SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение – Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход
BSP100,135 NXP Semiconductors 100 135 БСП 0,2000
запросить цену
ECAD 28 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-223 скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БСП100,135-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 30 В 3,2 А (Та) 4,5 В, 10 В 100 мОм при 2,2 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 6 нк @ 10 В ±20 В 250 пФ при 20 В - 8,3 Вт (Тс)
2PB1219AS,115 NXP Semiconductors 2ПБ1219АС,115 -
запросить цену
ECAD 6663 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-2ПБ1219АС,115-954 1
BZX84-C15/CH,235 NXP Semiconductors BZX84-C15/CH,235 0,0200
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0050 1
BZX585-C62,115 NXP Semiconductors BZX585-C62,115 0,0300
запросить цену
ECAD 96 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-C62,115-954 10 764 1,1 В при 100 мА 50 нА при 43,4 В 62 В 215 Ом
2N7002BKM/V,315 NXP Semiconductors 2Н7002БКМ/В,315 -
запросить цену
ECAD 9930 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный 2N7002 скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-2Н7002БКМ/В,315-954 1
1PS79SB31,115 NXP Semiconductors 1ПС79СБ31,115 -
запросить цену
ECAD 5059 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 Шоттки СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-1ПС79СБ31,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 30 В 500 мВ при 200 мА 30 мкА при 10 В 125°С (макс.) 200 мА 25пФ @ 1В, 1МГц
BZX79-C36,113 NXP Semiconductors BZX79-C36,113 0,0200
запросить цену
ECAD 209 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C36,113-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 25,2 В 36 В 90 Ом
NZX10D,133 NXP Semiconductors НЗХ10Д, 133 0,0200
запросить цену
ECAD 110 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС10Д, 133-954 1 1,5 В при 200 мА 200 нА при 7 В 10 В 25 Ом
BZX585-C9V1,115 NXP Semiconductors BZX585-C9V1,115 0,0300
запросить цену
ECAD 341 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-C9V1,115-954 9,947 1,1 В при 100 мА 500 нА при 6 В 9,1 В 10 Ом
BC846AW,115 NXP Semiconductors BC846AW, 115 0,0200
запросить цену
ECAD 535 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 200 мВт СОТ-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC846AW, 115-954 1 65 В 100 мА 15нА (ИКБО) НПН 400 мВ при 5 мА, 100 мА 110 при 2 мА, 5 В 100 МГц
PHB29N08T,118 NXP Semiconductors PHB29N08T,118 0,4000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПХБ29Н08Т,118-954 812 N-канал 75 В 27А (Тц) 11В 50 мОм при 14 А, 11 В 5 В при 2 мА 19 НК при 10 В ±30 В 810 пФ при 25 В - 88 Вт (Тс)
BZV55-B5V1,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б5В1,115 0,0200
запросить цену
ECAD 115 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б5В1,115-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
MRF300AN NXP Semiconductors МРФ300АН -
запросить цену
ECAD 4595 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 133 В Сквозное отверстие ТО-247-3 1,8 МГц ~ 250 МГц ЛДМОС ТО-247-3 - 2156-МРФ300АН 1 N-канал 10 мкА 100 мА 300 Вт 28,2 дБ - 50 В
A2I20H060GNR1 NXP Semiconductors А2И20Х060ГНР1 30.9400
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 65 В Поверхностный монтаж ТО-270ВБГ-15 1,8 ГГц ~ 2,2 ГГц ЛДМОС (двойной) ТО-270ВБГ-15 - 2156-А2И20Х060ГНР1 10 2 N-канала - 24 мА 12 Вт 32,4 дБ - 28 В
PBSS5160PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5160PAP, 115 -
запросить цену
ECAD 7374 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-УФДФН Открытая площадка ПБСС5160 510мВт 6-ХУСОН (2х2) скачать 0000.00.0000 1 60В 100нА (ИКБО) 2 ПНП (двойной) 340 мВ при 100 мА, 1 А 120 при 500 мА, 2 В 125 МГц
BZX84J-C47,115 NXP Semiconductors BZX84J-C47,115 -
запросить цену
ECAD 9645 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СОД-323Ф скачать 0000.00.0000 1 1,1 В при 100 мА 50 нА при 32,9 В 47 В 90 Ом
BZB984-C2V4,115 NXP Semiconductors BZB984-C2V4,115 1,0000
запросить цену
ECAD 2756 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж СОТ-663 БЗБ984-C2V4 265 мВт СОТ-663 скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 70 Ом
NX3008PBKV,115 NXP Semiconductors NX3008PBKV,115 -
запросить цену
ECAD 2027 год 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный NX3008 - скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НХ3008ПБКВ,115-954 EAR99 8541.21.0095 1 -
BZV55-C8V2,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С8В2,115 0,0200
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Ц8В2,115-954 1 900 мВ при 10 мА 700 нА при 5 В 8,2 В 15 Ом
BF820,235 NXP Semiconductors 820 235 бельгийских франков -
запросить цену
ECAD 3735 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БФ820,235-954 EAR99 8541.21.0095 1 300 В 50 мА 10нА (ИКБО) НПН 600 мВ при 5 мА, 30 мА 50 при 25 мА, 20 В 60 МГц
BZX79-B5V6,113 NXP Semiconductors BZX79-B5V6,113 0,0200
запросить цену
ECAD 281 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС79-Б5В6,113-954 1 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 2 В 5,6 В 40 Ом
BZV85-C75,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С75,113 0,0300
запросить цену
ECAD 103 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С75,113-954 EAR99 8541.10.0050 1 1 В при 50 мА 50 нА при 53 В 75 В 225 Ом
PDTA115EU,115 NXP Semiconductors ПДТА115ЕС,115 0,0200
запросить цену
ECAD 284 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PDTA115EU,115-954 1
TDZ3V9J,115 NXP Semiconductors ТДЗ3В9Д,115 -
запросить цену
ECAD 1496 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TDZxJ Масса Активный ±2,05% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 500 мВт СК-90 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ТДЗ3В9ДЖ,115-954 1 1,1 В при 100 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
MRF6V2150NBR1 NXP Semiconductors МРФ6В2150НБР1 59.8400
запросить цену
ECAD 164 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 110 В Крепление на шасси ТО-272ББ 450 МГц ЛДМОС ТО-272 ВБ-4 - 2156-МРФ6В2150НБР1 EAR99 8541.21.0075 6 N-канал - 450 мА 150 Вт 25 дБ - 50 В
PSMN070-200P,127 NXP Semiconductors ПСМН070-200П,127 1.1300
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПСМН070-200П,127-954 1 N-канал 200 В 35А (Тс) 10 В 70 мОм при 17 А, 10 В 4 В при 1 мА 77 НК при 10 В ±20 В 4570 пФ при 25 В - 250 Вт (Тс)
BZX84J-B13,115 NXP Semiconductors BZX84J-B13,115 -
запросить цену
ECAD 1433 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СОД-323Ф скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-BZX84J-B13,115-954 1 1,1 В при 100 мА 100 нА при 8 В 13 В 10 Ом
BZX84J-C43115 NXP Semiconductors BZX84J-C43115 -
запросить цену
ECAD 7145 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СК-90 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX84J-C43115-954 1 1,1 В при 100 мА 50 нА при 30,1 В 43 В 80 Ом
BZV55-C15,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С15,115 1,0000
запросить цену
ECAD 1636 г. 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С15,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 10,5 В 15 В 30 Ом
MRF6V2010NR1528 NXP Semiconductors МРФ6В2010НР1528 30,6600
запросить цену
ECAD 8128 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 110 В Поверхностный монтаж ТО-270АА 10 МГц ~ 450 МГц ЛДМОС ТО-270-2 - 2156-МРФ6В2010НР1528 3 N-канал - 30 мА 10 Вт 23,9 дБ при 220 МГц - 50 В
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе