запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
ТК1К2А60Ф,С4С	1.0400	запросить цену	40	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИКС	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК1К2А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	Непригодный	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	600 В	6А (Та)	10 В	1,2 Ом при 3 А, 10 В	4 В @ 630 мкА	21 НК при 10 В	±30 В	740 пФ при 300 В	-	35 Вт (Тс)
ТВ015Н120К,С1Ф	68.0400	запросить цену	2613	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	175°С	Сквозное отверстие	ТО-247-3		SiCFET (карбид кремния)		ТО-247	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	1200 В	100А (Тс)	18В	20 мОм при 50 А, 18 В	5 В @ 11,7 мА	158 НК при 18 В	+25В, -10В	6000 пФ при 800 В	-	431 Вт (Тс)
RN1909,LF(CT	0,2700	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН1909		200мВт	США6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
ТК20К60В,С1ВК	-	запросить цену	8691	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA	ТК20С60	МОП-транзистор (оксид металла)		И2ПАК	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	600 В	20А (Та)	10 В	155 мОм при 10 А, 10 В	3,7 В @ 1 мА	48 НК при 10 В	±30 В	1680 пФ при 300 В	-	165 Вт (Тс)
РН2966ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	3228	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2966		100мВт	ES6	-		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	4,7 кОм	47 кОм
2SK2962,T6WNLF(J	-	запросить цену	1755 г.	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший		Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2СК2962			ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	1				1А (Тдж)
РН2965(ТЕ85Л,Ф)	0,4800	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН2965		200мВт	США6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	2,2 кОм	47 кОм
RN4903FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН4903		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц, 250 МГц	22 кОм	22 кОм
ТДЖ30С06М3Л(Т6Л1,НК	0,7102	запросить цену	2570	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	TJ30S06	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.		P-канал	60 В	30А (Та)	6В, 10В	21,8 мОм при 15 А, 10 В	3 В при 1 мА	80 НК при 10 В	+10 В, -20 В	3950 пФ при 10 В	-	68 Вт (Тс)
ТК10А60Э,С5С	-	запросить цену	2076	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК10А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	600 В	10А (Та)	10 В	750 мОм при 5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	40 НК при 10 В	±30 В	1300 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)
2SB1495,Q(Дж	-	запросить цену	9035	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SB1495		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	1													100 В	3 А	10 мкА (ИКБО)	ПНП	1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А	2000 @ 2А, 2В	-
ССМ3К16СТ(ТПЛ3)	0,0571	запросить цену	2573	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Не для новых дизайнов	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	ССМ3К16	МОП-транзистор (оксид металла)		КСТ3	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	10 000		N-канал	20 В	100 мА (Та)	1,5 В, 4 В	3 Ом при 10 мА, 4 В	1,1 В при 100 мкА		±10 В	9,3 пФ при 3 В	-	100 мВт (Та)
RN4989FE,LF(CT	0,2400	запросить цену	8519	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН4989		100мВт	ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	4000													50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	47 кОм	22 кОм
SSM6P816R,ЛФ	0,4900	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-SMD, плоские выводы	ССМ6П816	МОП-транзистор (оксид металла)	1,4 Вт (Та)	6-ЦОП-Ф	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	3000	2 P-канала (двойной)		20 В	6А (Та)		30,1 мОм при 4 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	16,6 НК при 4,5 В		1030пФ при 10В	Ворота логического уровня, привод 1,8 В
ТК20А25Д,С5К(М	-	запросить цену	8354	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК20А25	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	250 В	20А (Та)	10 В	100 мОм при 10 А, 10 В	3,5 В @ 1 мА	55 НК при 10 В	±20 В	2550 пФ при 100 В	-	45 Вт (Тс)
ТПХ1500CNH,L1Q	1,9800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ1500	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	150 В	38А (Тц)	10 В	15,4 мОм при 19 А, 10 В	4 В @ 1 мА	22 НК при 10 В	±20 В	2200 пФ при 75 В	-	1,6 Вт (Та), 78 Вт (Тс)
TPC8221-H,LQ(S	-	запросить цену	1370	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)	ТПК8221	МОП-транзистор (оксид металла)	450мВт	8-СОП	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	2500	2 N-канала (двойной)		30 В	6А		25 мОм при 3 А, 10 В	2,3 В @ 100 мкА	12 НК при 10 В		830пФ при 10 В	-
2SA2154CT-Y(ТПЛ3)	-	запросить цену	5156	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	2SA2154		100 мВт	КСТ3	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	10 000													50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	ПНП	300 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	80 МГц
RN4984,LF(CT	0,3500	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	RN4984		200мВт	США6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	47 кОм	47 кОм
ТК35А65В5,С5С	6.3000	запросить цену	7564	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК35А65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	35А (Та)	10 В	95 мОм при 17,5 А, 10 В	4,5 В при 2,1 мА	115 НК при 10 В	±30 В	4100 пФ при 300 В	-	50 Вт (Тс)
SSM3J307T(TE85L,Ф)	-	запросить цену	9193	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	SSM3J307	МОП-транзистор (оксид металла)		ТСМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000		P-канал	20 В	5А (Та)	1,5 В, 4,5 В	31 мОм при 4 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	19 НК @ 4,5 В	±8 В	1170 пФ при 10 В	-	700 мВт (Та)
ТПХ3Р003ПЛ,ЛК	0,9900	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ3Р003	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	30 В	88А (Тц)	4,5 В, 10 В	4,2 мОм при 44 А, 4,5 В	2,1 В при 300 мкА	50 НК при 10 В	±20 В	3825 пФ при 15 В	-	90 Вт (Тс)
РН2425(ТЕ85Л,Ф)	0,4000	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН2425		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	800 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	250 мВ при 1 мА, 50 мА	90 при 100 мА, 1 В	200 МГц		10 кОм
SSM3K15ACTC,L3F	0,3200	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	ССМ3К15	МОП-транзистор (оксид металла)		CST3C	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	10 000		N-канал	30 В	100 мА (Та)	2,5 В, 4 В	3,6 Ом при 10 мА, 4 В	1,5 В @ 100 мкА		±20 В	13,5 пФ при 3 В	-	500 мВт (Та)
HN1C01FE-GR,LXHF	0,3900	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	HN1C01		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	150 мА	100нА (ИКБО)	2 НПН (двойной)	250 мВ при 10 мА, 100 мА	200 при 2 мА, 6 В	80 МГц
РН2961ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	9441	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2961		100мВт	ES6	-		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	200 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
РН2309,ЛФ	0,1800	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН2309		100 мВт	СК-70	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц	47 кОм	22 кОм
SSM3J375F,ЛФ	0,4100	запросить цену	28	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	SSM3J375	МОП-транзистор (оксид металла)		S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000		P-канал	20 В	2А (Та)	1,5 В, 4,5 В	150 мОм при 1 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	4,6 нк при 4,5 В	+6В, -8В	270 пФ при 10 В	-	600 мВт (Та)
ТК20П04М1,РК(С	-	запросить цену	3613	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ-Х	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК20П04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал	40 В	20А (Та)	4,5 В, 10 В	29 мОм при 10 А, 10 В	2,3 В @ 100 мкА	15 нк @ 10 В	±20 В	985 пФ при 10 В	-	27 Вт (Тс)
ТК28В65В,ЛК	5.2600	запросить цену	4	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	4-ВСФН Открытая площадка	ТК28В65	МОП-транзистор (оксид металла)		4-ДФН-ЭП (8х8)	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2500		N-канал	650 В	27,6А (Та)	10 В	120 мОм при 13,8 А, 10 В	3,5 В @ 1,6 мА	75 НК при 10 В	±30 В	3000 пФ при 300 В	-	240 Вт (Тс)