SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Условия испытаний Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Коэффициент шума (дБ, тип@f)
SMMUN2116LT1G NXP Semiconductors SMMUN2116LT1G -
запросить цену
ECAD 2695 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 246 мВт СОТ-23-3 (ТО-236) - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-СММУН2116ЛТ1Г-954 1 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 250 мВ при 1 мА, 10 мА 160 при 5 мА, 10 В 4,7 кОм
BUK7Y20-30B,115 NXP Semiconductors БУК7Y20-30Б,115 1,0000
запросить цену
ECAD 3955 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 МОП-транзистор (оксид металла) ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать 0000.00.0000 1 N-канал 30 В 39,5 А (Тс) 10 В 20 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 1 мА 11,2 НК при 10 В ±20 В 688 пФ при 25 В - 59 Вт (Тс)
1N4737A,133 NXP Semiconductors 1Н4737А,133 -
запросить цену
ECAD 5624 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4737 1 Вт ДО-41 скачать EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В при 200 мА 10 мкА при 5 В 7,5 В 4 Ом
BZT52H-C6V8,115 NXP Semiconductors BZT52H-C6V8,115 0,0200
запросить цену
ECAD 150 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С6В8,115-954 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 4 В 6,8 В 8 Ом
PDTC123YMB,315 NXP Semiconductors PDTC123YMB,315 0,0300
запросить цену
ECAD 99 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный ПДТК123 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PDTC123YMB,315-954 1
PMEG2020EJ/ZL135 NXP Semiconductors PMEG2020EJ/ZL135 -
запросить цену
ECAD 1630 г. 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф Шоттки СОД-323Ф - 2156-PMEG2020EJ/ZL135 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 525 мВ при 2 А 200 мкА при 20 В 150°С 50пФ @ 5В, 1МГц
BUK662R5-30C,118 NXP Semiconductors БУК662Р5-30С,118 0,5200
запросить цену
ECAD 927 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК662Р5-30С,118-954 1 N-канал 30 В 100А (Тс) 10 В 2,8 мОм при 25 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 114 НК при 10 В ±16 В 6960 пФ при 25 В - 204 Вт (Тс)
PUMB19,115 NXP Semiconductors ПУМБ19 115 1,0000
запросить цену
ECAD 7660 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 ПУМБ19 300мВт 6-ЦСОП скачать 0000.00.0000 1 50В 100 мА 1 мкА 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 150 мВ при 500 мкА, 10 мА 100 при 1 мА, 5 В - 22 кОм -
BZX84-A27,215 NXP Semiconductors BZX84-A27,215 -
запросить цену
ECAD 1887 г. 0,00000000 НХП Полупроводники БЗХ84 Масса Активный ±1% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX84-A27,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 18,9 В 27 В 80 Ом
BZX884-B5V1,315 NXP Semiconductors BZX884-B5V1,315 0,0300
запросить цену
ECAD 81 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-B5V1,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
BFU610F,115 NXP Semiconductors БФУ610Ф,115 0,2200
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-343Ф 136 МВт 4-ДФП - 2156-БФУ610Ф,115 1391 17 дБ 5,5 В 10 мА НПН 90 при 1 мА, 2 В 15 ГГц 0,9 дБ ~ 1,7 дБ при 1,5 ГГц ~ 5,8 ГГц
MRF085HR5178 NXP Semiconductors МРФ085HR5178 146,7100
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-MRF085HR5178-954 1
BZV85-C12,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С12,113 0,0400
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С12,113-954 1 1 В при 50 мА 200 нА при 8,4 В 12 В 10 Ом
PSMN015-60PS,127 NXP Semiconductors ПСМН015-60ПС,127 -
запросить цену
ECAD 8129 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Непригодный REACH не касается 2156-ПСМН015-60ПС,127-954 1 N-канал 60 В 50А (Тс) 10 В 14,8 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 1 мА 20,9 НК при 10 В ±20 В 1220 пФ при 30 В - 86 Вт (Тс)
BFU550WX NXP Semiconductors BFU550WX 0,3700
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 450мВт СК-70 скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BFU550WX EAR99 8541.21.0075 1 18 дБ 12 В 50 мА НПН 60 при 15 мА, 8 В 11 ГГц 1,3 дБ при 1,8 ГГц
PQMH11147 NXP Semiconductors PQMH11147 -
запросить цену
ECAD 1700 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный - 2156-PQMH11147 1
BZX585-C24,115 NXP Semiconductors BZX585-C24,115 0,0300
запросить цену
ECAD 251 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-C24,115-954 10 764 1,1 В при 100 мА 50 нА при 16,8 В 24 В 70 Ом
PEMB17,115 NXP Semiconductors ПЕМБ17 115 0,0400
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЭМБ17,115-954 EAR99 8541.21.0095 1
PHD71NQ03LT,118 NXP Semiconductors PHD71NQ03LT,118 -
запросить цену
ECAD 7622 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PHD71NQ03LT, 118-954 1 N-канал 30 В 75А (Тс) 5В, 10В 10 мОм при 25 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 13,2 НК при 5 В ±20 В 1220 пФ при 25 В - 120 Вт (Тс)
BZX79-B10,133 NXP Semiconductors BZX79-B10,133 0,0200
запросить цену
ECAD 105 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС79-Б10,133-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 20 Ом
1N914B NXP Semiconductors 1Н914Б -
запросить цену
ECAD 7402 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой Стандартный ДО-35 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-1Н914Б-954 1 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 100 В 1 В при 200 мА 4 нс 5 мкА при 75 В -65°С ~ 175°С 200 мА 4пФ @ 0В, 1МГц
BC51PASX NXP Semiconductors BC51PASX 0,0600
запросить цену
ECAD 54 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 420 мВт DFN2020D-3 скачать EAR99 8541.29.0075 1 45 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 145 МГц
BC807-40,235 NXP Semiconductors BC807-40,235 -
запросить цену
ECAD 4637 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BC807-40,235-954 1 45 В 500 мА 100нА (ИКБО) ПНП 700 мВ при 50 мА, 500 мА 250 при 100 мА, 1 В 80 МГц
PMXB65ENEZ NXP Semiconductors PMXB65ENEZ 0,0900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-PMXB65ENEZ-954 0000.00.0000 1
STGWT20V60DF NXP Semiconductors СТГВТ20В60ДФ 1,5200
запросить цену
ECAD 600 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 Стандартный 167 Вт ТО-3П-3 - 2156-СТГВТ20В60ДФ 198 400В, 20А, 15В 40 нс Траншейная полевая остановка 600 В 40 А 80 А 2,2 В @ 15 В, 20 А 200 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) 116 НК 38 нс/149 нс
BZX585-C11,115 NXP Semiconductors BZX585-C11,115 -
запросить цену
ECAD 8989 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 300 мВт СОД-523 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX585-C11,115-954 1 1,1 В при 100 мА 100 мкА при 8 В 11 В 10 Ом
NZX7V5D,133 NXP Semiconductors НЗС7В5Д,133 -
запросить цену
ECAD 5910 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой NZX7V5 500 мВт АЛФ2 скачать EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В @ 200 мА 1 мкА при 5 В 7,5 В 15 Ом
BZB984-C3V6,115 NXP Semiconductors BZB984-C3V6,115 0,0400
запросить цену
ECAD 133 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж СОТ-663 265 мВт СОТ-663 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZB984-C3V6,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 85 Ом
BZX79-C3V3,143 NXP Semiconductors BZX79-C3V3,143 0,0200
запросить цену
ECAD 290 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C3V3,143-954 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,3 В 95 Ом
BZX884-C18,315 NXP Semiconductors BZX884-C18,315 -
запросить цену
ECAD 7302 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX884-C18,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 12,6 В 18 В 45 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе