запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тип полярного транзистора	Прирост	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Коэффициент шума (дБ, тип@f)
МТ3С20П(ТЕ12Л,Ф)	-	запросить цену	2879	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-243АА	МТ3С20		1,8 Вт	PW-МИНИ	-	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	1000		16,5 дБ											12 В	80 мА		НПН		100 при 50 мА, 5 В	7 ГГц			1,45 дБ @ 1 ГГц
2SC2229-Y(МИТ,Ф,М)	-	запросить цену	4110	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2229		800 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1													150 В	50 мА	100нА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 1 мА, 10 мА	70 при 10 мА, 5 В	120 МГц
SSM6J50TU,ЛФ	0,3900	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИВ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-SMD, плоские выводы	SSM6J50	МОП-транзистор (оксид металла)		УФ6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000	P-канал		20 В	2,5 А (Та)	2В, 4,5В	64 мОм при 1,5 А, 4,5 В	1,2 В при 200 мкА		±10 В	800 пФ при 10 В	-	500 мВт (Та)
RN2711JE(TE85L,Ф)	0,4700	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-553	РН2711		100мВт	ЕСВ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	-
ТК20В60В5,ЛВК	3.0900	запросить цену	133	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	4-ВСФН Открытая площадка	ТК20В60	МОП-транзистор (оксид металла)		4-ДФН-ЭП (8х8)	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2500	N-канал		600 В	20А (Та)	10 В	190 мОм при 10 А, 10 В	4,5 В @ 1 мА	55 НК при 10 В	±30 В	1800 пФ при 300 В	-	156 Вт (Тс)
TK5A53D(STA4,Q,M)	1,3700	запросить цену	50	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК5А53	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		525 В	5А (Та)	10 В	1,5 Ом @ 2,5 А, 10 В	4,4 В при 1 мА	11 нк @ 10 В	±30 В	540 пФ при 25 В	-	35 Вт (Тс)
ТПН4Р203NC,L1Q	0,4595	запросить цену	1481	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПН4Р203	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	5000	N-канал		30 В	23А (Та)	4,5 В, 10 В	4,2 мОм при 11,5 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	24 НК при 10 В	±20 В	1370 пФ при 15 В	-	700 мВт (Та), 22 Вт (Тс)
2SA1837(Ф,М)	-	запросить цену	5940	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SA1837		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0075	500													230 В	1 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	1,5 В при 50 мА, 500 мА	100 на 100 мА, 5 В	70 МГц
ТК13А60Д(СТА4,К,М)	-	запросить цену	6841	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК13А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2500	N-канал		600 В	13А (Та)	10 В	430 мОм при 6,5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	40 НК при 10 В	±30 В	2300 пФ при 25 В	-	50 Вт (Тс)
РН1116МФВ,Л3Ф	0,1800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН1116		150 мВт	ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	8000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	10 кОм
РН2963ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	1154	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2963		100мВт	ES6	-		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц	22 кОм	22 кОм
ТК155У65З,РК	3.4000	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	8-PowerSFN		МОП-транзистор (оксид металла)		ПОТЕРИ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.	N-канал		650 В	18А (Та)	10 В	155 мОм при 9 А, 10 В	4 В @ 730 мкА	29 НК при 10 В	±30 В	1635 пФ при 300 В	-	150 Вт (Тс)
2SA1680,T6SCMDF(J	-	запросить цену	3084	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1680		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1													50 В	2 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	500 мВ при 50 мА, 1 А	120 @ 100 мА, 2 В	100 МГц
2СК2266(ТЭ24Р,К)	-	запросить цену	2638	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	2СК2266	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	1000	N-канал		60 В	45А (Та)	4В, 10В	30 мОм при 25 А, 10 В	2 В @ 1 мА	60 НК при 10 В	±20 В	1800 пФ при 10 В	-	65 Вт (Тс)
2SA1020-Y(Ф,М)	-	запросить цену	9152	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1020		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1													50 В	2 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
РН4611(ТЕ85Л,Ф)	0,0865	запросить цену	3988	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74, СОТ-457	РН4611		300мВт	СМ6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	-
2SA2097(ТЕ16Л1,НК)	0,8000	запросить цену	8947	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	2SA2097		1 Вт	PW-МОЛД	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.													50 В	5 А	100нА (ИКБО)	ПНП	270 мВ при 53 мА, 1,6 А	200 при 500 мА, 2 В	-
РН1408,ЛФ	0,1900	запросить цену	3234	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1408		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	22 кОм	47 кОм
РН1406,ЛХХФ	0,0645	запросить цену	7373	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1406		200 мВт	S-Мини	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	47 кОм
ТПХ1Р306П1,Л1К	2,4900	запросить цену	3131	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ1Р306	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	5000	N-канал		60 В	100А (Тс)	4,5 В, 10 В	1,28 мОм при 50 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	91 НК при 10 В	±20 В	8100 пФ при 30 В	-	960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
RN1104,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	4	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1104		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	47 кОм
XPQR3004PB,LXHQ	6.7900	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101, U-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerBSFN	XPQR3004	МОП-транзистор (оксид металла)		Л-ТОГЛ™	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	1500	N-канал		40 В	400А (Та)	6В, 10В	0,3 мОм при 200 А, 10 В	3 В при 1 мА	295 НК при 10 В	±20 В	26910 пФ при 10 В	-	750 Вт (Тс)
SSM3J14TTE85LF	-	запросить цену	8348	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИИ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	SSM3J14	МОП-транзистор (оксид металла)		ТСМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000	P-канал		30 В	2,7 А (Та)	4В, 10В	85 мОм при 1,35 А, 10 В	-		±20 В	413 пФ при 15 В	-	700 мВт (Та)
2SC3324-BL(TE85L,Ф	-	запросить цену	9331	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SC3324		150 мВт	ТО-236	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													120 В	100 мА	100нА (ИКБО)	НПН	300 мВ при 1 мА, 10 мА	350 при 2 мА, 6 В	100 МГц
ТК430А60Ф,С4С(С	-	запросить цену	5192	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИКС	Масса	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать			EAR99	8541.29.0095	1	N-канал		600 В	13А (Та)	10 В	430 мОм при 6,5 А, 10 В	4 В при 1,75 мА	48 НК при 10 В	±30 В	1940 пФ при 300 В	-	45 Вт (Тс)
РН1113ACT(ТПЛ3)	0,3400	запросить цену	9	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН1113		100 мВт	КСТ3	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	10 000													50 В	80 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В		47 кОм
РН1906ФЭ(Т5Л,Ф,Т)	-	запросить цену	2896	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН1906		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	47 кОм
2SC3668-Y,T2F(Дж	-	запросить цену	3546	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	СК-71	2SC3668		1 Вт	МСТМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0075	1													50 В	2 А	1 мкА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
ТК31ДЖ60В,С1ВК	9.3800	запросить цену	15	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-3П-3, СК-65-3	ТК31J60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-3П(Н)	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	25	N-канал		600 В	30,8А (Та)	10 В	88 мОм при 15,4 А, 10 В	3,7 В @ 1,5 мА	86 НК при 10 В	±30 В	3000 пФ при 300 В	-	230 Вт (Тс)
ТК40С10К3З(Т6Л1,НК	-	запросить цену	6132	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИВ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК40С10	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.	N-канал		100 В	40А (Та)	10 В	18 мОм при 20 А, 10 В	4 В @ 1 мА	61 НК при 10 В	±20 В	3110 пФ при 10 В	-	93 Вт (Тс)