запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Тип входа	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тип полярного транзистора	Условия испытаний	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Время обратного восстановления (trr)	Тип БТИЗ	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-коллекторный импульсный (Icm)	Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	Переключение энергии	Td (вкл/выкл) при 25°C	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
ТК25Е60С5,С1С	4.5900	запросить цену	50	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ-Г	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК25Е60		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		600 В	25А (Та)	10 В	140 мОм при 7,5 А, 10 В	4,5 В при 1,2 мА	60 НК при 10 В	±30 В	2400 пФ при 300 В	-	180 Вт (Тс)
ТПН13008НХ,L1Q	1.0600	запросить цену	656	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПН13008		МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000	N-канал		80 В	18А (Тс)	10 В	13,3 мОм при 9 А, 10 В	4 В @ 200 мкА	18 НК при 10 В	±20 В	1600 пФ при 40 В	-	700 мВт (Та), 42 Вт (Тс)
ТК1К0А60Ф,С4С	1.1100	запросить цену	68	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК1К0А60		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		600 В	7,5 А (Та)	10 В	1 Ом @ 3,8 А, 10 В	4 В @ 770 мкА	24 НК при 10 В	±30 В	890 пФ при 300 В	-	40 Вт (Тс)
2SA1244-Y(T6L1,НК)	0,9600	запросить цену	8236	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63				1 Вт	PW-МОЛД	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.															50 В	5 А					1 мкА (ИКБО)	ПНП	400 мВ при 150 мА, 3 А	70 @ 1А, 1В	60 МГц
2SA1930(ОНК,К,М)	-	запросить цену	2894	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2СА1930			2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1															180 В	2 А					5 мкА (ИКБО)	ПНП	1 В при 100 мА, 1 А	100 на 100 мА, 5 В	200 МГц
2SA1971(ТЕ12Л,Ф)	0,6500	запросить цену	900	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-243АА				500 мВт	PW-МИНИ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	1000															400 В	500 мА					10 мкА (ИКБО)	ПНП	1 В при 10 мА, 100 мА	140 при 100 мА, 5 В	35 МГц
TPCC8003-H(TE12LQM	-	запросить цену	5379	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ-Х	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-ВДФН Открытая площадка	TPCC8003		МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,3х3,3)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000	N-канал		30 В	13А (Та)	4,5 В, 10 В	16,9 мОм при 6,5 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	17 НК при 10 В	±20 В	1300 пФ при 10 В	-	700 мВт (Та), 22 Вт (Тс)
ТТС004Б,К	0,5300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-225АА, ТО-126-3	ТТС004			10 Вт	ТО-126Н	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	250															160 В	1,5 А					100нА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 50 мА, 500 мА	140 при 100 мА, 5 В	100 МГц
2SB1457(Т6СНО,А,Ф)	-	запросить цену	2426	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2СБ1457			900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	1															100 В	2 А					10 мкА (ИКБО)	ПНП	1,5 В при 1 мА, 1 А	2000 @ 1А, 2В	50 МГц
ТК4Р3А06ПЛ,С4С	1,3300	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Трубка	Активный	175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК4Р3А06		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	Непригодный		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		60 В	68А (Тс)	4,5 В, 10 В	7,2 мОм при 15 А, 4,5 В	2,5 В при 500 мкА	48,2 НК при 10 В	±20 В	3280 пФ при 30 В	-	36 Вт (Тс)
XPH4R10ANB,L1XHQ	2.2600	запросить цену	34	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,197 дюйма, 5,00 мм)	XPH4R10		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	-		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000	N-канал		100 В	70А (Та)	6В, 10В	4,1 мОм при 35 А, 10 В	3,5 В @ 1 мА	75 НК при 10 В	±20 В	4970 пФ при 10 В	-	960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
RN4902FE,LF(CT	0,2700	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН4902			100мВт	ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000															50В	100 мА					500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	10 кОм	10 кОм
ТПН2Р703НЛ,Л1К	1,2100	запросить цену	4	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПН2Р703		МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000	N-канал		30 В	45А (Тс)	4,5 В, 10 В	2,7 мОм при 22,5 А, 10 В	2,3 В @ 300 мкА	21 НК при 10 В	±20 В	2100 пФ при 15 В	-	700 мВт (Та), 42 Вт (Тс)
2SD1407A-Y(Ф)	-	запросить цену	9090	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SD1407			30 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50															100 В	5 А					100 мкА (ИКБО)	НПН	2 В при 400 мА, 4 А	120 @ 1А, 5В	12 МГц
2SA1832-ГР,ЛСХФ	0,3900	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный	-	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416				120 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000															50 В	150 мА					100нА (ИКБО)	ПНП	300 мВ при 10 мА, 100 мА	200 при 2 мА, 6 В	80 МГц
ТК19А50В,С5С	2,7800	запросить цену	9378	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет			МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		500 В	18,5 А (Та)	10 В	190 мОм при 7,9 А, 10 В	3,7 В @ 790 мкА	38 НК при 10 В	±30 В	1350 пФ при 300 В	-	40 Вт (Тс)
RN2906FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2906			100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000															50В	100 мА					500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	4,7 кОм	47 кОм
ТК5П60В,РВК	1,8600	запросить цену	10	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК5П60		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.	N-канал		600 В	5,4 А (Та)	10 В	900 мОм при 2,7 А, 10 В	3,7 В при 270 мкА	10,5 НК при 10 В	±30 В	380 пФ при 300 В	-	60 Вт (Тс)
РН2967ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	6068	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2967			100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000															50В	100 мА					100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	47 кОм
ТПХ9Р506ПЛ,ЛК	0,8300	запросить цену	112	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ9Р506		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000	N-канал		60 В	34А (Тс)	4,5 В, 10 В	9,5 мОм при 17 А, 10 В	2,5 В @ 200 мкА	21 НК при 10 В	±20 В	1910 пФ при 30 В	-	830 мВт (Та), 81 Вт (Тс)
ССМ3ДЖ66МФВ,Л3Ф	0,3800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	СОТ-723	SSM3J66		МОП-транзистор (оксид металла)		ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	8000	P-канал		20 В	800 мА (Та)	1,2 В, 4,5 В	390 мОм при 800 мА, 4,5 В	1 В @ 1 мА	1,6 нк при 4,5 В	+6В, -8В	100 пФ при 10 В	-	150 мВт (Та)
RN4911FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН4911			100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000															50В	100 мА					100нА (ИКБО)	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц, 250 МГц	10 кОм	-
2SA1931(НОМАРК,А,Q	-	запросить цену	9650	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2СА1931			2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1															50 В	5 А					1 мкА (ИКБО)	ПНП	400 мВ при 200 мА, 2 А	100 @ 1А, 1В	60 МГц
ТК7Р7П10ПЛ,РК	1,0700	запросить цену	27	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК7Р7П10		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2500	N-канал		100 В	55А (Тс)	4,5 В, 10 В	7,7 мОм при 27,5 А, 10 В	2,5 В при 500 мкА	44 НК при 10 В	±20 В	2800 пФ при 50 В	-	93 Вт (Тс)
RN2417,LXHF	0,3400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН2417			200 мВт	S-Мини	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000															50 В	100 мА					500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	4,7 кОм
РН4904(Т5Л,Ф,Т)	-	запросить цену	1192	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН4904			200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000															50В	100 мА					500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	47 кОм	47 кОм
ГТ60Н321(К)	-	запросить цену	5273	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-3ПЛ	ГТ60Н321	Стандартный		170 Вт	ТО-3П(ЛГ)	-		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	100		-											2,5 мкс	-	1000 В	60 А	120 А	2,8 В @ 15 В, 60 А	-	330 нс/700 нс
TPCA8052-H(T2L1,ВМ	1.1300	запросить цену	19	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ-Х	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	TPCA8052		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать		1 (без блокировки)	264-TPCA8052-H(T2L1VMTR	EAR99	8541.29.0095	5000	N-канал		40 В	20А (Та)	4,5 В, 10 В	11,3 мОм при 10 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	25 НК при 10 В	±20 В	2110 пФ при 10 В	-	1,6 Вт (Та), 30 Вт (Тс)
2SK2866(Ф)	-	запросить цену	3399	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	2SK2866		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220АБ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		600 В	10А (Та)	10 В	750 мОм при 5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	45 НК при 10 В	±30 В	2040 пФ при 10 В	-	125 Вт (Тс)
TK9A60D(STA4,Q,M)	2.0200	запросить цену	49	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК9А60		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		600 В	9А (Та)	10 В	830 мОм при 4,5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	24 НК при 10 В	±30 В	1200 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)