SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Условия испытаний Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Время обратного восстановления (trr) Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Td (вкл/выкл) при 25°C Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6Л14ФЭ(ТЕ85Л,Ф) 0,4300
запросить цену
 ECAD 35 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6Л14 МОП-транзистор (оксид металла) 150 мВт (Та) ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 N и P-канал 20 В 800 мА (Та), 720 мА (Та) 240 мОм при 500 мА, 4,5 В, 300 мОм при 400 мА, 4,5 В 1 В @ 1 мА 2 нк при 4,5 В, 1,76 нк при 4,5 В 90 пФ при 10 В, 110 пФ при 10 В Ворота логического уровня, привод 1,5 В
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103,LXHF(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН2103 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 200 МГц 22 кОм 22 кОм
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21(STA1,E 3.6500
запросить цену
 ECAD 1369 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 GT40RR21 Стандартный 230 Вт ТО-3П(Н) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 25 280В, 40А, 10Ом, 20В 600 нс - 1200 В 40 А 200 А 2,8 В при 15 В, 40 А -, 540 мкДж (выкл.) -
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТК14Н65В,С1Ф 3.3800
запросить цену
 ECAD 8957 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ТК14Н65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 650 В 13,7 А (Та) 10 В 250 мОм при 6,9 А, 10 В 3,5 В при 690 мкА 35 НК при 10 В ±30 В 1300 пФ при 300 В - 130 Вт (Тс)
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2410,ЛФ 0,1900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2410 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H(TE12L,Q -
запросить цену
 ECAD 8993 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВ-Х Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN TPCA8031 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 24А (Та) 4,5 В, 10 В 11 мОм при 12 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 21 НК при 10 В ±20 В 2150 пФ при 10 В - 1,6 Вт (Та), 30 Вт (Тс)
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТК31Н60Х,С1Ф 5.9700
запросить цену
 ECAD 9517 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ-Г Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ТК31Н60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 600 В 30,8А (Та) 10 В 88 мОм при 9,4 А, 10 В 3,5 В @ 1,5 мА 65 НК при 10 В ±30 В 3000 пФ при 300 В - 230 Вт (Тс)
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,РФ(Д -
запросить цену
 ECAD 1977 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 ССМ6Н48 МОП-транзистор (оксид металла) 300мВт США6 скачать 1 (без блокировки) SSM6N48FURF(D EAR99 8541.21.0095 3000 2 N-канала (двойной) 30 В 100 мА (Та) 3,2 Ом при 10 мА, 4 В 1,5 В @ 100 мкА - 15,1 пФ при 3 В Ворота логического уровня, привод 2,5 В
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2СДЖ438,МДКК(М -
запросить цену
 ECAD 6890 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SJ438 ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 5А (Тдж)
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,ЛФ 0,4300
запросить цену
 ECAD 54 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж SOT-23-3 Плоские выводы ССМ3К376 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 4А (Та) 1,8 В, 4,5 В 56 мОм при 2 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 2,2 нк @ 4,5 В +12 В, -8 В 200 пФ при 10 В - 2Вт (Та)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК160Ф10Н1Л,ЛСГК 3.7000
запросить цену
 ECAD 4476 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ТК160Ф10 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СМ(Вт) - 3 (168 часов) EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 В 160А (Та) 6В, 10В 2,4 мОм при 80 А, 10 В 3,5 В @ 1 мА 122 НК при 10 В ±20 В 10100 пФ при 10 В - 375 Вт (Тс)
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТК6А50Д(СТА4,К,М) 1,3700
запросить цену
 ECAD 50 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК6А50 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 500 В 6А (Та) 10 В 1,4 Ом при 3 А, 10 В 4,4 В при 1 мА 11 нк @ 10 В ±30 В 540 пФ при 25 В - 35 Вт (Тс)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК28В65В5,ЛК 5.5700
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ТК28В65 МОП-транзистор (оксид металла) 4-ДФН-ЭП (8х8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 В 27,6А (Та) 10 В 140 мОм при 13,8 А, 10 В 4,5 В @ 1,6 мА 90 НК при 10 В ±30 В 3000 пФ при 300 В - 240 Вт (Тс)
TK125V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК125В65З,ЛК 4.9000
запросить цену
 ECAD 7993 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ТК125В65 МОП-транзистор (оксид металла) 4-ДФН-ЭП (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 В 24А (Та) 10 В 125 мОм при 12 А, 10 В 4 В при 1,02 мА 40 НК при 10 В ±30 В 2250 пФ при 300 В - 190 Вт (Тс)
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТВ140Н120К,С1Ф 11.3700
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 В 20А (Тс) 18В 182 мОм при 10 А, 18 В 5 В при 1 мА 24 НК при 18 В +25В, -10В 691 пФ при 800 В - 107 Вт (Тс)
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2401,ЛФ 0,2200
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2401 200 мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LXHF(CT 0,4400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН2905 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 2,2 кОм 47 кОм
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТК4А55Д(СТА4,К,М) -
запросить цену
 ECAD 6988 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК4А55 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 550 В 4А (Та) 10 В 1,88 Ом при 2 А, 10 В 4,4 В при 1 мА 11 нк @ 10 В ±30 В 490 пФ при 25 В - 35 Вт (Тс)
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375,КЛАРИОНФ(М -
запросить цену
 ECAD 5769 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2СБ1375 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 60 В 3 А 10 мкА (ИКБО) ПНП 1,5 В при 200 мА, 2 А 100 при 500 мА, 5 В 9 МГц
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907,LF(CT 0,2700
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН2907 200мВт США6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 500нА 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 47 кОм
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3К315Т(ТЕ85Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 5970 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИВ Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ССМ3К315 МОП-транзистор (оксид металла) ТСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 В 6А (Та) 4,5 В, 10 В 27,6 мОм при 4 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 10,1 нк при 10 В ±20 В 450 пФ при 15 В - 700 мВт (Та)
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2964ФЭ(ТЕ85Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 1932 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН2964 100мВт ES6 - 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 47 кОм
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2423(ТЕ85Л,Ф) 0,4100
запросить цену
 ECAD 130 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2423 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 800 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 250 мВ при 1 мА, 50 мА 70 при 100 мА, 1 В 200 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК11П65В,РК 1,7300
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК11П65 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 650 В 11,1А (Та) 10 В 440 мОм при 5,5 А, 10 В 3,5 В при 450 мкА 25 НК при 10 В ±30 В 890 пФ при 300 В - 100 Вт (Тс)
TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8223-H,LQ(S -
запросить цену
 ECAD 5007 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТПК8223 МОП-транзистор (оксид металла) 450мВт 8-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 2500 2 N-канала (двойной) 30 В 9А 17 мОм при 4,5 А, 10 В 2,3 В @ 100 мкА 17 НК при 10 В 1190пФ при 10 В Ворота логического уровня
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН4989(ТЕ85Л,Ф) 0,3400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН4989 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 47 кОм 22 кОм
2SA1930(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(LBS2MATQ,М -
запросить цену
 ECAD 6177 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2СА1930 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 180 В 2 А 5 мкА (ИКБО) ПНП 1 В при 100 мА, 1 А 100 на 100 мА, 5 В 200 МГц
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТК8К65В,С1К 1,7200
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-251-3 Заглушки, ИПак ТК8Q65 МОП-транзистор (оксид металла) Ай-Пак скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 75 N-канал 650 В 7,8 А (Та) 10 В 670 мОм при 3,9 А, 10 В 3,5 В @ 300 мкА 16 НК @ 10 В ±30 В 570 пФ при 300 В - 80 Вт (Тс)
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН4910,ЛФ 0,2800
запросить цену
 ECAD 7429 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН4910 200мВт США6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм -
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage РН2406,ЛХХФ 0,3400
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2406 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм 47 кОм
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.