SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Структура Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Ток — удержание (Ih) (Макс.) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) Коэффициент шума Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Количество SCR, Диодов Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение - Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors A3I35D012WNR1 30.4600
запросить цену
ECAD 396 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 65 В Поверхностный монтаж Вариант ТО-270-17, плоские выводы 3,2 ГГц ~ 4 ГГц ЛДМОС (двойной) ТО-270ВБ-17 - 2156-А3И35Д012ВНР1 10 2 N-канала 10 мкА 138 мА 1,8 Вт 27,8 дБ - 28 В
BZX79-C11,143 NXP Semiconductors BZX79-C11,143 0,0200
запросить цену
ECAD 295 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C11,143-954 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
AFV10700HSR5178 NXP Semiconductors AFV10700HSR5178 538,8700
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-AFV10700HSR5178-954 1
BZV55-C2V4,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С2В4,115 0,0200
запросить цену
ECAD 5308 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать REACH не касается 2156-БЗВ55-С2В4,115-954 10 000 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
MRF6VP11KGSR5 NXP Semiconductors МРФ6ВП11КГСР5 271.3200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 110 В Поверхностный монтаж НИ-1230-4С ГВ 1,8 МГц ~ 150 МГц ЛДМОС (двойной) НИ-1230-4С ЧАЙКА - 2156-МРФ6ВП11КГСР5 2 2 N-канала 100 мкА 150 мА 1000 Вт 26 дБ при 130 МГц - 50 В
TZ425N12KOFHPSA1 NXP Semiconductors ТЗ425Н12КОФХПСА1 146,9300
запросить цену
ECAD 9819 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 125°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль Одинокий - 2156-ТЗ425Н12КОФХПСА1 2 300 мА 1,2 кВ 800 А 1,5 В 14500 А при 50 Гц 250 мА 510 А 1 сирийских рупий
PDTA143ZM,315 NXP Semiconductors ПДТА143ЗМ,315 1,0000
запросить цену
ECAD 6664 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 ПДТА143 250 мВт DFN1006-3 скачать 0000.00.0000 1 50 В 100 мА 1 мкА ПНП — предварительный смещенный 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА 100 при 10 мА, 5 В 4,7 кОм 47 кОм
BUK663R2-40C,118 NXP Semiconductors БУК663Р2-40С,118 0,5000
запросить цену
ECAD 724 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК663Р2-40С,118-954 1 N-канал 40 В 100А (Тс) 10 В 3,2 мОм при 25 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 125 НК при 10 В ±16 В 8020 пФ при 25 В - 204 Вт (Тс)
BLM7G1822S-20PBY NXP Semiconductors BLM7G1822S-20PBY 22.8800
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-BLM7G1822S-20PBY-954 14
PQMD10147 NXP Semiconductors PQMD10147 0,0300
запросить цену
ECAD 13 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный PQMD10 скачать Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-PQMD10147-954 1
BZX84-B12,215 NXP Semiconductors BZX84-B12,215 0,0200
запросить цену
ECAD 105 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-B12,215-954 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 12 В 25 Ом
BUK9614-60E,118 NXP Semiconductors БУК9614-60Э,118 -
запросить цену
ECAD 1845 г. 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК9614-60Э,118-954 1 N-канал 60 В 56А (Тс) 12,8 мОм при 15 А, 10 В 2,1 В при 1 мА 20,5 НК при 5 В ±10 В 2651 пФ при 25 В - 96 Вт (Тс)
BZX84-C75,215 NXP Semiconductors BZX84-C75,215 0,0200
запросить цену
ECAD 209 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C75,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
PMDPB95XNE2X NXP Semiconductors ПМДПБ95XNE2X 0,0900
запросить цену
ECAD 8729 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПМДПБ95 - скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПМДПБ95СНЕ2С-954 1 -
PMEG3002AEL315 NXP Semiconductors PMEG3002AEL315 -
запросить цену
ECAD 5787 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СОД-882 ПМЭГ3002 Шоттки DFN1006-2 скачать 0000.00.0000 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 30 В 480 мВ при 200 мА 50 мкА при 30 В 150°С (макс.) 200 мА 25пФ @ 1В, 1МГц
BZT52H-C47,115 NXP Semiconductors BZT52H-C47,115 -
запросить цену
ECAD 8661 0,00000000 НХП Полупроводники БЗТ52Х Масса Активный ±6,38% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123Ф 375 мВт СОД-123Ф - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БЗТ52Х-С47,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 32,9 В 47 В 90 Ом
MRFE6VP8600HR5 NXP Semiconductors MRFE6VP8600HR5 311.0600
запросить цену
ECAD 640 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 130 В Крепление на шасси НИ-1230 470–860 МГц ЛДМОС НИ-1230 скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-MRFE6VP8600HR5 EAR99 8541.29.0075 1 Двойной, общий источник 20 мкА 1,4 А 600 Вт 19,3 дБ - 50 В
BZX84-C6V8,235 NXP Semiconductors BZX84-C6V8,235 0,0200
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C6V8,235-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 4 В 6,8 В 15 Ом
PHPT610035NKX NXP Semiconductors PHPT610035NKX 1,0000
запросить цену
ECAD 5556 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный PHPT610035 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PHPT610035NKX-954 EAR99 8541.29.0075 1
NZX36A,133 NXP Semiconductors НЗС36А,133 0,0200
запросить цену
ECAD 109 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС36А, 133-954 1 1,5 В при 200 мА 50 нА при 25,2 В 36 В 140 Ом
BZX884-C33,315 NXP Semiconductors BZX884-C33,315 -
запросить цену
ECAD 8749 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-C33,315-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 23,1 В 33 В 80 Ом
PMEG2010AEJ,115 NXP Semiconductors PMEG2010AEJ,115 -
запросить цену
ECAD 3718 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф Шоттки СОД-323Ф - 2156-PMEG2010AEJ,115 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 550 мВ при 1 А 70 мкА при 20 В 150°С 40пФ @ 1В, 1МГц
BAS40-04,215 NXP Semiconductors БАС40-04,215 0,0200
запросить цену
ECAD 2929 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БАС40 - 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАС40-04,215-954 13 000
PZU20B2A,115 NXP Semiconductors ПЗУ20Б2А,115 -
запросить цену
ECAD 5308 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 320 мВт СОД-323 скачать 0000.00.0000 1 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 15 В 20 В 20 Ом
BZB784-C15,115 NXP Semiconductors БЗБ784-С15,115 -
запросить цену
ECAD 6350 0,00000000 НХП Полупроводники БЗБ784 Масса Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 180 мВт СК-70 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БЗБ784-С15,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 10,5 В 15 В 30 Ом
BZX79-C22,133 NXP Semiconductors BZX79-C22,133 0,0200
запросить цену
ECAD 119 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C22,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 15,4 В 22 В 55 Ом
TDZ22J,115 NXP Semiconductors ТДЗ22Дж,115 0,0300
запросить цену
ECAD 42 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TDZxJ Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф ТДЗ22 500 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ТДЗ22ДЖ,115-954 10 414 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 15,4 В 22 В 25 Ом
BZX585-B62,115 NXP Semiconductors BZX585-B62,115 0,0300
запросить цену
ECAD 95 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-B62,115-954 9,366 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 43,4 В 62 В 215 Ом
BZX79-C6V8,113 NXP Semiconductors BZX79-C6V8,113 0,0200
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C6V8,113-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 4 В 6,8 В 15 Ом
BC848B,235 NXP Semiconductors BC848B,235 -
запросить цену
ECAD 4135 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 30 В 100 мА 15нА (ИКБО) НПН 600 мВ при 5 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 5 В 100 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе