SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Коэффициент шума (дБ, тип@f)
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL(TE85L,Ф -
запросить цену
 ECAD 9331 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2SC3324 150 мВт ТО-236 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 120 В 100 мА 100нА (ИКБО) НПН 300 мВ при 1 мА, 10 мА 350 при 2 мА, 6 В 100 МГц
TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage ТК430А60Ф,С4С(С -
запросить цену
 ECAD 5192 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИКС Масса Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 600 В 13А (Та) 10 В 430 мОм при 6,5 А, 10 В 4 В при 1,75 мА 48 НК при 10 В ±30 В 1940 пФ при 300 В - 45 Вт (Тс)
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН1113ACT(ТПЛ3) 0,3400
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН1113 100 мВт КСТ3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 80 мА 100нА (ИКБО) NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 47 кОм
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage РН1906ФЭ(Т5Л,Ф,Т) -
запросить цену
 ECAD 2896 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН1906 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 47 кОм
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,T2F(Дж -
запросить цену
 ECAD 3546 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие СК-71 2SC3668 1 Вт МСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК31ДЖ60В,С1ВК 9.3800
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 ТК31J60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-3П(Н) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 25 N-канал 600 В 30,8А (Та) 10 В 88 мОм при 15,4 А, 10 В 3,7 В @ 1,5 мА 86 НК при 10 В ±30 В 3000 пФ при 300 В - 230 Вт (Тс)
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК40С10К3З(Т6Л1,НК -
запросить цену
 ECAD 6132 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИВ Лента и катушка (TR) Устаревший 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК40С10 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 100 В 40А (Та) 10 В 18 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 1 мА 61 НК при 10 В ±20 В 3110 пФ при 10 В - 93 Вт (Тс)
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК39ДЖ60В5,С1ВК 12.2700
запросить цену
 ECAD 3287 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 ТК39J60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-3П(Н) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 25 N-канал 600 В 38,8А (Та) 10 В 65 мОм при 19,4 А, 10 В 3,7 В при 1,9 мА 135 НК при 10 В ±30 В 4100 пФ при 300 В - 270 Вт (Тс)
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ5П15ФУ,ЛФ 0,4500
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 ССМ5П15 МОП-транзистор (оксид металла) 200 мВт (Та) УСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 2 P-канала (двойной) 30 В 100 мА (Та) 12 Ом при 10 мА, 4 В 1,7 В @ 100 мкА - 9,1 пФ при 3 В -
2SC2229-O(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-О(ШП,Ф,М) -
запросить цену
 ECAD 6232 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC2229 800 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 150 В 50 мА 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 1 мА, 10 мА 70 при 10 мА, 5 В 120 МГц
S1PA7[UD] Toshiba Semiconductor and Storage S1PA7[УД] -
запросить цену
 ECAD 1361 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный - 1 (без блокировки) 190-С1ПА7[УД] EAR99 8541.29.0095 100
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-О,Ф(Дж -
запросить цену
 ECAD 1486 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SA1020 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51JTE85LF 0,4500
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 ХН4А51 300мВт СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 120 В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП (двойной) 300 мВ при 1 мА, 10 мА 200 при 2 мА, 6 В 100 МГц
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU,ЛФ 0,4900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы SSM6J414 МОП-транзистор (оксид металла) УФ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 20 В 6А (Та) 1,5 В, 4,5 В 22,5 мОм при 6 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 23,1 нк при 4,5 В ±8 В 1650 пФ при 10 В - 1 Вт (Та)
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y(ДЖКТ,К,М) -
запросить цену
 ECAD 5990 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SA1869 10 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 3 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 600 мВ при 200 мА, 2 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0,4400
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 2SC4213 100 мВт СК-70 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 20 В 300 мА 100нА (ИКБО) НПН 100 мВ при 3 мА, 30 А 350 при 4 мА, 2 В 30 МГц
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(Т6МУРАТАФМ -
запросить цену
 ECAD 5065 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC5201 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) 2SC5201T6МУРАТАФМ EAR99 8541.21.0095 1 600 В 50 мА 1 мкА (ИКБО) НПН 1 В @ 500 мА, 20 мА 100 при 20 мА, 5 В -
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,ЛФ 0,3700
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 SSM3J168 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 60 В 400 мА (Та) 4В, 10В 1,9 Ом при 100 мА, 4,5 В 2 В @ 1 мА 3 НК при 10 В +20 В, -16 В 82 пФ при 10 В - 1,2 Вт (Та)
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1502(ТЕ85Л,Ф) 0,4700
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 РН1502 300мВт СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 10 кОм
RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН1104КТ(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 1891 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН1104 50 мВт КСТ3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 В 50 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 10 мА, 5 В 47 кОм 47 кОм
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2964(ТЕ85Л,Ф) 0,4800
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН2964 100мВт США6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 47 кОм
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3К329Р,ЛФ 0,4300
запросить цену
 ECAD 28 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСIII Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж SOT-23-3 Плоские выводы ССМ3К329 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 3,5 А (Та) 1,8 В, 4 В 126 мОм при 1 А, 4 В 1 В @ 1 мА 1,5 НК при 4 В ±12 В 123 пФ при 15 В - 1 Вт (Та)
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН2105АКТ(ТПЛ3) 0,0527
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН2105 100 мВт КСТ3 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 80 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 2,2 кОм 47 кОм
RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FETE85LF 0,3900
запросить цену
 ECAD 5438 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН1901 100мВт ES6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН1105АКТ(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 7215 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН1105 100 мВт КСТ3 - 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 80 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 2,2 кОм 47 кОм
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1,LQ 1,7200
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5x5,75) - 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 В 150А (Тс) 4,5 В, 10 В 0,92 мОм при 50 А, 10 В 2,1 В при 500 мкА 81 НК при 10 В ±20 В 7540 пФ при 15 В - 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ10Н954Л,ЭФФ 1,3600
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 10-СМД, без свинца МОП-транзистор (оксид металла) TCSPAC-153001 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 10 000 N-канал 12 В 13,5 А (Та) 2,5 В, 4,5 В 2,75 мОм при 6 А, 4,5 В 1,4 В @ 1,11 мА 25 НК при 4 В ±8 В - 800 мВт (Та)
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage МТ3С111(ТЕ85Л,Ф) 0,6300
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МТ3С111 700мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 12 дБ 6В 100 мА НПН 200 при 30 мА, 5 В 11,5 ГГц 1,2 дБ @ 1 ГГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.