SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
IS62WV5128EBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI-TR -
запросить цену
ECAD 2908 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 36-ТФБГА ИС62ВВ5128 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 36-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1 Неустойчивый 4 Мбит 45 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 45нс
IS49NLC96400-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС49НЛК96400-25БЛ -
запросить цену
ECAD 4659 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 144-ТФБГА IS49NLC96400 РЛДРАМ 2 1,7 В ~ 1,9 В 144-FCBGA (11х18,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 104 400 МГц Неустойчивый 576Мбит 20 нс ДРАМ 64М х 9 Параллельно -
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16512Б-125КБЛИ 26.1600
запросить цену
ECAD 658 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43TR16512 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-TWBGA (10x14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-1657 EAR99 8542.32.0036 136 800 МГц Неустойчивый 8Гбит 20 нс ДРАМ 512М х 16 Параллельно -
IS43R86400E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43Р86400Э-6ТЛ -
запросить цену
ECAD 2705 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 66-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS43R86400E-6TL 108 166 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 SSTL_2 15 нс
IS61VF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВФ102418А-7.5Б3 -
запросить цену
ECAD 9633 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА ИС61ВФ102418 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 МГц Неустойчивый 18 Мбит 7,5 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
IS46TR16640CL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС46ТР16640КЛ-107МБЛА2 4.1184
запросить цену
ECAD 1494 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS46TR16640 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-TWBGA (9x13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС46ТР16640КЛ-107МБЛА2 EAR99 8542.32.0032 190 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15 нс
IS61VPS102436A-166TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436A-166TQL-TR -
запросить цену
ECAD 7941 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИС61ВПС102436 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-LQFP (14x20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 МГц Неустойчивый 36Мбит 3,5 нс СРАМ 1М х 36 Параллельно -
IS46R16320D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС46Р16320Д-6ТЛА1 9.1584
запросить цену
ECAD 8151 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС46Р16320 SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 66-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 108 166 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 32М х 16 Параллельно 15 нс
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 3,0281
запросить цену
ECAD 6308 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 36-ТФБГА ИС61ВВ5128 SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 36-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 10 нс
IS62WV1288DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС62ВВ1288ДБЛЛ-45ТЛИ-ТР -
запросить цену
ECAD 9364 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) ИС62ВВ1288 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 32-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1500 Неустойчивый 1 Мбит 45 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 45нс
IS42S32400B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С32400Б-7Б-ТР -
запросить цену
ECAD 2537 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42С32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2500 143 МГц Неустойчивый 128Мбит 5,4 нс ДРАМ 4М х 32 Параллельно -
IS42S16800E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16800Э-6ТЛИ-ТР -
запросить цену
ECAD 4332 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 1500 166 МГц Неустойчивый 128Мбит 5,4 нс ДРАМ 8М х 16 Параллельно -
IS25WQ020-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-ИЮЛЬ-TR -
запросить цену
ECAD 4204 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка IS25WQ020 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-УСОН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Информация REACH предоставляется по запросу 2156-IS25WQ020-ИЮЛЬ-TR EAR99 8542.32.0071 1 104 МГц Энергонезависимый 2Мбит ВСПЫШКА 256К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1 мс
IS61LPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ЛПД51236А-250Б3-ТР -
запросить цену
ECAD 3461 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61LPD51236 SRAM — четырехпортовый, синхронный 3135 В ~ 3465 В 165-ПБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. 250 МГц Неустойчивый 18 Мбит 2,6 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
IS42S32800B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С32800Б-7ТИ -
запросить цену
ECAD 6833 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 86-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 108 143 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,5 нс ДРАМ 8М х 32 Параллельно -
IS61VF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ВФ102418А-6.5Б3 -
запросить цену
ECAD 6047 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА ИС61ВФ102418 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 МГц Неустойчивый 18 Мбит 6,5 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
IS42S16100F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16100Ф-7ТЛ -
запросить цену
ECAD 5979 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 50-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 117 143 МГц Неустойчивый 16Мбит 5,5 нс ДРАМ 1М х 16 Параллельно -
IS43LR16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ЛР16200Д-6БЛИ-ТР 2,7335
запросить цену
ECAD 5854 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА ИС43LR16200 SDRAM — мобильный LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В 60-ТФБГА (8х10) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2000 г. 166 МГц Неустойчивый 32 Мбит 5,5 нс ДРАМ 2М х 16 Параллельно 15 нс
IS42S16100H-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16100Х-7ТЛИ-ТР 1,5600
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 50-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0002 1000 143 МГц Неустойчивый 16Мбит 5,5 нс ДРАМ 1М х 16 Параллельно -
IS42VM32160D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42ВМ32160Д-75БЛИ-ТР -
запросить цену
ECAD 3245 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42ВМ32160 SDRAM – мобильная версия 1,7 В ~ 1,95 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 2500 133 МГц Неустойчивый 512 Мбит 6 нс ДРАМ 16М х 32 Параллельно -
IS62WV51216BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС62ВВ51216БЛЛ-55БИ -
запросить цену
ECAD 9324 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА IS62WV51216 SRAM — асинхронный 2,5 В ~ 3,6 В 48-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 312 Неустойчивый 8 Мбит 55 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 55нс
IS43QR16256A-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-083RBLI-TR -
запросить цену
ECAD 4541 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43QR16256 SDRAM-DDR4 1,14 В ~ 1,26 В 96-TWBGA (9x13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1500 1,2 ГГц Неустойчивый 4Гбит ДРАМ 256М х 16 Параллельно 15 нс
IS61LF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ЛФ102418А-7.5Б3 -
запросить цену
ECAD 9469 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61LF102418 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 МГц Неустойчивый 18 Мбит 7,5 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
IS42S16400D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16400Д-7БЛ-ТР -
запросить цену
ECAD 9709 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА ИС42С16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 60-МиниBGA (6,4х10,1) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 2500 143 МГц Неустойчивый 64 Мбит 5,4 нс ДРАМ 4М х 16 Параллельно -
IS42S83200J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С83200ДЖ-6ТЛИ 3,4679
запросить цену
ECAD 6835 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 108 166 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 32М х 8 Параллельно -
IS45S32200L-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС45С32200Л-6ТЛА2-ТР 4,8606
запросить цену
ECAD 7048 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС45С32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 86-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 1500 166 МГц Неустойчивый 64 Мбит 5,4 нс ДРАМ 2М х 32 Параллельно -
IS42SM32200K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42СМ32200К-6БЛИ -
запросить цену
ECAD 8241 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42СМ32200 SDRAM – мобильная версия 2,7 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 240 166 МГц Неустойчивый 64 Мбит 5,5 нс ДРАМ 2М х 32 Параллельно -
IS61NLF102418-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61НЛФ102418-6.5Б3 -
запросить цену
ECAD 2951 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61NLF102418 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 МГц Неустойчивый 18 Мбит 6,5 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
IS61LV2568L-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ЛВ2568Л-10ТЛ-ТР -
запросить цену
ECAD 1910 год 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС61ЛВ2568 SRAM — асинхронный 3,135 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 10 нс СРАМ 256К х 8 Параллельно 10 нс
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416EBLL-45BLI-TR 7.6151
запросить цену
ECAD 3860 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА IS62WV102416 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Неустойчивый 16Мбит 45 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 45нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе