SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение - Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Коэффициент шума (дБ, тип@f)
PMZB950UPEL315 NXP Semiconductors ПМЗБ950УПЕЛ315 0,0500
запросить цену
ECAD 54 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-ПМЗБ950УПЕЛ315-954 1
BZX84-C24,215 NXP Semiconductors BZX84-C24,215 0,0200
запросить цену
ECAD 469 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C24,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 16,8 В 24 В 70 Ом
NX3008NBKSH NXP Semiconductors NX3008NBKSH -
запросить цену
ECAD 3171 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 МОП-транзистор (оксид металла) 280 мВт (Та), 990 мВт (Тс) 6-ЦСОП - 2156-НХ3008НБКШ 1 2 N-канала 30В 350 мА (Та) 1,4 Ом @ 350 мА, 4,5 В 1,1 В @ 250 мкА 0,68 нк при 4,5 В 50пФ при 15В Стандартный
MMRF5014HR5 NXP Semiconductors ММРФ5014HR5 523.3200
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 125 В Крепление на шасси НИ-360Х-2СБ 1 МГц ~ 2,7 ГГц N-канал НИ-360Х-2СБ - 2156-ММРФ5014HR5 1 N-канал 5мА 350 мА 125 Вт 18 дБ при 2,5 ГГц - 50 В
PMCM4401VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM4401VNE/S500Z -
запросить цену
ECAD 1093 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMCM4401ВНЕ/С500З-954 1
BFU768F,115 NXP Semiconductors БФУ768Ф,115 0,1600
запросить цену
ECAD 14 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-343Ф 220мВт 4-ДФП - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БФУ768Ф,115 EAR99 8541.21.0075 1 13,1 дБ 2,8 В 70 мА НПН 155 при 10 мА, 2 В 110 ГГц 1,1 дБ ~ 1,2 дБ при 5 ГГц ~ 5,9 ГГц
PDTC144EM,315 NXP Semiconductors ПДТК144ЕМ,315 -
запросить цену
ECAD 1783 г. 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 250 мВт DFN1006-3 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-PDTC144EM,315-954 1 50 В 100 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 10 мА 80 при 5 мА, 5 В 230 МГц 47 кОм 47 кОм
PZU3.9B2A,115 NXP Semiconductors ПЗУ3.9Б2А,115 0,0200
запросить цену
ECAD 76 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 320 мВт СОД-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗУ3.9Б2А,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
PSMN5R0-100PS,127 NXP Semiconductors ПСМН5Р0-100ПС,127 1,6300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Непригодный REACH не касается 2156-ПСМН5Р0-100ПС,127-954 EAR99 8541.29.0095 184 N-канал 100 В 120А (Тс) 10 В 5 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 170 НК при 10 В ±20 В 9900 пФ при 50 В - 338 Вт (Тс)
PHP225,118 NXP Semiconductors 225 118 филиппинских песо 0,2100
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PHP225,118-954 1
PMCM6501VNE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VNE/S500Z 0,1900
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMCM6501VNE/S500Z-954 1
PDTA114EMB,315 NXP Semiconductors ПДТА114ЕМБ,315 -
запросить цену
ECAD 6345 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 ПДТА114 250 мВт DFN1006B-3 скачать 0000.00.0000 1 50 В 100 мА 1 мкА ПНП — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 180 МГц 10 кОм 10 кОм
BZX79-B3V6,133 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,133 0,0200
запросить цену
ECAD 88 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-B3V6,133-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 90 Ом
PDTC115EM,315 NXP Semiconductors ПДТК115ЕМ,315 1,0000
запросить цену
ECAD 9747 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 ПДТК115 250 мВт DFN1006-3 скачать 0000.00.0000 1 50 В 20 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 5 мА, 5 В 100 кОм 100 кОм
PMEG2015EA115 NXP Semiconductors ПМЭГ2015EA115 -
запросить цену
ECAD 9032 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 Шоттки СОД-323 скачать EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 660 мВ при 1,5 А 50 мкА при 15 В -65°С ~ 125°С 1,5 А 25пФ @ 5В, 1МГц
BAV99W,115 NXP Semiconductors БАБ99W,115 -
запросить цену
ECAD 2469 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BAV99 Масса Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 БАБ99 Стандартный СОТ-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BAV99W, 115-954 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 1 пара последовательного подключения 100 В 150 мА (постоянный ток) 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 150°С (макс.)
BC68-25PASX NXP Semiconductors BC68-25PASX 0,0700
запросить цену
ECAD 85 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 420 мВт DFN2020D-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC68-25PASX-954 EAR99 8541.21.0075 1 20 В 2 А 100нА (ИКБО) НПН 600 мВ при 200 мА, 2 А 85 при 500 мА, 1 В 170 МГц
PDTC114TMB315 NXP Semiconductors PDTC114TMB315 0,0300
запросить цену
ECAD 276 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.21.0075 1
1N4740A,133 NXP Semiconductors 1Н4740А,133 0,0300
запросить цену
ECAD 83 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-1Н4740А,133-954 1
PMBT4403YSX NXP Semiconductors PMBT4403YSX 0,0300
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PMBT4403YSX-954 EAR99 8541.21.0075 10 414 40 В 600 мА 50нА (ИКБО) ПНП 750 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 10 мА, 1 В 200 МГц
BZX79-C56,113 NXP Semiconductors BZX79-C56,113 0,0200
запросить цену
ECAD 400 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C56,113-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 39,2 В 56 В 200 Ом
CLF1G0035-200P NXP Semiconductors CLF1G0035-200P -
запросить цену
ECAD 2878 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-CLF1G0035-200P-954 EAR99 8541.29.0095 1
A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors А2Т18Х455В23НР6 162.2600
запросить цену
ECAD 153 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший 65 В Поверхностный монтаж ОМ-1230-4Л2С 1805 ГГц ~ 1,88 ГГц ЛДМОС ОМ-1230-4Л2С - 2156-А2Т18Х455В23НР6 2 N-канал 10 мкА 1,08 А 87 Вт 14,5 дБ при 1805 ГГц - 31,5 В
PSMN035-150B,118 NXP Semiconductors ПСМН035-150Б,118 -
запросить цену
ECAD 3385 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПСМН035-150Б,118-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 150 В 50А (Тс) 10 В 35 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 79 НК при 10 В ±20 В 4720 пФ при 25 В - 250 Вт (Тс)
PBSS4260PANPSX NXP Semiconductors PBSS4260PANPSX -
запросить цену
ECAD 1672 г. 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПБСС4260ПАНПСС-954 EAR99 8541.21.0075 1
PMEG1020EV,115 NXP Semiconductors ПМЭГ1020ЕВ,115 0,0600
запросить цену
ECAD 264 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 Шоттки СОТ-666 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМЭГ1020ЭВ,115-954 4991 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 10 В 460 мВ при 2 А 3 при мА 10 В 150°С (макс.) 45пФ @ 5В, 1МГц
PDTA144WU,115 NXP Semiconductors ПДТА144ВУ,115 0,0200
запросить цену
ECAD 162 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПДТА144ВУ,115-954 0000.00.0000 1
BZX79-B2V7,143 NXP Semiconductors BZX79-B2V7,143 0,0200
запросить цену
ECAD 80 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-B2V7,143-954 1 900 мВ при 10 мА 20 мкА при 1 В 2,7 В 100 Ом
PMK50XP,518 NXP Semiconductors ПМК50XP,518 0,1000
запросить цену
ECAD 56 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СО скачать 2 (1 год) REACH не касается 2156-ПМК50ХП,518-954 1 P-канал 20 В 7,9 А (Тс) 4,5 В 50 мОм при 2,8 А, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 10 НК при 4,5 В ±12 В 1020 пФ при 20 В - 5 Вт (Тс)
BZV85-C8V2,133 NXP Semiconductors БЗВ85-С8В2,133 0,0300
запросить цену
ECAD 66 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-Ц8В2,133-954 1 1 В при 50 мА 700 нА при 5 В 8,2 В 5 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе