SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение – Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
PHP20NQ20T,127 NXP Semiconductors PHP20NQ20T,127 0,9500
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Непригодный REACH не касается 2156-PHP20NQ20T, 127-954 0000.00.0000 341 N-канал 200 В 20А (Тс) 10 В 130 мОм при 10 А, 10 В 4 В при 1 мА 65 НК при 10 В ±20 В 2470 пФ при 25 В - 150 Вт (Тс)
BSR16/DG/B4215 NXP Semiconductors БСР16/ДГ/Б4215 0,0700
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-BSR16/ДГ/B4215-954 1
A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors А3Г35Х100-04СР3 95.6100
запросить цену
ECAD 137 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 125 В Поверхностный монтаж НИ-780С-4Л 3,4 ГГц ~ 3,6 ГГц Ган НИ-780С-4Л - 2156-А3Г35Х100-04СР3 4 2 N-канала - 80 мА 14 Вт 14 дБ @ 3,6 ГГц - 48 В
BZB84-B33,215 NXP Semiconductors БЗБ84-Б33,215 -
запросить цену
ECAD 7720 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗБ84-Б33 300 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 нА при 23,1 В 33 В 80 Ом
BZX84-C13,235 NXP Semiconductors BZX84-C13,235 0,0200
запросить цену
ECAD 80 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84-C13,235-954 EAR99 8541.10.0050 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 13 В 30 Ом
PZU5.6B2A,115 NXP Semiconductors ПЗУ5.6Б2А,115 0,0200
запросить цену
ECAD 3496 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 320 мВт СОД-323 скачать EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 100 мА 1 мкА при 2,5 В 5,6 В 40 Ом
BCW30,215 NXP Semiconductors 30 215 БЦВ -
запросить цену
ECAD 2289 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт СОТ-23 - 0000.00.0000 1 32 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП 150 мВ при 2,5 мА, 50 мА 215 при 2 мА, 5 В 100 МГц
BZX884-C2V4,315 NXP Semiconductors BZX884-C2V4,315 -
запросить цену
ECAD 7068 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 - 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-C2V4,315-954 3200 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
PMV40UN2R NXP Semiconductors ПМВ40УН2Р -
запросить цену
ECAD 2975 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.29.0095 1
MRFX600GSR5 NXP Semiconductors MRFX600GSR5 139,9300
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 179 В Поверхностный монтаж НИ-780ГС-4Л 1,8 МГц ~ 400 МГц ЛДМОС (двойной) НИ-780ГС-4Л - 2156-MRFX600GSR5 3 2 N-канала 10 мкА 100 мА 600 Вт 26,4 дБ при 230 МГц - 65 В
PMZB1200UPEYL NXP Semiconductors ПМЗБ1200УПЕЙЛ 0,0400
запросить цену
ECAD 604 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-XFDFN МОП-транзистор (оксид металла) DFN1006B-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМЗБ1200УПЕЙЛ-954 EAR99 8541.21.0095 1 P-канал 30 В 410 мА (Та) 1,5 В, 4,5 В 1,4 Ом @ 410 мА, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 1,2 нк при 4,5 В ±8 В 43,2 пФ при 15 В - 310 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc)
BAT74S,115 NXP Semiconductors БАТ74С,115 1,0000
запросить цену
ECAD 2777 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БАТ74 скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БАТ74С,115-954 1
PH4030DLV115 NXP Semiconductors PH4030DLV115 -
запросить цену
ECAD 7942 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PH4030DLV115-954 1
BCV61C,215 NXP Semiconductors БЦВ61С,215 0,1300
запросить цену
ECAD 354 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCV61C, 215-954 1
BUK7508-55A,127 NXP Semiconductors БУК7508-55А,127 0,9300
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК7508-55А,127-954 EAR99 0000.00.0000 1 N-канал 55 В 75А (Та) 8 мОм при 25 А, 10 В 4 В при 1 мА 76 НК при 0 В ±20 В 4352 пФ при 25 В - 254 Вт (Та)
BZX384-C62,115 NXP Semiconductors BZX384-C62,115 1,0000
запросить цену
ECAD 3685 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 БЗХ384 300 мВт СОД-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX384-C62,115-954 1 1,1 В при 100 мА 50 нА при 43,4 В 62 В 215 Ом
PMN40UPE,115 NXP Semiconductors ПМН40УПЕ,115 0,1900
запросить цену
ECAD 2939 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПМН40УПЭ,115-954 1
1N4733A,113 NXP Semiconductors 1Н4733А,113 0,0300
запросить цену
ECAD 214 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-1Н4733А,113-954 EAR99 8541.10.0070 1
BZX79-B3V6,113 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,113 0,0200
запросить цену
ECAD 200 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС79-Б3В6,113-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 90 Ом
PDTC123EU,115 NXP Semiconductors PDTC123EU,115 -
запросить цену
ECAD 4024 0,00000000 НХП Полупроводники PDTC123E Масса Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 200 мВт СК-70 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-PDTC123EU,115-954 1 50 В 100 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 10 мА 30 при 20 мА, 5 В 2,2 кОм 2,2 кОм
BC847BMB,315 NXP Semiconductors BC847BMB,315 -
запросить цену
ECAD 7811 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 250 мВт DFN1006B-3 скачать 0000.00.0000 1 45 В 100 мА 15нА (ИКБО) НПН 400 мВ при 5 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 5 В 100 МГц
PQMD2147 NXP Semiconductors PQMD2147 0,0300
запросить цену
ECAD 13 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПКМД2 скачать Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-PQMD2147-954 1
BZX79-B5V1,113 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,113 0,0200
запросить цену
ECAD 140 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС79-Б5В1,113-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
BF570,215 NXP Semiconductors 570 215 бельгийских франков 0,0500
запросить цену
ECAD 55 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БФ570,215-954 1 15 В 100 мА 400нА (ИКБО) НПН - 40 при 10 мА, 1 В 490 МГц
BZV85-C3V9,133 NXP Semiconductors БЗВ85-С3В9,133 -
запросить цену
ECAD 4895 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой БЗВ85-С3В9 1,3 Вт ДО-41 скачать 0000.00.0000 1 1 В при 50 мА 10 мкА при 1 В 3,9 В 15 Ом
MRF6VP2600HR5,178 NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5,178 -
запросить цену
ECAD 3283 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный МРФ6ВП2600 - скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен 1 -
PUMH9/ZL165 NXP Semiconductors ПУМХ9/ZL165 -
запросить цену
ECAD 1482 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 200мВт 6-ЦСОП - 2156-ПУМХ9/ЗЛ165 1 50В 100 мА 100нА 2 NPN — с предварительным смещением 100 мВ @ 250 мкА, 5 мА 100 при 5 мА, 5 В 230 МГц 10 кОм 47кОм
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESBYL 0,0400
запросить цену
ECAD 200 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж 2-XDFN ПМЭГ6010 Шоттки ДСН1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PMEG6010ESBYL-954 EAR99 8541.10.0080 8,126 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 60 В 730 мВ при 1 А 2,4 нс 30 мкА при 60 В 150°С (макс.) 20пФ @ 10В, 1МГц
BZV85-C27,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С27,113 0,0400
запросить цену
ECAD 184 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С27,113-954 1 1 В при 50 мА 50 нА при 19 В 27 В 40 Ом
PMBD6050,215 NXP Semiconductors ПМБД6050,215 0,0200
запросить цену
ECAD 399 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Стандартный ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМБД6050,215-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 70 В 1,25 В при 150 мА 4 нс 100 нА при 50 В 150°С (макс.) 215 мА 1,5 пФ @ 0 В, 1 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе