SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип полярного транзистора Ток - Макс. Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
PUMB24,115 NXP Semiconductors ПУМБ24 115 0,0200
запросить цену
ECAD 365 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПУМБ24 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПУМБ24,115-954 1
PSMN2R8-25MLC115 NXP Semiconductors ПСМН2Р8-25MLC115 -
запросить цену
ECAD 2760 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.29.0095 1
BZV55-B5V1,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б5В1,115 0,0200
запросить цену
ECAD 115 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б5В1,115-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
BZT52H-B3V6,115 NXP Semiconductors БЗТ52Х-Б3В6,115 0,0200
запросить цену
ECAD 2584 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-Б3В6,115-954 4000 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 95 Ом
PHK31NQ03LT,518 NXP Semiconductors PHK31NQ03LT,518 0,5400
запросить цену
ECAD 88 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СО скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PHK31NQ03LT,518-954 1 N-канал 30 В 30,4 А (Тс) 4,5 В, 10 В 4,4 мОм при 25 А, 10 В 2,15 В при 1 мА 33 НК при 4,5 В ±20 В 4235 пФ при 12 В - 6,9 Вт (Тс)
BZT52H-C30,115 NXP Semiconductors BZT52H-C30,115 0,0200
запросить цену
ECAD 157 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С30,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 21 В 30 В 40 Ом
PMV20EN215 NXP Semiconductors ПМВ20ЕН215 1,0000
запросить цену
ECAD 4213 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПМВ20ЕН215-954 1
PQMH9Z NXP Semiconductors PQMH9Z 0,0300
запросить цену
ECAD 8934 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж 6-XFDFN Открытая площадка 230мВт DFN1010B-6 - 2156-PQMH9Z 2592 50В 100 мА 1 мкА 2 NPN — с предварительным смещением 100 мВ при 250 мкА, 5 мА 100 при 5 мА, 5 В 230 МГц 10 кОм 47 кОм
BUK7Y98-80E,115 NXP Semiconductors БУК7Y98-80Е,115 -
запросить цену
ECAD 6769 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать REACH не касается 2156-БУК7Y98-80Э,115-954 1
BC857CMB,315 NXP Semiconductors BC857CMB,315 0,0200
запросить цену
ECAD 178 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-XFDFN BC857 250 мВт DFN1006B-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC857CMB, 315-954 EAR99 8541.21.0075 1 45 В 100 мА 15нА (ИКБО) ПНП 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 420 при 2 мА, 5 В 100 МГц
BZT52H-C22,115 NXP Semiconductors BZT52H-C22,115 0,0200
запросить цену
ECAD 60 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С22,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 15,4 В 22 В 25 Ом
1N4728A,113 NXP Semiconductors 1Н4728А,113 0,0300
запросить цену
ECAD 258 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-1Н4728А,113-954 1
BAP50-04W,115 NXP Semiconductors БАП50-04В,115 0,1100
запросить цену
ECAD 14 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -65°С ~ 150°С (ТДж) 2-СМД, без свинца CS300 - 2156-БАП50-04В,115 2645 50 мА 240 мВт 0,5 пФ @ 5 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 50В 5 Ом при 10 мА, 100 МГц
BC869-16115 NXP Semiconductors BC869-16115 0,1100
запросить цену
ECAD 67 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.29.0075 1
PZU4.7B2,115 NXP Semiconductors ПЗУ4.7Б2,115 -
запросить цену
ECAD 1077 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СК-90 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПЗУ4.7Б2,115-954 1 1,1 В при 100 мА 2 мкА при 1 В 4,7 В 80 Ом
BZX84-C51,215 NXP Semiconductors BZX84-C51,215 0,0200
запросить цену
ECAD 261 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C51,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 35,7 В 51 В 180 Ом
BAS16GW115 NXP Semiconductors БАС16GW115 1,0000
запросить цену
ECAD 6834 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БАС16 скачать EAR99 8541.10.0070 1
BZX79-B8V2,143 NXP Semiconductors BZX79-B8V2,143 0,0200
запросить цену
ECAD 125 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-B8V2,143-954 1 900 мВ при 10 мА 700 нА при 5 В 8,2 В 15 Ом
BZV55-C39,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С39,115 0,0200
запросить цену
ECAD 837 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С39,115-954 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 27,3 В 39 В 130 Ом
BZX79-C15,133 NXP Semiconductors BZX79-C15,133 0,0200
запросить цену
ECAD 244 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C15,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 10,5 В 15 В 30 Ом
BCM847DS,115 NXP Semiconductors БЦМ847ДС,115 0,0700
запросить цену
ECAD 6217 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БЦМ847 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCM847DS,115-954 1750 г.
BZV90-C10,115 NXP Semiconductors БЗВ90-С10,115 0,1700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА 1,5 Вт СОТ-223 скачать EAR99 8541.10.0050 1745 г. 1 В при 50 мА 200 нА при 7 В 10 В 20 Ом
BZX79-C3V9,143 NXP Semiconductors BZX79-C3V9,143 0,0200
запросить цену
ECAD 245 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C3V9,143-954 EAR99 8541.10.0050 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
PDTD123YQAZ NXP Semiconductors PDTD123YQAZ 0,0300
запросить цену
ECAD 24 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПДТД123 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПДТД123YQAZ-954 EAR99 8541.21.0075 1
PBSS5130QAZ NXP Semiconductors PBSS5130QAZ 0,0600
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-XDFN Открытая площадка 325 мВт DFN1010D-3 скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПБСС5130QAZ 1 30 В 1 А 100нА ПНП 240 мВ при 100 мА, 1 А 250 при 100 мА, 2 В 170 МГц
PMPB55ENEA/S500X NXP Semiconductors PMPB55ENEA/S500X -
запросить цену
ECAD 2132 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный - 2156-ПМПБ55ЭНЕА/С500С 1
BUK7219-55A,118 NXP Semiconductors БУК7219-55А,118 0,5400
запросить цену
ECAD 1712 г. 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК7219-55А,118-954 1 N-канал 55 В 55А (Тс) 10 В 19 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 1 мА ±20 В 2108 пФ при 25 В - 114 Вт (Тс)
BZV55-B3V0,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б3В0,115 0,0200
запросить цену
ECAD 86 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б3В0,115-954 1 900 мВ при 10 мА 10 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
1N4744A,133 NXP Semiconductors 1Н4744А,133 0,0400
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-1Н4744А,133-954 EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 11,4 В 15 В 14 Ом
BZX79-C47,133 NXP Semiconductors BZX79-C47,133 0,0200
запросить цену
ECAD 160 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C47,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 700 мВ 47 В 170 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе