SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Конфигурация диода Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Напряжение, связанное с током – обратная утечка @ Vr Ток, связанный с напряжением – вперед (Vf) (макс.) @ If
PZU4.7B,115 NXP Semiconductors ПЗУ4.7Б,115 0,0300
запросить цену
ECAD 14 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СОД-323Ф - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПЗУ4.7Б,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В @ 100 мА 2 мкА при 1 В 4,66 В 80 Ом
BAV70SRAZ NXP Semiconductors БАВ70СРАЗ -
запросить цену
ECAD 1579 г. 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж 6-XFDFN Открытая площадка Стандартный DFN1412-6 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БАВ70СРАЗ-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 2 пары с общим катодом 100 В 355 мА 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 150°С
BZX79-C13,113 NXP Semiconductors BZX79-C13,113 0,0200
запросить цену
ECAD 205 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C13,113-954 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 13 В 30 Ом
BZX84-C33,215 NXP Semiconductors BZX84-C33,215 0,0200
запросить цену
ECAD 295 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C33,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 23,1 В 33 В 80 Ом
BCP56-10H,115 NXP Semiconductors БКП56-10Х,115 -
запросить цену
ECAD 9329 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-BCP56-10H, 115-954 0000.00.0000 1
BZX79-C75,113 NXP Semiconductors BZX79-C75,113 0,0200
запросить цену
ECAD 708 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C75,113-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 700 мВ 75 В 255 Ом
BZB984-C12,115 NXP Semiconductors BZB984-C12,115 -
запросить цену
ECAD 4745 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж СОТ-663 265 мВт СОТ-663 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗБ984-С12,115-954 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 12 В 10 Ом
BZB84-B3V9,215 NXP Semiconductors БЗБ84-Б3В9,215 -
запросить цену
ECAD 1884 г. 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗБ84-Б3В9 300 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
BZV55-B30,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б30,115 0,0200
запросить цену
ECAD 243 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б30,115-954 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 700 мВ 30 В 80 Ом
BAS40-04,235 NXP Semiconductors БАС40-04,235 0,0200
запросить цену
ECAD 1041 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БАС40 - 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАС40-04,235-954 10 000
PZU24BA,115 NXP Semiconductors ПЗУ24БА,115 0,0300
запросить цену
ECAD 124 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 320 мВт СОД-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗУ24БА,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 19 В 24 В 30 Ом
BC856AW,135 NXP Semiconductors BC856AW, 135 -
запросить цену
ECAD 2498 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 BC856 200 мВт СОТ-323 скачать 0000.00.0000 1 65 В 100 мА 15нА (ИКБО) ПНП 600 мВ при 5 мА, 100 мА 125 при 2 мА, 5 В 100 МГц
BZX79-C75143 NXP Semiconductors BZX79-C75143 0,0200
запросить цену
ECAD 185 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-A6V8,215 NXP Semiconductors BZX84-A6V8,215 0,1000
запросить цену
ECAD 4414 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±1% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС84-А6В8,215-954 2785 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 4 В 6,8 В 15 Ом
BCV63,215 NXP Semiconductors 63 215 БЦВ 0,0800
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCV63,215-954 1
BUK9Y11-80EX NXP Semiconductors БУК9Y11-80EX -
запросить цену
ECAD 8848 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 МОП-транзистор (оксид металла) ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БУК9Y11-80EX-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 80 В 84А (Тс) 10 мОм при 25 А, 10 В 2,1 В при 1 мА 44,2 НК при 5 В ±10 В 6506 пФ при 25 В - 194 Вт (Тс)
PDTC124XMB,315 NXP Semiconductors ПДТК124ХМБ,315 0,0300
запросить цену
ECAD 147 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 ПДТК124 250 мВт DFN1006B-3 скачать 0000.00.0000 1 50 В 100 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 150 мВ @ 500 мкА, 10 мА 80 @ 5А, 5В 230 МГц 22 кОм 47 кОм
BC68PASX NXP Semiconductors BC68PASX 0,0700
запросить цену
ECAD 84 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 420 мВт DFN2020D-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC68PASX-954 EAR99 8541.21.0075 1 20 В 2 А 100нА (ИКБО) НПН 600 мВ при 200 мА, 2 А 85 при 500 мА, 1 В 170 МГц
BZX79-C16,133 NXP Semiconductors BZX79-C16,133 -
запросить цену
ECAD 3155 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX79-C16 400 мВт АЛФ2 скачать 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 11,2 В 16 В 40 Ом
NZH20C,115 NXP Semiconductors НЖ20С,115 0,0200
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±3% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123Ф 500 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЖ20С,115-954 1 900 мВ при 10 мА 40 нА при 15 В 20 В 28 Ом
BAT17,215 NXP Semiconductors 17 215 бат. 0,0700
запросить цену
ECAD 32 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАТ17,215-954 0000.00.0000 1
PSMN2R8-40BS NXP Semiconductors ПСМН2Р8-40БС -
запросить цену
ECAD 8495 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 0000.00.0000 1
PMZB370UNE,315 NXP Semiconductors ПМЗБ370ЮНЕ,315 0,0400
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПМЗБ370УНЕ,315-954 1
BZB84-C2V4,215 NXP Semiconductors BZB84-C2V4,215 -
запросить цену
ECAD 2536 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗБ84-С2В4 300 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
PSMN1R1-30PL,127 NXP Semiconductors ПСМН1Р1-30ПЛ,127 -
запросить цену
ECAD 9567 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Непригодный REACH не касается 2156-ПСМН1Р1-30ПЛ,127-954 1 N-канал 30 В 120А (Тс) 4,5 В, 10 В 1,3 мОм при 25 А, 10 В 2,2 В при 1 мА 243 НК при 10 В ±20 В 14850 пФ при 15 В - 338 Вт (Тс)
BZX884-C10,315 NXP Semiconductors BZX884-C10,315 0,0300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-C10,315-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 10 Ом
BZV55-B3V3,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б3В3,115 0,0200
запросить цену
ECAD 191 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б3В3,115-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,3 В 95 Ом
BUK6215-75C,118 NXP Semiconductors БУК6215-75С,118 0,2700
запросить цену
ECAD 6241 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК6215-75С,118-954 EAR99 8541.29.0095 720 N-канал 75 В 57А (Та) 15 мОм при 15 А, 10 В 2,8 В при 1 мА 61,8 НК при 10 В ±16 В 3900 пФ при 25 В - 128 Вт (Та)
BZV85-C4V7,133 NXP Semiconductors БЗВ85-С4В7,133 0,0300
запросить цену
ECAD 62 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-Ц4В7,133-954 1 1 В при 50 мА 3 мкА при 1 В 4,7 В 13 Ом
BAW56,215 NXP Semiconductors БАВ56 215 -
запросить цену
ECAD 2043 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БАБ56 Стандартный СОТ-23 скачать 0000.00.0000 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара общего анода 215 мА (постоянный ток) 1,25 500 150°С (макс.) 80 150
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе