запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
ТК7С10Н1З,LXHQ	0,8900	запросить цену	7428	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК7С10	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал	100 В	7А (Та)	10 В	48 мОм при 3,5 А, 10 В	4 В при 100 мкА	7,1 нк при 10 В	±20 В	470 пФ при 10 В	-	50 Вт (Тс)
ТДТА143Е,ЛМ	0,1800	запросить цену	7152	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	ТДТА143		320 мВт	СОТ-23-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА			500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	30 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм
RN4984FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	RN4984		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА			500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	47 кОм	47 кОм
ТК12А60Д(СТА4,К,М)	3.0200	запросить цену	45	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК12А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	600 В	12А (Та)	10 В	550 мОм при 6 А, 10 В	4 В @ 1 мА	38 НК при 10 В	±30 В	1800 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)
2SK2962(T6CANO,Ф,М	-	запросить цену	2604	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший		Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2СК2962			ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	1				1А (Тдж)
2СК2145-И(ТЭ85Л,Ф)	0,6800	запросить цену	26	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-74А, СОТ-753	2СК2145		300 мВт	СМВ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000		2 N-канала (двойной)								13пФ при 10В					1,2 мА при 10 В	200 мВ при 100 нА
2SC2482(T6TOJS,Ф,М	-	запросить цену	3501	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2482		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	1													300 В	100 мА			1 мкА (ИКБО)	НПН	1 В @ 1 мА, 10 мА	30 при 20 мА, 10 В	50 МГц
SSM3J117TU,ЛФ	0,3700	запросить цену	366	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	3-SMD, плоские выводы	SSM3J117	МОП-транзистор (оксид металла)		УФМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000		P-канал	30 В	2А (Та)	4В, 10В	117 мОм при 1 А, 10 В	2,6 В при 1 мА		±20 В	280 пФ при 15 В	-	500 мВт (Та)
ULN2803APG,CN	-	запросить цену	1735 г.	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Сквозное отверстие	18-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм)	ULN2803		1,47 Вт	18-ДИП	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0075	800													50В	500 мА			-	8 НПН Дарлингтон	1,6 В @ 500 мкА, 350 мА	1000 при 350 мА, 2 В	-
РН1708,ЛФ	0,3000	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353	РН1708		200мВт	УСВ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА			500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	22 кОм	47 кОм
2SC4117-БЛ,ЛФ	0,2300	запросить цену	52	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SC4117		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													120 В	100 мА			100нА (ИКБО)	НПН	300 мВ при 1 мА, 10 мА	200 при 2 мА, 6 В	100 МГц
ССМ6Н62ТУ,ЛФ	0,4200	запросить цену	12	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-SMD, плоские выводы	ССМ6Н62	МОП-транзистор (оксид металла)	500 мВт (Та)	УФ6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000	2 N-канала (двойной)		20 В	800 мА (Та)		85 мОм при 800 мА, 4,5 В	1 В @ 1 мА	2 НК при 4,5 В		177пФ при 10 В	Ворота логического уровня, привод 1,2 В
2SC4793(Ф,М)	-	запросить цену	5677	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SC4793		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0075	500													230 В	1 А			1 мкА (ИКБО)	НПН	1,5 В при 50 мА, 500 мА	100 на 100 мА, 5 В	100 МГц
RN2902FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2902		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА			500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	10 кОм
РН1961(ТЕ85Л,Ф)	0,4600	запросить цену	35	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН1961		200мВт	США6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА			100нА (ИКБО)	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
SSM6N37FE,ЛМ	0,3500	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	ССМ6Н37	МОП-транзистор (оксид металла)	150 мВт	ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000	2 N-канала (двойной)		20 В	250 мА		2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В	1 В @ 1 мА	-		12пФ @ 10В	Ворота логического уровня
2СК2744(Ф)	-	запросить цену	1975 год	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-3П-3, СК-65-3	2СК2744	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-3П(Н)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	50 В	45А (Та)	10 В	20 мОм при 25 А, 10 В	3,5 В @ 1 мА	68 НК при 10 В	±20 В	2300 пФ при 10 В	-	125 Вт (Тс)
РН2110МФВ,Л3Ф	0,2000	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН2110		150 мВт	ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	8000													50 В	100 мА			100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В		4,7 кОм
РН1305,ЛХХФ	0,3900	запросить цену	6080	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН1305		100 мВт	СК-70	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА			500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	2,2 кОм	47 кОм
ТПХ4Р003НЛ,L1Q	1,0700	запросить цену	4	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ4Р003	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	30 В	40А (Тс)	4,5 В, 10 В	4 мОм при 20 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	14,8 НК при 10 В	±20 В	1400 пФ при 15 В	-	1,6 Вт (Та), 36 Вт (Тс)
РН1412ТЕ85ЛФ	0,3000	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1412		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА			100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	250 МГц	22 кОм
TPCA8036-H(TE12L,Q	-	запросить цену	8612	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ-Х	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	TPCA8036	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	30 В	38А (Та)	4,5 В, 10 В	4,2 мОм при 19 А, 10 В	2,3 В при 500 мкА	50 НК при 10 В	±20 В	4600 пФ при 10 В	-	1,6 Вт (Та), 45 Вт (Тс)
ТК55Д10ДЖ1(К)	-	запросить цену	9064	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК55Д10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220(Вт)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	100 В	55А (Та)	4,5 В, 10 В	10,5 мОм при 27 А, 10 В	2,3 В при 1 мА	110 НК при 10 В	±20 В	5700 пФ при 10 В	-	140 Вт (Тс)
ТК39Н60В,С1ВФ	5.5100	запросить цену	7989	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТК39Н60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-247	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	600 В	38,8А (Та)	10 В	65 мОм при 19,4 А, 10 В	3,7 В при 1,9 мА	110 НК при 10 В	±30 В	4100 пФ при 300 В	-	270 Вт (Тс)
TPCF8A01(TE85L)	-	запросить цену	1987 год	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-СМД, плоский вывод	TPCF8A01	МОП-транзистор (оксид металла)		ВС-8 (2,9х1,5)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000		N-канал	20 В	3А (Та)	2В, 4,5В	49 мОм при 1,5 А, 4,5 В	1,2 В при 200 мкА	7,5 НК при 5 В	±12 В	590 пФ при 10 В	Диод Шоттки (изолированный)	330 мВт (Та)
2SA1182-ГР,ЛФ	0,3200	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SA1182		150 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000													30 В	500 мА			100нА (ИКБО)	ПНП	250 мВ при 10 мА, 100 мА	200 при 100 мА, 1 В	200 МГц
2СБ1495,К(М	-	запросить цену	9800	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SB1495		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	1													100 В	3 А			10 мкА (ИКБО)	ПНП	1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А	2000 @ 2А, 2В	-
2SA1020-Y(T6TR,A,F	-	запросить цену	1681 г.	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1020		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1													50 В	2 А			1 мкА (ИКБО)	ПНП	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
HN1C03FU-A(TE85L,F	0,4400	запросить цену	9755	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	HN1C03		200мВт	США6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000													20 В	300 мА			100нА (ИКБО)	2 НПН (двойной)	100 мВ при 3 мА, 30 мА	200 при 4 мА, 2 В	30 МГц
РН2131МФВ,Л3Ф	0,1800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН2131		150 мВт	ВЕСМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	8000													50 В	100 мА			100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В		100 кОм