SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(1062)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Коэффициент шума (дБ, тип@f) Коэффициент емкости Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
BZV85-C16,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С16,113 0,0300
запросить цену
 ECAD 28 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С16,113-954 1 1 В при 50 мА 50 нА при 11 В 16 В 15 Ом
PZU7.5B3,115 NXP Semiconductors ПЗУ7.5Б3,115 0,0300
запросить цену
 ECAD 33 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗУ7.5Б3,115-954 1 1,1 В при 100 мА 500 нА при 4 В 7,5 В 10 Ом
BZX79-B11143 NXP Semiconductors BZX79-B11143 -
запросить цену
 ECAD 4192 0,00000000 НХП Полупроводники БЗХ79 Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX79-B11143-954 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
BZX884-B2V4,315 NXP Semiconductors BZX884-B2V4,315 -
запросить цену
 ECAD 7880 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-B2V4,315-954 1 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
BCV62,215 NXP Semiconductors 62 215 БЦВ 0,0800
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный БЦВ62 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BCV62,215-954 1
BFU550WF NXP Semiconductors БФУ550WF 0,2200
запросить цену
 ECAD 764 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 450мВт СК-70 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БФУ550ВФ EAR99 8541.21.0075 1 18 дБ 12 В 50 мА НПН 60 при 15 мА, 8 В 11 ГГц 1,3 дБ при 1,8 ГГц
PBSS4160PANPSX NXP Semiconductors PBSS4160PANPSX 0,1200
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПБСС4160 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПБСС4160ПАНПСС-954 EAR99 8541.29.0075 2423
PSMN8R7-80PS,127 NXP Semiconductors ПСМН8Р7-80ПС,127 0,7500
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПСМН8Р7-80ПС,127-954 EAR99 0000.00.0000 398 N-канал 80 В 90А (Тс) 10 В 8,7 мОм при 10 А, 10 В 4 В @ 1 мА 52 НК при 10 В ±20 В 3346 пФ при 40 В - 170 Вт (Тс)
BZV49-C11,115 NXP Semiconductors БЗВ49-С11,115 -
запросить цену
 ECAD 4934 0,00000000 НХП Полупроводники БЗВ49 Масса Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 1 Вт СОТ-89 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-БЗВ49-С11,115-954 1 1 В при 50 мА 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
BZB84-C75,215 NXP Semiconductors БЗБ84-С75,215 0,0200
запросить цену
 ECAD 510 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 300 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗБ84-С75,215-954 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
BYV29F-600,127 NXP Semiconductors БИВ29Ф-600,127 0,3700
запросить цену
 ECAD 51 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Стандартный ТО-220АС скачать EAR99 8541.10.0080 802 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,9 В @ 8 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.) 9А -
BZV55-C30,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С30,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 248 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С30,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 21 В 30 В 80 Ом
BZV55-C30,135 NXP Semiconductors БЗВ55-С30,135 0,0200
запросить цену
 ECAD 56 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С30,135-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 21 В 30 В 80 Ом
BZX884-B10,315 NXP Semiconductors BZX884-B10,315 0,0300
запросить цену
 ECAD 322 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-B10,315-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 10 Ом
BC817RA147 NXP Semiconductors BC817RA147 0,0400
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный BC817 скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-BC817RA147-954 1
BZX84J-C13,115 NXP Semiconductors BZX84J-C13,115 -
запросить цену
 ECAD 5511 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СК-90 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX84J-C13,115-954 1 1,1 В при 100 мА 100 нА при 8 В 13 В 10 Ом
PSMN070-200B,118 NXP Semiconductors ПСМН070-200Б,118 1,0900
запросить цену
 ECAD 5436 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПСМН070-200Б,118-954 1 N-канал 200 В 35А (Тс) 10 В 70 мОм при 17 А, 10 В 4 В @ 1 мА 77 НК при 10 В ±20 В 4570 пФ при 25 В - 250 Вт (Тс)
BZV55-C24,115 NXP Semiconductors БЗВ55-С24,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 173 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-С24,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 700 мВ 24 В 70 Ом
MMBT3906,215 NXP Semiconductors ММБТ3906,215 0,0200
запросить цену
 ECAD 74 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ММБТ3906,215-954 1 40 В 200 мА 50нА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 5 мА, 50 мА 100 при 10 мА, 1 В 250 МГц
BZT52H-C20,115 NXP Semiconductors BZT52H-C20,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 129 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С20,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 14 В 20 В 20 Ом
PQMD16147 NXP Semiconductors PQMD16147 -
запросить цену
 ECAD 1730 г. 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный PQMD16 скачать Поставщик не определен Поставщик не определен 2156-PQMD16147-954 1
PMEG2005EGWX NXP Semiconductors ПМЭГ2005EGWX -
запросить цену
 ECAD 5456 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж СОД-123 Шоттки СОД-123 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PMEG2005EGWX-954 EAR99 8541.10.0070 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 390 мВ при 500 мА 200 мкА при 20 В 150°С (макс.) 500 мА 66пФ @ 1В, 1МГц
BC53-16PA,115 NXP Semiconductors БК53-16ПА,115 -
запросить цену
 ECAD 6134 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-PowerUDFN 420 мВт 3-ХУСОН (2х2) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC53-16PA,115-954 1 80 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 145 МГц
BB208-02,135 NXP Semiconductors BB208-02,135 -
запросить цену
 ECAD 2082 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 СОД-523 - 2156-ББ208-02,135 1 5,4 пФ @ 7,5 В, 1 МГц Одинокий 10 В 5.2 С1/С7.5 -
BZV55-B11,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б11,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 63 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать REACH не касается 2156-БЗВ55-Б11,115-954 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
BZB984-C13,115 NXP Semiconductors BZB984-C13,115 0,0400
запросить цену
 ECAD 18 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж СОТ-663 265 мВт СОТ-663 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗБ984-С13,115-954 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 13 В 10 Ом
BZV85-C27,133 NXP Semiconductors БЗВ85-С27,133 0,0400
запросить цену
 ECAD 101 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С27,133-954 1 1 В при 50 мА 50 нА при 19 В 27 В 40 Ом
PMST2222,115 NXP Semiconductors ПМСТ2222,115 0,0200
запросить цену
 ECAD 540 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 200 мВт СОТ-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПМСТ2222,115-954 1 30 В 600 мА 10нА (ИКБО) НПН 1,6 В при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 10 В 250 МГц
PSMN7R0-100BS,118 NXP Semiconductors ПСМН7Р0-100БС,118 1,0000
запросить цену
 ECAD 9608 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПСМН7Р0-100БС,118-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 100 В 100А (Тс) 10 В 6,8 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 1 мА 125 НК при 10 В ±20 В 6686 пФ при 50 В - 269 ​​Вт (Тс)
BC858B,215 NXP Semiconductors BC858B,215 0,0200
запросить цену
 ECAD 734 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC858B, 215-954 1 30 В 100 мА 15нА (ИКБО) ПНП 650 мВ при 5 мА, 100 мА 220 при 2 мА, 5 В 100 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.