запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Напряжение - номинальное	Рабочая температура	Приложения	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Текущий рейтинг (А)	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
ТТС008(В)	0,8400	запросить цену	6705	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Активный		150°С (ТДж)		Сквозное отверстие	ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА	ТТС008		1,1 Вт	PW-MOLD2	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	TTC008Q	EAR99	8541.29.0095	200														285 В	1,5 А	10 мкА (ИКБО)	НПН	1 В @ 62,5 мА, 500 мА	80 при 1 мА, 5 В	-
2SJ438(АИСИН,А,К)	-	запросить цену	3224	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший				Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SJ438			ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	1					5А (Тдж)
2SC2713-GR,ЛФ	0,3000	запросить цену	8061	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		125°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SC2713		150 мВт	ТО-236	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000														120 В	100 мА	100нА (ИКБО)	НПН	300 мВ при 1 мА, 10 мА	200 при 2 мА, 6 В	100 МГц
РН2705,ЛФ	0,3000	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный				Поверхностный монтаж	5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353	РН2705		200мВт	УСВ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000														50В	100 мА	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	2,2 кОм	47 кОм
РН2105КТ(ТПЛ3)	-	запросить цену	2702	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший				Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН2105		50 мВт	КСТ3	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000														20 В	50 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 10 мА, 5 В		2,2 кОм	47 кОм
ССМ6Л35ФУ(ТЕ85Л,Ф)	0,4000	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		-55°С ~ 150°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	ССМ6Л35	МОП-транзистор (оксид металла)	200мВт	США6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000	N и P-канал			20 В	180 мА, 100 мА		3 Ом при 50 мА, 4 В	1 В @ 1 мА	-		9,5 пФ при 3 В	Ворота логического уровня, привод 1,2 В
ТПХ1500CNH1,LQ	1,6600	запросить цену	9158	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С		Поверхностный монтаж	8-PowerTDFN	ТПХ1500	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5x5,75)	скачать		1 (без блокировки)				5000		N-канал		150 В	74А (Та), 38А (Тс)	10 В	15,4 мОм при 19 А, 10 В	4 В @ 1 мА		±20 В	2200 пФ при 75 В	-	2,5 Вт (Та), 170 Вт (Тс)
TK7R0E08QM,S1X	1,4500	запросить цену	172	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	U-MOSX-H	Трубка	Активный		175°С		Сквозное отверстие	ТО-220-3		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		80 В	64А (Тс)	6В, 10В	7 МОм при 32 А, 10 В	3,5 В при 500 мкА	39 НК при 10 В	±20 В	2700 пФ при 40 В	-	87 Вт (Тс)
TPCP8F01(TE85L,F,M	-	запросить цену	3838	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	20 В		Переключатель нагрузки	Поверхностный монтаж	8-СМД, плоский вывод	TPCP8			ПС-8	скачать	Соответствует RoHS		TPCP8F01(TE85LFM	EAR99	8541.21.0095	3000			3А														ПНП, N-канал
ТДТК144Е,ЛМ	0,1800	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный				Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	ТДТК144		320 мВт	СОТ-23-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	77 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм
RN1107,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный				Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1107		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000														50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	10 кОм	47 кОм
ТК3Р9Е10ПЛ,С1Х	2.3700	запросить цену	100	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный		175°С		Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК3Р9Е10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		100 В	100А (Тс)	4,5 В, 10 В	3,9 мОм при 50 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	96 НК при 10 В	±20 В	6320 пФ при 50 В	-	230 Вт (Тс)
ССМ3К121ТУ	-	запросить цену	6715	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Активный		150°С		Поверхностный монтаж	3-SMD, плоские выводы		МОП-транзистор (оксид металла)		УФМ	скачать			264-ССМ3К121ТУ	EAR99	8541.21.0095	1		N-канал		20 В	3,2 А (Та)	1,5 В, 4 В	48 мОм при 2 А, 4 В	1 В @ 1 мА	5,9 НК при 4 В	±10 В	400 пФ при 10 В	-	500 мВт (Та)
ТДЖ40С04М3Л(Т6Л1,НК	1,7200	запросить цену	1939 год	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	TJ40S04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		P-канал		40 В	40А (Та)	6В, 10В	9,1 мОм при 20 А, 10 В	3 В при 1 мА	83 НК при 10 В	+10 В, -20 В	4140 пФ при 10 В	-	68 Вт (Тс)
2SA1680,T6F(Дж	-	запросить цену	4464	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший		150°С (ТДж)		Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1680		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	1														50 В	2 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	500 мВ при 50 мА, 1 А	120 @ 100 мА, 2 В	100 МГц
ТК10А80Э,С4С	2.4200	запросить цену	117	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVIII	Трубка	Активный		150°С (ТДж)		Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК10А80	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	Непригодный		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		800 В	10А (Та)	10 В	1 Ом @ 5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	46 НК при 10 В	±30 В	2000 пФ при 25 В	-	50 Вт (Тс)
РН1423ТЕ85ЛФ	0,4200	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный				Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1423		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	800 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	250 мВ при 1 мА, 50 мА	70 при 100 мА, 1 В	300 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
2SC2235-Y,Ф(Дж	-	запросить цену	8296	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший		150°С (ТДж)		Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2235		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	1														120 В	800 мА	100нА (ИКБО)	НПН	1 В при 50 мА, 500 мА	80 при 100 мА, 5 В	120 МГц
RN1109,LF(CT	0,2000	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный				Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1109		100 мВт	ССМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
ССМ3К15КТ,L3F	-	запросить цену	3038	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	ССМ3К15	МОП-транзистор (оксид металла)		КСТ3	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000		N-канал		30 В	100 мА (Та)	2,5 В, 4 В	4 Ом при 10 мА, 4 В	1,5 В @ 100 мкА		±20 В	7,8 пФ при 3 В	-	100 мВт (Та)
РН1108CT(ТПЛ3)	-	запросить цену	5255	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший				Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН1108		50 мВт	КСТ3	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000														20 В	50 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 10 мА, 5 В		22 кОм	47 кОм
ТК1К0А60Ф,С4С	1.1100	запросить цену	68	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный		150°С		Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК1К0А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		600 В	7,5 А (Та)	10 В	1 Ом @ 3,8 А, 10 В	4 В @ 770 мкА	24 НК при 10 В	±30 В	890 пФ при 300 В	-	40 Вт (Тс)
2SA1244-Y(T6L1,НК)	0,9600	запросить цену	8236	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63			1 Вт	PW-МОЛД	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.														50 В	5 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	400 мВ при 150 мА, 3 А	70 @ 1А, 1В	60 МГц
2SA1971(ТЕ12Л,Ф)	0,6500	запросить цену	900	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	ТО-243АА			500 мВт	PW-МИНИ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	1000														400 В	500 мА	10 мкА (ИКБО)	ПНП	1 В при 10 мА, 100 мА	140 при 100 мА, 5 В	35 МГц
2SA1930(ОНК,К,М)	-	запросить цену	2894	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший		150°С (ТДж)		Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2СА1930		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1														180 В	2 А	5 мкА (ИКБО)	ПНП	1 В при 100 мА, 1 А	100 на 100 мА, 5 В	200 МГц
ТК12П60В,РВК(С	-	запросить цену	2958	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С		Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК12П60	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	ТК12П60ВРВК(С	EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал		600 В	11,5 А (Та)	10 В	340 мОм при 5,8 А, 10 В	3,7 В при 600 мкА	25 НК при 10 В	±30 В	890 пФ при 300 В	-	100 Вт (Тс)
ТПК6111(ТЕ85Л,Ф,М)	-	запросить цену	3219	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВ	Лента и катушка (TR)	Устаревший		150°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6	ТПК6111	МОП-транзистор (оксид металла)		ВС-6 (2,9х2,8)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000		P-канал		20 В	5,5 А (Та)	1,5 В, 4,5 В	40 мОм при 2,8 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	10 НК при 5 В	±8 В	700 пФ при 10 В	-	700 мВт (Та)
ТК55С10Н1,ЛК	2,9700	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С (ТДж)		Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК55С10	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал		100 В	55А (Та)	10 В	6,5 мОм при 27,5 А, 10 В	4 В @ 500 мкА	49 НК при 10 В	±20 В	3280 пФ при 10 В	-	157 Вт (Тс)
ТК5А60В,С4ВС	2.1100	запросить цену	7138	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный		150°С (ТДж)		Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК5А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		600 В	5,4 А (Та)	10 В	900 мОм при 2,7 А, 10 В	3,7 В при 270 мкА	10,5 НК при 10 В	±30 В	380 пФ при 300 В	-	30 Вт (Тс)
RN1104,LF(CT	0,2000	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный				Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1104		100 мВт	ССМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	47 кОм