SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Структура Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Тип полярного транзистора Ток — удержание (Ih) (Макс.) Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) Конфигурация диода Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Количество SCR, Диодов Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
PDTD123ET,215 NXP Semiconductors ПДТД123ЕТ,215 -
запросить цену
ECAD 4805 0,00000000 НХП Полупроводники ПДТД123Е Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПДТД123ЭТ, 215-954 1 50 В 500 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА 40 при 50 мА, 5 В 2,2 кОм 2,2 кОм
BAS70-07V,115 NXP Semiconductors БАС70-07В,115 -
запросить цену
ECAD 9923 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 БАС70 Шоттки СОТ-666 скачать 0000.00.0000 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 2 независимых 70 В 70 мА (постоянный ток) 1 В при 15 мА 10 мкА при 70 В 150°С (макс.)
PHPT61010PYX NXP Semiconductors PHPT61010PYX -
запросить цену
ECAD 1462 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 1,5 Вт ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PHPT61010PYX-954 EAR99 8541.29.0075 1 100 В 10 А 100 нА ПНП 800 мВ при 1 А, 10 А 180 при 500 мА, 2 В 90 МГц
PZU5.6B3,115 NXP Semiconductors ПЗУ5.6Б3,115 0,0300
запросить цену
ECAD 4529 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗУ5.6Б3,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В @ 100 мА 1 мкА при 2,5 В 5,6 В 40 Ом
PDTC144TM,315 NXP Semiconductors ПДТК144ТМ,315 0,0200
запросить цену
ECAD 38 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПДТК144 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PDTC144TM,315-954 15 000
PZU7.5B2L,315 NXP Semiconductors ПЗУ7.5Б2Л,315 0,0300
запросить цену
ECAD 117 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗУ7.5Б2Л,315-954 10 764 1,1 В @ 100 мА 500 нА при 4 В 7,5 В 10 Ом
PMEG2010EPASX NXP Semiconductors ПМЭГ2010EPASX 0,0900
запросить цену
ECAD 27 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка Шоттки DFN2020D-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМЭГ2010ЭПАСХ-954 EAR99 8541.10.0080 3699 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 375 мВ при 1 А 50 нс 335 мкА при 20 В 150°С (макс.) 175пФ @ 1В, 1МГц
BF723,115 NXP Semiconductors 723 115 бельгийских франков 0,1000
запросить цену
ECAD 27 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА 1,2 Вт СОТ-223 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БФ723,115-954 EAR99 8541.29.0075 1 250 В 100 мА 10нА (ИКБО) ПНП 600 мВ при 5 мА, 30 мА 50 при 25 мА, 20 В 60 МГц
BUK6E4R0-75C,127 NXP Semiconductors БУК6Е4Р0-75С,127 1.0200
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) И2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК6Е4Р0-75С,127-954 1 N-канал 75 В 120А (Тс) 4,5 В, 10 В 4,2 мОм при 25 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 234 НК при 10 В ±16 В 15450 пФ при 25 В - 306 Вт (Тс)
BZX79-C3V3,113 NXP Semiconductors BZX79-C3V3,113 0,0200
запросить цену
ECAD 354 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C3V3,113-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,3 В 95 Ом
PHPT60606PYX NXP Semiconductors PHPT60606PYX -
запросить цену
ECAD 3851 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 1,35 Вт ЛФПАК56, Мощность-СО8 - Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-PHPT60606PYX-954 1 60 В 6 А 100 нА ПНП 525 мВ при 600 мА, 6 А 120 при 500 мА, 2 В 110 МГц
PSMN7R0-100PS127 NXP Semiconductors ПСМН7Р0-100ПС127 -
запросить цену
ECAD 7709 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 0000.00.0000 1
BZX884-B6V8,315 NXP Semiconductors BZX884-B6V8,315 -
запросить цену
ECAD 4463 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-B6V8,315-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 4 В 6,8 В 15 Ом
BC857BQAZ NXP Semiconductors BC857BQAZ 0,0300
запросить цену
ECAD 85 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-XDFN Открытая площадка BC857 280 мВт DFN1010D-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC857BQAZ-954 EAR99 8541.21.0075 1 45 В 100 мА 15нА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 5 мА, 100 мА 220 при 2 мА, 5 В 100 МГц
BZV55-C9V1,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С9В1,115 -
запросить цену
ECAD 8169 0,00000000 НХП Полупроводники БЗВ55 Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 400 мВт ЛЛДС; МиниМелф - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БЗВ55-С9В1,115-954 1 900 мВ при 10 мА 500 нА при 6 В 9,05 В 15 Ом
BZX884-B24,315 NXP Semiconductors BZX884-B24,315 -
запросить цену
ECAD 1145 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX884-B24,315-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 16,8 В 24 В 70 Ом
TD600N16KOFTIMHPSA1 NXP Semiconductors TD600N16KOFTIMHPSA1 332.0700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 125°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль Последовательное соединение – SCR/диод - 2156-ТД600Н16КОФТИМХПСА1 1 300 мА 1,6 кВ 1050 А 2 В 21000 А при 50 Гц 250 мА 600 А 1 тиристор, 1 диод
BZX585-B3V6,115 NXP Semiconductors BZX585-B3V6,115 0,0300
запросить цену
ECAD 162 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-B3V6,115-954 9,366 1,1 В @ 100 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 90 Ом
PBSS4240XF NXP Semiconductors PBSS4240XF -
запросить цену
ECAD 9139 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 500 мВт СОТ-89 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПБСС4240СФ-954 EAR99 8541.21.0095 1 40 В 2 А 100нА (ИКБО) НПН 140 мВ при 50 мА, 500 мА 300 при 500 мА, 5 В 150 МГц
PBSS4612PA,115 NXP Semiconductors ПБСС4612ПА,115 0,1000
запросить цену
ECAD 77 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-PowerUDFN 2,1 Вт 3-ХУСОН (2х2) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПБСС4612ПА,115-954 1 12 В 6 А 100 нА НПН 275 мВ при 300 мА, 6 А 260 @ 2А, 2В 80 МГц
BZX884-C4V3,315 NXP Semiconductors BZX884-C4V3,315 0,0300
запросить цену
ECAD 16 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 - 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-C4V3,315-954 EAR99 8541.10.0050 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 1 В 4,3 В 90 Ом
NX138BKR NXP Semiconductors NX138BKR 1,0000
запросить цену
ECAD 3178 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-NX138BKR-954 EAR99 8541.21.0095 1 N-канал 60 В 265 мА (Та) 2,5 В, 10 В 3,5 Ом при 200 мА, 10 В 1,5 В @ 250 мкА 0,49 нк при 4,5 В ±20 В 20,2 пФ при 30 В - 310 мВт (Та)
BZV49-C3V0,115 NXP Semiconductors БЗВ49-С3В0,115 0,1700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-243АА 1 Вт СОТ-89 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ49-Ц3В0,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1 В при 50 мА 10 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
PMBTA14,215 NXP Semiconductors ПМБТА14 215 0,0400
запросить цену
ECAD 99 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМБТА14,215-954 7,378 30 В 500 мА 100нА (ИКБО) NPN – Дарлингтон 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА 20000 при 100 мА, 5 В 125 МГц
BZV90-C6V2,115 NXP Semiconductors БЗВ90-С6В2,115 0,1600
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА 1,5 Вт СОТ-223 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ90-С6В2,115-954 1 1 В при 50 мА 3 мкА при 4 В 6,2 В 10 Ом
PBSS304PZ,135 NXP Semiconductors ПБСС304ПЗ,135 0,1900
запросить цену
ECAD 38 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА 2 Вт СОТ-223 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПБСС304ПЗ,135-954 EAR99 8541.21.0095 1 60 В 4,5 А 100нА (ИКБО) ПНП 375 мВ при 225 мА, 4,5 А 150 @ 2А, 2В 130 МГц
BZX79-C10,113 NXP Semiconductors BZX79-C10,113 0,0200
запросить цену
ECAD 345 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C10,113-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 20 Ом
NX7002AK215 NXP Semiconductors NX7002AK215 -
запросить цену
ECAD 3044 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 (ТО-236) - 2156-NX7002AK215 1 N-канал 60 В 190 мА (Та), 300 мА (Тс) 5В, 10В 4,5 Ом при 100 мА, 10 В 2,1 В при 250 мкА 0,43 нк при 4,5 В ±20 В 20 пФ при 10 В - 265 мВт (Ta), 1,33 Вт (Tc)
BC52PASX NXP Semiconductors BC52PASX -
запросить цену
ECAD 7926 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC52PASX-954 1
NZX33B,133 NXP Semiconductors НЗС33Б, 133 0,0200
запросить цену
ECAD 79 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС33Б, 133-954 1 1,5 В при 200 мА 50 нА при 23,1 В 33 В 120 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе