- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(5712)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ИС43ТР82560С-125КБЛИ | 6,7721 |  | 3047 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR82560 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
 | IS25LP032D-JBLE-TR | 1,2200 | | 27 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | ИС25ЛП032 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||
 | IS43DR16128C-3DBL-TR | 6.7500 | | 1217 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | ИС43ДР16128 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-TWBGA (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 333 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 450 пс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС66ВВЭ2М16ЕАЛЛ-70БЛИ | 5.6100 | | 24 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВЭ2М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
 | ИС42С32800ДЖ-6ТЛ | 6.9700 | | 661 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32800 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 32 | Параллельно | - | ||
 | ИС43Р86400Д-5БЛИ-ТР | 8,9850 | | 9622 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43Р86400 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
 | IS61VF204836B-7.5TQLI | 123,9810 | | 8445 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИС61ВФ204836 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | ||
 | IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 2,2324 | | 6620 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR | 800 | Неустойчивый | 1 Мбит | 10 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||
 | ИС61ВПС51236Б-200Б3ЛИ-ТР | 15,6750 | | 6367 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61VPS51236 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
| ИС64ЛПС12832А-200ТКЛА3 | 13.3403 | | 2987 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS64LPS12832 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 МГц | Неустойчивый | 4 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 128К х 32 | Параллельно | - | ||
| ИС43ТР81280Б-107МБЛ | 5,9578 | | 9314 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
| ИС42С16400Э-7ТЛ | 1.1100 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | - | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-IS42S16400E-7TL | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | ЛВТТЛ | - | ||
 | ИС42С16320Ф-6ТЛ | 11.1649 | | 7691 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16320 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | - | ||
| IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | - | | 5024 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ТФБГА (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR | 2500 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||||
| ИС42С32400Ф-6Б | - | | 6205 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42С32400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | |||
 | ИС42РМ32400Г-75БЛИ-ТР | - | | 2249 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42РМ32400 | SDRAM – мобильная версия | 2,3 В ~ 3 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 6 нс | ДРАМ | 4М х 32 | Параллельно | - | ||
 | IS25LP128-JKLE-TR | 1,6825 | | 4236 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | ИС25ЛП128 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 1 мс | |||
| IS61NLP51236-250TQLI-TR | - | | 5723 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИС61НЛП51236 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 2,6 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
| IS66WVE2M16ALL-7010BLI | - | | 7351 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВЭ2М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
| IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 15.4924 | | 7398 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 256М х 16 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||
| IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | | 8985 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | IS61WV10248 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-миниBGA (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
 | ИС43Р16160Д-5ТЛ | 4,7138 | | 3797 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС43Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
 | ИС42С16100К1-5ТЛ | - | | 1225 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 200 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||
 | ИС42С16400Д-7БЛ | - | | 8155 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС42С16400 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 60-МиниBGA (6,4х10,1) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | - | ||
| IS25LP020E-JNLA3-TR | 0,4537 | | 1090 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS25LP020E-JNLA3-TR | 3000 | |||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ102418А-6.5Б3И-ТР | - | | 6418 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61LF102418 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
| IS61VPS51236A-200TQI | - | | 3534 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS61VPS51236 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
| IS61NVF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | | 3433 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИС61НВФ51236 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
| ИС43ТР82560Д-125КБЛИ | 4.8403 | | 7160 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS43TR82560 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ТР82560Д-125КБЛИ | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
 | ИС61ДДБ21М36К-300М3Л | - | | 3251 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | ИС61ДДБ21 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,71 В ~ 1,89 В | 165-ЛФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | 8,4 нс | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)