SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение – Тест Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Коэффициент емкости Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
BZX84J-C68,115 NXP Semiconductors BZX84J-C68,115 0,0300
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84J-C68,115-954 11 823 1,1 В при 100 мА 50 нА при 47,6 В 68 В 160 Ом
BUK7E3R1-40E,127 NXP Semiconductors БУК7Е3Р1-40Э,127 0,7500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) И2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК7Э3Р1-40Э,127-954 1 N-канал 40 В 100А (Тс) 10 В 3,1 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 1 мА 79 НК при 10 В ±20 В 6200 пФ при 25 В - 234 Вт (Тс)
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
запросить цену
ECAD 3875 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 65 В Поверхностный монтаж ТО-270-16 Вариант, крыло чайки 920 МГц ~ 960 МГц ЛДМОС (двойной) ТО-270 WBL-16 ЧАЙКА - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 N-канала 10 мкА 285 мА 3,2 Вт 35,9 дБ - 28 В
PMST4401,115 NXP Semiconductors ПМСТ4401,115 -
запросить цену
ECAD 1398 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 200 мВт СОТ-323 скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПМСТ4401,115-954 1 40 В 600 мА 50нА (ИКБО) НПН 750 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 1 В 250 МГц
BZX79-C5V6,143 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,143 -
запросить цену
ECAD 5295 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX79-C5V6 400 мВт АЛФ2 скачать 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 2 В 5,6 В 40 Ом
NZH10C,115 NXP Semiconductors НЖ10С,115 0,0200
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±3% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123Ф 500 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЖ10С,115-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 8 Ом
BZX79-B75,133 NXP Semiconductors BZX79-B75,133 0,0200
запросить цену
ECAD 74 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС79-Б75,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
BZX84-C27,215 NXP Semiconductors BZX84-C27,215 -
запросить цену
ECAD 2500 0,00000000 НХП Полупроводники БЗХ84 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX84-C27,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 18,9 В 27 В 80 Ом
PDTA113ZU,115 NXP Semiconductors ПДТА113ЗУ,115 0,0200
запросить цену
ECAD 240 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПДТА113ЗУ,115-954 1
BCV62C,215 NXP Semiconductors БЦВ62С,215 0,1400
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БЦВ62 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCV62C, 215-954 EAR99 8541.21.0075 1
BAS321115 NXP Semiconductors БАС321115 1,0000
запросить цену
ECAD 1886 г. 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0070 1
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0,2000
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-XFBGA, WLCSP МОП-транзистор (оксид металла) 6-ВЛЦП (1,48х0,98) скачать EAR99 8541.29.0095 1528 P-канал 12 В 6,2А (Та) 1,8 В, 4,5 В 25 мОм при 3 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 29,4 НК при 4,5 В ±8 В 1400 пФ при 6 В - 556 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc)
BUK6218-40C,118 NXP Semiconductors БУК6218-40С,118 0,2200
запросить цену
ECAD 2350 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК6218-40С,118-954 1 N-канал 40 В 42А (Тс) 10 В 16 мОм при 10 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 22 НК при 10 В ±16 В 1170 пФ при 25 В - 60 Вт (Тс)
BC54-10PASX NXP Semiconductors BC54-10PASX 0,0600
запросить цену
ECAD 146 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 420 мВт DFN2020D-3 скачать EAR99 8541.29.0075 1 45 В 1 А 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 180 МГц
NZX14C,133 NXP Semiconductors NZX14C,133 0,0200
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС14К, 133-954 1 1,5 В @ 200 мА 50 нА при 9,8 В 14 В 35 Ом
BUK9675-100A,118 NXP Semiconductors БУК9675-100А,118 -
запросить цену
ECAD 6750 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БУК9675-100А,118-954 1 N-канал 100 В 23А (Тс) 5В, 10В 72 мОм при 10 А, 10 В 2 В @ 1 мА ±15 В 1704 пФ при 25 В - 99 Вт (Тс)
BZV85-C4V3,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С4В3,113 0,0300
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С4В3,113-954 1 1 В при 50 мА 5 мкА при 1 В 4,3 В 13 Ом
PMPB20EN/S500X NXP Semiconductors PMPB20EN/S500X 0,0700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-УДФН Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) DFN2020MD-6 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 2156-ПМПБ20ЕН/С500С EAR99 8541.21.0075 1 N-канал 30 В 7,2А (Та) 4,5 В, 10 В 19,5 мОм при 7 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 10,8 нк при 10 В ±20 В 435 пФ при 10 В - 1,7 Вт (Та), 12,5 Вт (Тс)
PMPB95ENEA/FX NXP Semiconductors PMPB95ENEA/FX 0,1200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-УДФН Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) DFN2020MD-6 скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMPB95ENEA/FX-954 1 N-канал 80 В 4,1А (Та) 4,5 В, 10 В 105 мОм при 2,8 А, 10 В 2,7 В при 250 мкА 14,9 нк при 10 В ±20 В 504 пФ при 40 В - 1,6 Вт (Та)
BCP51-10,135 NXP Semiconductors BCP51-10,135 -
запросить цену
ECAD 5939 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА BCP51 1 Вт СОТ-223 скачать 0000.00.0000 1 45 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 145 МГц
BZT52H-C6V2,115 NXP Semiconductors BZT52H-C6V2,115 0,0200
запросить цену
ECAD 41 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С6В2,115-954 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 4 В 6,2 В 10 Ом
PMCM6501VPE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VPE/S500Z 0,1900
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 1
BC807-25 NXP Semiconductors BC807-25 -
запросить цену
ECAD 2139 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт СОТ23-3 (ТО-236) - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BC807-25-954 1 45 В 500 мА 100нА (ИКБО) ПНП 700 мВ при 50 мА, 500 мА 160 при 100 мА, 1 В 80 МГц
BZV55-B27,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б27,115 0,0200
запросить цену
ECAD 125 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б27,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 18,9 В 27 В 80 Ом
NZX16C,133 NXP Semiconductors NZX16C,133 0,0200
запросить цену
ECAD 26 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС16К, 133-954 1 1,5 В @ 200 мА 50 нА при 11,2 В 16 В 45 Ом
BB131,115 NXP Semiconductors BB131,115 0,1000
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 СОД-323 скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ББ131,115 EAR99 8541.10.0070 1 1,055 пФ при 28 В, 1 МГц Одинокий 30 В 16 С0,5/С28 -
BUK6610-75C,118 NXP Semiconductors БУК6610-75С,118 0,4100
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК6610-75С,118-954 1 N-канал 75 В 78А (Тс) 10 В 10 мОм при 25 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 81 НК при 10 В ±16 В 5251 пФ при 25 В - 158 Вт (Тс)
BAV102,115 NXP Semiconductors БАБ102,115 0,0300
запросить цену
ECAD 52 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 Стандартный ЛЛДС; МиниМелф скачать REACH не касается 2156-БАВ102,115-954 11 357 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 150 В 1,25 В при 200 мА 50 нс 100 нА при 150 В 175°С (макс.) 250 мА 5 пФ @ 0 В, 1 МГц
PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors ПБСС5612ПА,115 0,1100
запросить цену
ECAD 99 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-PowerUDFN 2,1 Вт 3-ХУСОН (2х2) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПБСС5612ПА,115-954 1 12 В 6 А 100нА ПНП 300 мВ при 300 мА, 6 А 190 @ 2А, 2В 60 МГц
PDTC114EM,315 NXP Semiconductors ПДТК114ЕМ,315 -
запросить цену
ECAD 8997 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 250 мВт DFN1006-3 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-PDTC114EM,315-954 1 50 В 100 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 230 МГц 10 кОм 10 кОм
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе