (6,4х10,1) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | - | ||
| IS25LP020E-JNLA3-TR | 0,4537 | | 1090 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS25LP020E-JNLA3-TR | 3000 | |||||||||||||||||||
 | ИС64К25616АЛ-12КТЛА3 | 10.1940 | | 6242 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС64К25616 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | |||
 | ИС61КДП2Б42М18А-400М3Л | 75.0000 | | 9667 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | IS61QDP2 | SRAM — синхронный, QUADP | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | 8,4 нс | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||
| IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 15.4924 | | 7398 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 256М х 16 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||
 | IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | | 8985 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS61WV10248 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
| ИС43Р16160Д-5ТЛ | 4,7138 | | 3797 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС42С16160Д-7БИ | - | | 4213 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-TW-BGA (8x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС42РМ32400Г-75БЛИ-ТР | - | | 2249 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42РМ32400 | SDRAM – мобильная версия | 2,3 В ~ 3 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 6 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС66ВВ1М16ЕБЛЛ-55БЛИ-ТР | 3.1918 г. | | 8502 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВ1М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,5 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 16Мбит | 55 нс | ПСРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 55нс | |||
| IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | - | | 9240 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ТФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | 2500 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||
 | ИС49РЛ36160-093БЛИ | - | | 1398 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 168-ЛБГА | IS49RL36160 | ДРАМ | 1,28 В ~ 1,42 В | 168-ФБГА (13,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1066 ГГц | Неустойчивый | 576Мбит | 10 нс | ДРАМ | 16М х 36 | Параллельно | - | ||
| ИС29ЛВ032Б-70БЛИ | - | | 5354 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS29LV032B | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 480 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
| IS46LQ32640A-062BLA1-TR | - | | 1841 г. | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS46LQ32640A-062BLA1-ТР | 2500 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | ДРАМ | 64М х 32 | ЛВСТЛ | - | ||||||
| ИС46ТР16640БЛ-125КБЛА3 | - | | 6864 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 125°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС46ТР16640БЛ-125КБЛА3 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
| ИС61КДБ22М36А-250М3И | - | | 9029 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | IS61QDB22 | SRAM – синхронный, QUAD | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС61КДБ22М36А-250М3И | УСТАРЕВШИЙ | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 1,8 нс | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | ||
| IS25LQ512B-JVLE | - | | 4734 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | IS25LQ512 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВВСОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS25LQ512B-JVLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 64К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 800 мкс | |
| ИС42С32800Б-6БЛИ-ТР | - | | 7409 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС42С32160Ф-75ЭБЛИ | 13.0470 | | 4006 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)