запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Напряжение – проба (В(BR)GSS)	Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
RN2115,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН2115		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА				500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	200 МГц	2,2 кОм	10 кОм
ТК3Р2А10ПЛ,С4С	2,9400	запросить цену	99	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	175°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК3Р2А10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	100 В	100А (Тс)	4,5 В, 10 В	3,2 мОм при 50 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	161 НК при 10 В	±20 В	9500 пФ при 50 В	-	54 Вт (Тс)
RN1903,LXHF(CT	0,3600	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН1903		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА				500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	22 кОм	22 кОм
ТК2П90Е,РК	1.1900	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал	900 В	2А (Та)	10 В	5,9 Ом при 1 А, 10 В	4 В @ 200 мкА	12 НК @ 10 В	±30 В	500 пФ при 25 В	-	80 Вт (Тс)
SSM6J216FE,ЛФ	0,4900	запросить цену	2168	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	SSM6J216	МОП-транзистор (оксид металла)		ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000		P-канал	12 В	4,8 А (Та)	1,5 В, 4,5 В	32 мОм при 3,5 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	12,7 НК при 4,5 В	±8 В	1040 пФ при 12 В	-	700 мВт (Та)
2SJ438,Q(Дж	-	запросить цену	2689	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший		Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SJ438			ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	1				5А (Тдж)
SSM6J206FE(TE85L,F	-	запросить цену	3596	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	SSM6J206	МОП-транзистор (оксид металла)		ES6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000		P-канал	20 В	2А (Та)	1,8 В, 4 В	130 мОм при 1 А, 4 В	1 В @ 1 мА		±8 В	335 пФ при 10 В	-	500 мВт (Та)
TJ40S04M3L,LXHQ	1,0800	запросить цену	9632	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	TJ40S04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		P-канал	40 В	40А (Та)	6В, 10В	9,1 мОм при 20 А, 10 В	3 В @ 1 мА	83 НК при 10 В	+10 В, -20 В	4140 пФ при 10 В	-	68 Вт (Тс)
РН4984(Т5Л,Ф,Т)	0,1400	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	RN4984		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА				100 мкА (ИКБО)	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	47 кОм	47 кОм
2SC4935-Y,Q(Дж	-	запросить цену	8469	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SC4935		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1													50 В	3 А				1 мкА (ИКБО)	НПН	600 мВ при 200 мА, 2 А	70 при 500 мА, 2 В	80 МГц
2SD2257,Q(Дж	-	запросить цену	9453	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SD2257		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	1													100 В	3 А				10 мкА (ИКБО)	НПН	1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А	2000 @ 2А, 2В	-
2SC2229-Y(T6ONK1FM	-	запросить цену	8244	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2229		800 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	2SC2229YT6ONK1FM	EAR99	8541.21.0075	1													150 В	50 мА				100нА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 1 мА, 10 мА	70 при 10 мА, 5 В	120 МГц
ТК090З65З,С1Ф	6.3200	запросить цену	25	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСВИ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-247-4		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-247-4Л(Т)	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	25		N-канал	650 В	30А (Та)	10 В	90 мОм при 15 А, 10 В	4 В при 1,27 мА	47 НК при 10 В	±30 В	2780 пФ при 300 В	-	230 Вт (Тс)
2СК880-БЛ(ТЭ85Л,Ф)	0,5900	запросить цену	14	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2СК880		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000		N-канал								13пФ при 10В					50 В	6 при мА 10 В	1,5 В @ 100 нА
2SC5354,TOJSQ(О	-	запросить цену	2914	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	*	Трубка	Активный				2SC5354				скачать	Соответствует RoHS	Непригодный		EAR99	8541.29.0095	50
ТК160Ф10Н1,ЛСГК	3.8300	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Не для новых дизайнов	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ	ТК160Ф10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СМ(Вт)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.21.0095	1000		N-канал	100 В	160А (Та)	10 В	2,4 мОм при 80 А, 10 В	4 В @ 1 мА	121 НК при 10 В	±20 В	8510 пФ при 10 В	-	375 Вт (Тс)
ТПН3300АНХ,ЛК	0,9000	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПН3300	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,3х3,3)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	100 В	9,4 А (Тс)	10 В	33 мОм при 4,7 А, 10 В	4 В при 100 мкА	11 нк @ 10 В	±20 В	880 пФ при 50 В	-	700 мВт (Та), 27 Вт (Тс)
XPN7R104NC,L1XHQ	1.2500	запросить цену	9396	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	XPN7R104	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс-ВФ (3,1х3,1)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	40 В	20А (Та)	4,5 В, 10 В	7,1 мОм при 10 А, 10 В	2,5 В @ 200 мкА	21 НК при 10 В	±20 В	1290 пФ при 10 В	-	840 мВт (Та), 65 Вт (Тс)
2SC2712-И, ЛСХФ	0,3400	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3			200 мВт	S-Мини	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	150 мА				100нА (ИКБО)	НПН	250 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	80 МГц
ТК12П50В,РК	2.0000	запросить цену	6704	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал	500 В	11,5 А (Та)	10 В	340 мОм при 5,8 А, 10 В	3,7 В при 600 мкА	25 НК при 10 В	±30 В	890 пФ при 300 В	-	100 Вт (Тс)
ТПХ14006НХ,L1Q	1.1400	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ14006	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	60 В	14А (Та)	6,5 В, 10 В	14 мОм при 7 А, 10 В	4 В @ 200 мкА	16 НК @ 10 В	±20 В	1300 пФ при 30 В	-	1,6 Вт (Та), 32 Вт (Тс)
ТК12Э80В,С1С	3,6100	запросить цену	4687	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК12Е80	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	800 В	11,5 А (Та)	10 В	450 мОм при 5,8 А, 10 В	4 В при 570 мкА	23 НК при 10 В	±20 В	1400 пФ при 300 В	-	165 Вт (Тс)
ТК13А55ДА(СТА4,КМ)	2,8600	запросить цену	3819	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК13А55	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	550 В	12,5 А (Та)	10 В	480 мОм при 6,3 А, 10 В	4 В @ 1 мА	38 НК при 10 В	±30 В	1800 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)
ТПН2Р503NC,L1Q	-	запросить цену	1432	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПН2Р503	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	30 В	40А (Та)	4,5 В, 10 В	2,5 мОм при 20 А, 10 В	2,3 В при 500 мкА	40 НК при 10 В	±20 В	2230 пФ при 15 В	-	700 мВт (Та), 35 Вт (Тс)
TPCP8001-H(TE85LFM	-	запросить цену	4459	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-СМД, плоский вывод	TPCP8001	МОП-транзистор (оксид металла)		ПС-8 (2,9х2,4)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	30 В	7,2А (Та)	4,5 В, 10 В	16 мОм при 3,6 А, 10 В	2,3 В при 1 мА	11 нк @ 10 В	±20 В	640 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та), 30 Вт (Тс)
2SD2406-Y(Ф)	-	запросить цену	9090	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SD2406		25 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50													80 В	4 А				30 мкА (ИКБО)	НПН	1,5 В при 300 мА, 3 А	120 при 500 мА, 5 В	8 МГц
ТК12А50В,С5С	2.1100	запросить цену	50	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	500 В	11,5 А (Та)	10 В	300 мОм при 5,8 А, 10 В	3,7 В при 600 мкА	25 НК при 10 В	±30 В	890 пФ при 300 В	-	35 Вт (Тс)
SSM6N7002BFU,ЛФ	-	запросить цену	3756	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	SSM6N7002	МОП-транзистор (оксид металла)	300мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000	2 N-канала (двойной)		60В	200 мА		2,1 Ом при 500 мА, 10 В	3,1 В при 250 мкА	-		17пФ при 25В	Ворота логического уровня
2SA1586-И,ЛФ	0,1800	запросить цену	53	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SA1586		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	150 мА				100нА (ИКБО)	ПНП	300 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	80 МГц
SSM3J331R,ЛФ	0,4500	запросить цену	23	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	SOT-23-3 Плоские выводы	SSM3J331	МОП-транзистор (оксид металла)		СОТ-23Ф	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		P-канал	20 В	4А (Та)	1,5 В, 4,5 В	55 мОм при 3 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	10,4 нк при 4,5 В	±8 В	630 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)