SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение - Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
BZX79-B9V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B9V1,133 1,0000
запросить цену
ECAD 9762 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX79-B9V1 400 мВт АЛФ2 скачать 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 500 нА при 6 В 9,1 В 15 Ом
PMDXB550UNE,147 NXP Semiconductors PMDXB550UNE,147 0,0800
запросить цену
ECAD 720 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMDXB550UNE, 147-954 EAR99 8541.21.0095 3878
BZX585-B7V5,115 NXP Semiconductors BZX585-B7V5,115 -
запросить цену
ECAD 9498 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-B7V5,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 1 мкА при 5 В 7,5 В 10 Ом
BAS16,215 NXP Semiconductors 16 215 бац. -
запросить цену
ECAD 3763 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BAS16 Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БАС16 Стандартный ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАС16,215-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 100 В 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 150°С (макс.) 215 мА 1,5 пФ @ 0 В, 1 МГц
BZT52H-B22,115 NXP Semiconductors БЗТ52Х-Б22,115 -
запросить цену
ECAD 7615 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-Б22,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 15,4 В 22 В 25 Ом
BC68-25PA,115 NXP Semiconductors БК68-25ПА,115 0,0700
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-PowerUDFN 420 мВт 3-ХУСОН (2х2) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC68-25PA,115-954 1 20 В 2 А 100нА (ИКБО) НПН 600 мВ при 200 мА, 2 А 160 при 500 мА, 1 В 170 МГц
PDTC123EM,315 NXP Semiconductors ПДТК123ЕМ,315 0,0300
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПДТК123 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PDTC123EM,315-954 15 000
PHPT61006PYX NXP Semiconductors PHPT61006PYX -
запросить цену
ECAD 9296 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 1,3 Вт ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PHPT61006PYX-954 EAR99 8541.29.0075 1 100 В 6 А 100нА ПНП 130 мВ при 50 мА, 1 А 170 при 500 мА, 2 В 116 МГц
BZX585-B3V0,115 NXP Semiconductors BZX585-B3V0,115 -
запросить цену
ECAD 1500 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-B3V0,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 10 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
PUMB24,115 NXP Semiconductors ПУМБ24 115 0,0200
запросить цену
ECAD 365 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПУМБ24 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПУМБ24,115-954 1
BUK7E5R2-100E,127 NXP Semiconductors БУК7Е5Р2-100Э,127 1.1100
запросить цену
ECAD 473 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) И2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК7Э5Р2-100Э,127-954 0000.00.0000 1 N-канал 100 В 120А (Тс) 10 В 5,2 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 180 НК при 10 В ±20 В 11810 пФ при 25 В - 349 Вт (Тс)
BLS7G2729L-350P,11 NXP Semiconductors BLS7G2729L-350P,11 -
запросить цену
ECAD 1733 г. 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный - 2156-BLS7G2729L-350P,11 1
PBSS5330PASX NXP Semiconductors PBSS5330PASX -
запросить цену
ECAD 3171 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 600 мВт DFN2020D-3 скачать EAR99 8541.29.0075 1 30 В 3 А 100нА ПНП 320 мВ при 300 мА, 3 А 175 @ 1А, 2В 165 МГц
BZX84-C18,235 NXP Semiconductors BZX84-C18,235 0,0200
запросить цену
ECAD 124 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C18,235-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 12,6 В 18 В 45 Ом
BC51-16PA,115 NXP Semiconductors БК51-16ПА,115 1,0000
запросить цену
ECAD 2956 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-PowerUDFN BC51 420 мВт 3-ХУСОН (2х2) скачать 0000.00.0000 1 45 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 145 МГц
TDZ8V2J,115 NXP Semiconductors ТДЗ8В2ДЖ,115 0,0300
запросить цену
ECAD 28 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TDZxJ Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф ТДЗ8В2 500 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ТДЗ8В2ДЖ,115-954 10 414 1,1 В @ 100 мА 700 нА при 5 В 8,2 В 10 Ом
BZX585-B20,115 NXP Semiconductors BZX585-B20,115 -
запросить цену
ECAD 2164 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС585-Б20,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 700 мВ 20 В 55 Ом
PEMH13,315 NXP Semiconductors ПЭМХ13 315 1,0000
запросить цену
ECAD 4656 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ПЕМХ13 300мВт СОТ-666 скачать 0000.00.0000 1 50В 100 мА 1 мкА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА 100 при 10 мА, 5 В - 4,7 кОм 47 кОм
BZX84J-B16,115 NXP Semiconductors BZX84J-B16,115 0,0300
запросить цену
ECAD 16 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84J-B16,115-954 10 051 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 11,2 В 16 В 20 Ом
BAS16J,115 NXP Semiconductors БАС16ДЖ,115 -
запросить цену
ECAD 5125 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BAS16 Масса Активный Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф БАС16 Стандартный СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BAS16J,115-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 100 В 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 150°С (макс.) 250 мА 1,5 пФ @ 0 В, 1 МГц
AFT21H350W03SR6 NXP Semiconductors АФТ21Х350В03СР6 199.4800
запросить цену
ECAD 150 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 65 В Поверхностный монтаж НИ-1230-4С 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц ЛДМОС НИ-1230-4С - 2156-АФТ21Х350В03СР6 2 N-канал 10 мкА 763 мА 63 Вт 16,4 дБ при 2,11 ГГц - 28 В
BC847CM,315 NXP Semiconductors BC847CM,315 -
запросить цену
ECAD 2710 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BC847CM, 315-954 1
PMBT4403,215 NXP Semiconductors ПМБТ4403,215 -
запросить цену
ECAD 5979 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМБТ4403,215-954 1 40 В 600 мА 50нА (ИКБО) ПНП 750 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 2 В 200 МГц
BZV55-B3V9,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б3В9,115 0,0200
запросить цену
ECAD 81 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б3В9,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
AFT21S230SR3 NXP Semiconductors АФТ21С230СР3 192.4100
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 65 В Поверхностный монтаж НИ-780С-6 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц ЛДМОС НИ-780С-6 - 2156-АФТ21С230СР3 2 N-канал - 1,5 А 50 Вт 16,7 дБ при 2,11 ГГц - 28 В
BZX79-C3V6,133 NXP Semiconductors BZX79-C3V6,133 0,0200
запросить цену
ECAD 620 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C3V6,133-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 90 Ом
PZU10B3,115 NXP Semiconductors ПЗУ10Б3,115 -
запросить цену
ECAD 5443 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СК-90 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПЗУ10Б3,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 100 нА при 7 В 10 В 10 Ом
NZH6V8B,115 NXP Semiconductors НЖ6В8Б,115 0,0200
запросить цену
ECAD 245 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±3% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123Ф 500 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЖ6В8Б,115-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 3,5 В 6,8 В 8 Ом
PMPB55ENEA/S500X NXP Semiconductors PMPB55ENEA/S500X -
запросить цену
ECAD 2132 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный - 2156-ПМПБ55ЭНЕА/С500С 1
BZX84J-B51,115 NXP Semiconductors BZX84J-B51,115 -
запросить цену
ECAD 1651 г. 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84J-B51,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 35,7 В 51 В 110 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе