SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение - Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
BZB84-B18,215 NXP Semiconductors БЗБ84-Б18,215 -
запросить цену
ECAD 4081 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗБ84-Б18 300 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 нА при 12,6 В 18 В 45 Ом
BZX79-B3V6,133 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,133 0,0200
запросить цену
ECAD 88 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-B3V6,133-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 90 Ом
BZV55-C5V1,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С5В1,115 0,0200
запросить цену
ECAD 84 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С5В1,115-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
BZV55-C75,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С75,115 0,0200
запросить цену
ECAD 55 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С75,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
PZU4.3B2,115 NXP Semiconductors ПЗУ4.3Б2,115 -
запросить цену
ECAD 2424 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СК-90 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПЗУ4.3Б2,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 3 мкА при 1 В 4,3 В 90 Ом
PSMN1R8-30PL,127 NXP Semiconductors ПСМН1Р8-30ПЛ,127 1,0000
запросить цену
ECAD 1915 год 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 ПСМН1Р8 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Непригодный REACH не касается 2156-ПСМН1Р8-30ПЛ,127-954 1 N-канал 30 В 100А (Тс) 4,5 В, 10 В 1,8 мОм при 25 А, 10 В 2,15 В при 1 мА 170 НК при 10 В ±20 В 10180 пФ при 12 В - 270 Вт (Тс)
PZU3.0B1,115 NXP Semiconductors ПЗУ3.0Б1,115 0,0300
запросить цену
ECAD 13 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СОД-323Ф - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПЗУ3.0Б1,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В @ 100 мА 10 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
BCP56-16HX NXP Semiconductors BCP56-16HX -
запросить цену
ECAD 3505 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА СОТ-223 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCP56-16HX-954 8541.29.0075 1 80 В 1 А 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 2 В 100 МГц
PSMN035-150P,127 NXP Semiconductors ПСМН035-150П,127 0,7500
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПСМН035-150П,127-954 1 N-канал 150 В 50А (Тс) 10 В 35 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 79 НК при 10 В ±20 В 4720 пФ при 25 В - 250 Вт (Тс)
PMCM4401VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM4401VNE/S500Z -
запросить цену
ECAD 1093 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMCM4401ВНЕ/С500З-954 1
PMEG045T150EPDAZ NXP Semiconductors ПМЭГ045Т150ЭПДАЗ 0,3600
запросить цену
ECAD 92 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-277, 3-PowerDFN Шоттки CFP15 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМЭГ045Т150ЭПДАЗ-954 EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 45 В 550 мВ при 15 А 20 нс 100 мкА при 45 В 175°С (макс.) 15А 800пФ @ 10В, 1МГц
PMPB23XNEZ NXP Semiconductors PMPB23XNEZ 0,1000
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-УДФН Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) DFN2020MD-6 скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПМПБ23СНЭЗ EAR99 8541.21.0075 3600 N-канал 20 В 7А (Та) 1,8 В, 4,5 В 22 мОм при 7 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 17 НК @ 4,5 В ±12 В 1136 пФ при 10 В - 1,7 Вт (Та)
PMN48XP,125 NXP Semiconductors ПМН48XP,125 0,1300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 МОП-транзистор (оксид металла) 6-ЦОП скачать 0000.00.0000 1 P-канал 20 В 4,1А (Та) 2,5 В, 4,5 В 55 мОм при 2,4 А, 4,5 В 1,25 В @ 250 мкА 13 нк @ 4,5 В ±12 В 1000 пФ при 10 В - 530 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc)
PZT4403,115 NXP Semiconductors 4403 115 ПЗТ 0,0900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА 1,15 Вт СОТ-223 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗТ4403,115-954 1 40 В 600 мА 50нА (ИКБО) ПНП 750 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 1 В 200 МГц
BZX79-C5V6,133 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,133 0,0200
запросить цену
ECAD 325 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C5V6,133-954 1 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 2 В 5,6 В 40 Ом
A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors А2В09Х400-04НР3 95.5000
запросить цену
ECAD 250 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 105 В Поверхностный монтаж ОМ-780-4Л 720 МГц ~ 960 МГц ЛДМОС (двойной) ОМ-780-4Л - 2156-А2В09Х400-04НР3 4 2 N-канала 10 мкА 688 мА 107 Вт 17,9 дБ - 48 В
BAV20,143 NXP Semiconductors БАБ20,143 -
запросить цену
ECAD 6288 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой Стандартный АЛФ2 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БАВ20,143-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 150 В 1,25 В при 200 мА 50 нс 100 нА при 150 В 175°С (макс.) 250 мА 5 пФ @ 0 В, 1 МГц
BZX84-B4V7,215 NXP Semiconductors BZX84-B4V7,215 0,0200
запросить цену
ECAD 74 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС84-Б4В7,215-954 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 2 В 4,7 В 80 Ом
PMN27XPE115 NXP Semiconductors PMN27XPE115 0,2300
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПМН27ХПЭ115-954 1
PHPT60410PYX NXP Semiconductors PHPT60410PYX 0,2100
запросить цену
ECAD 40 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 1,3 Вт ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PHPT60410PYX-954 EAR99 8541.29.0095 1550 г. 40 В 10 А 100 нА ПНП 800 мВ при 500 мА, 10 А 240 при 500 мА, 2 В 97 МГц
BZV85-C36,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С36,113 0,0300
запросить цену
ECAD 152 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С36,113-954 1 1 В при 50 мА 50 нА при 25 В 36 В 50 Ом
BZX79-C10,133 NXP Semiconductors BZX79-C10,133 0,0200
запросить цену
ECAD 240 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C10,133-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 20 Ом
BZT52H-C5V6,115 NXP Semiconductors BZT52H-C5V6,115 0,0200
запросить цену
ECAD 84 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С5В6,115-954 1 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 2 В 5,6 В 40 Ом
BCW89,215 NXP Semiconductors BCW89 215 0,0200
запросить цену
ECAD 142 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BCW89 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCW89,215-954 1 60 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП 150 мВ при 2,5 мА, 50 мА 120 при 2 мА, 5 В 150 МГц
BZT52H-B36,115 NXP Semiconductors БЗТ52Х-Б36,115 -
запросить цену
ECAD 4246 0,00000000 НХП Полупроводники БЗТ52Х Масса Активный ±1,94% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123Ф 375 мВт СОД-123Ф - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БЗТ52Х-Б36,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 25,2 В 36 В 60 Ом
PMZB950UPEL315 NXP Semiconductors ПМЗБ950УПЕЛ315 0,0500
запросить цену
ECAD 54 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-ПМЗБ950УПЕЛ315-954 1
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors ПДТК144ЕМ,315 -
запросить цену
ECAD 1783 г. 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 250 мВт DFN1006-3 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-PDTC144EM,315-954 1 50 В 100 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 10 мА 80 при 5 мА, 5 В 230 МГц 47 кОм 47 кОм
MMRF5014HR5 NXP Semiconductors ММРФ5014HR5 523.3200
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 125 В Крепление на шасси НИ-360Х-2СБ 1 МГц ~ 2,7 ГГц N-канал НИ-360Х-2СБ - 2156-ММРФ5014HR5 1 N-канал 5мА 350 мА 125 Вт 18 дБ при 2,5 ГГц - 50 В
PZU10B2A,115 NXP Semiconductors ПЗУ10Б2А,115 -
запросить цену
ECAD 1079 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 ПЗУ10 320 мВт СОД-323 скачать 0000.00.0000 1 1,1 В @ 100 мА 100 нА при 7 В 10 В 10 Ом
BZV55-C3V0,135 NXP Semiconductors БЗВ55-Ц3В0,135 0,0200
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать REACH не касается 2156-БЗВ55-Ц3В0,135-954 1 900 мВ при 10 мА 10 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе