SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(1062)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Структура Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Ток — удержание (Ih) (Макс.) Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Тип триака Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Количество SCR, Диодов Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход
BZX79-B4V3,113 NXP Semiconductors BZX79-B4V3,113 0,0200
запросить цену
 ECAD 140 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-B4V3,113-954 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 1 В 4,3 В 90 Ом
BZV55-C6V8,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С6В8,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 287 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С6В8,115-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 4 В 6,8 В 15 Ом
BC807-25,235 NXP Semiconductors BC807-25,235 0,0200
запросить цену
 ECAD 188 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC807-25,235-954 1 45 В 500 мА 100нА (ИКБО) ПНП 700 мВ при 50 мА, 500 мА 160 при 100 мА, 1 В 80 МГц
BTA202X-600E,127 NXP Semiconductors БТА202С-600Э,127 0,2800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка ТО-220Ф скачать EAR99 8541.30.0080 1069 Одинокий 12 мА Логика — тонкие ворота 600 В 2 А 1,5 В 14А, 15,4А 10 мА
PZU3.9B2L,315 NXP Semiconductors ПЗУ3.9Б2Л,315 -
запросить цену
 ECAD 3873 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 ПЗУ3.9 250 мВт DFN1006-2 скачать 0000.00.0000 1 1,1 В при 100 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
BC55-16PASX NXP Semiconductors BC55-16PASX -
запросить цену
 ECAD 1555 г. 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 420 мВт DFN2020D-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC55-16PASX-954 EAR99 8541.21.0075 1 60 В 1 А 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 180 МГц
PMCM4401VPEZ NXP Semiconductors PMCM4401VPEZ -
запросить цену
 ECAD 8918 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP МОП-транзистор (оксид металла) 4-ВЛЦСП (0,78x0,78) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМКМ4401ВПЕЗ-954 EAR99 8541.29.0095 1 P-канал 12 В 3,9 А (Та) 1,8 В, 4,5 В 65 мОм при 3 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 10 НК при 4,5 В ±8 В 415 пФ при 6 В - 400 мВт (Та), 12,5 Вт (Тс)
BAS40-07,215 NXP Semiconductors БАС40-07,215 0,0300
запросить цену
 ECAD 178 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БАС40 - 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАС40-07,215-954 1
BZV49-C2V4,115 NXP Semiconductors БЗВ49-С2В4,115 0,1600
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-243АА 1 Вт СОТ-89 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ49-С2В4,115-954 1 1 В при 50 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
PEMF21,115 NXP Semiconductors ПЕМФ21 115 0,1500
запросить цену
 ECAD 124 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПЭМФ21,115-954 1
PMEG4002AESFYL NXP Semiconductors PMEG4002AESFYL 0,0400
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж 0201 (0603 Метрическая единица) Шоттки ДСН0603-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PMEG4002AESFYL-954 EAR99 8541.10.0070 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 40 В 525 мВ при 200 мА 1,25 нс 80 мкА при 40 В 150°С (макс.) 200 мА 18пФ @ 1В, 1МГц
BUK6213-30C,118 NXP Semiconductors БУК6213-30С,118 0,2400
запросить цену
 ECAD 17 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК6213-30С,118-954 1 N-канал 30 В 47А (Тц) 10 В 14 мОм при 10 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 19,5 НК при 10 В ±16 В 1108 пФ при 25 В - 60 Вт (Тс)
BZX79-C4V7,113 NXP Semiconductors BZX79-C4V7,113 0,0200
запросить цену
 ECAD 262 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C4V7,113-954 1
PSMN017-30EL,127 NXP Semiconductors ПСМН017-30ЭЛ,127 0,3400
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) И2ПАК - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПСМН017-30ЭЛ,127 EAR99 8541.29.0075 1 N-канал 30 В 32А (Та) 4,5 В, 10 В 17 мОм при 10 А, 10 В 2,15 В при 1 мА 10,7 НК при 10 В ±20 В 552 пФ при 15 В - 47 Вт (Та)
PQMB11147 NXP Semiconductors PQMB11147 -
запросить цену
 ECAD 4895 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный - 2156-PQMB11147 1
PZU8.2B2L,315 NXP Semiconductors ПЗУ8.2Б2Л,315 -
запросить цену
 ECAD 8532 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 ПЗУ8.2 250 мВт DFN1006-2 скачать 0000.00.0000 1 1,1 В при 100 мА 500 нА при 5 В 8,2 В 10 Ом
PMP5201V/S711115 NXP Semiconductors PMP5201V/S711115 -
запросить цену
 ECAD 5537 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-ПМП5201В/С711115-954 1
BZV85-C18,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С18,113 0,0400
запросить цену
 ECAD 23 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С18,113-954 1 1 В при 50 мА 50 нА при 12,5 В 18 В 20 Ом
BZX585-B43,115 NXP Semiconductors BZX585-B43,115 0,0300
запросить цену
 ECAD 11 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-B43,115-954 1 1,1 В при 100 мА 50 нА при 30,1 В 43 В 150 Ом
PMN70XPE,115 NXP Semiconductors ПМН70XPE,115 0,0600
запросить цену
 ECAD 47 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMN70XPE, 115-954 1
BAP70-02/AX NXP Semiconductors БАП70-02/АХ 0,2300
запросить цену
 ECAD 66 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный - Поставщик не определен Затронуто REACH 2156-БАП70-02/АХ-954 1
BAS32L,135 NXP Semiconductors БАС32Л,135 0,0200
запросить цену
 ECAD 635 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 Стандартный ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАС32Л, 135-954 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 75 В 1 В при 100 мА 4 нс 5 мкА при 75 В 200°С (макс.) 200 мА 2пФ при 0 В, 1 МГц
BAS32L,115 NXP Semiconductors БАС32Л,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 Стандартный ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BAS32L,115-954 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 75 В 1 В при 100 мА 4 нс 5 мкА при 75 В 200°С (макс.) 200 мА 2пФ при 0 В, 1 МГц
BZB84-C15,215 NXP Semiconductors БЗБ84-С15,215 1,0000
запросить цену
 ECAD 6356 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 300 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗБ84-С15,215-954 EAR99 8541.10.0050 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 нА при 10,5 В 15 В 30 Ом
BZX884-C2V4315 NXP Semiconductors BZX884-C2V4315 -
запросить цену
 ECAD 2439 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 0000.00.0000 1
BC807,215 NXP Semiconductors BC807,215 0,0200
запросить цену
 ECAD 497 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC807,215-954 1 45 В 500 мА 100нА (ИКБО) ПНП 700 мВ при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 1 В 80 МГц
BZX79-C2V4,133 NXP Semiconductors BZX79-C2V4,133 0,0200
запросить цену
 ECAD 339 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C2V4,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
TD330N16KOFHPSA2 NXP Semiconductors ТД330Н16КОФХПСА2 181,5400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 130°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль Последовательное соединение – SCR/диод - 2156-ТД330Н16КОФХПСА2 2 300 мА 1,6 кВ 520 А 2 В 12500А 200 мА 330 А 1 тиристор, 1 диод
BZV55-B11,135 NXP Semiconductors БЗВ55-Б11,135 0,0200
запросить цену
 ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать REACH не касается 2156-БЗВ55-Б11,135-954 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
2PB709BRL,215 NXP Semiconductors 2ПБ709БРЛ,215 0,0300
запросить цену
 ECAD 184 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-2ПБ709БРЛ,215-954 1 50 В 200 мА 10нА (ИКБО) ПНП 250 мВ при 10 мА, 100 мА 210 при 2 мА, 10 В 200 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.