запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
RN4909,LXHF(CT	0,4400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	RN4909		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц, 250 МГц	47 кОм	22 кОм
2SC5242-О(К)	2,9300	запросить цену	441	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Поднос	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-3П-3, СК-65-3	2SC5242		130 Вт	ТО-3П(Н)	скачать	Соответствует RoHS	Непригодный		EAR99	8541.29.0075	100													230 В	15 А	5 мкА (ИКБО)	НПН	3 В при 800 мА, 8 А	80 @ 1А, 5В	30 МГц
2SA1586-ГР,ЛФ	0,1800	запросить цену	18	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SA1586		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	150 мА	100нА (ИКБО)	ПНП	300 мВ при 10 мА, 100 мА	200 при 2 мА, 6 В	80 МГц
РН1423ТЕ85ЛФ	0,4200	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1423		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	800 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	250 мВ при 1 мА, 50 мА	70 при 100 мА, 1 В	300 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
2SA1020-О,Ф(Дж	-	запросить цену	1486	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1020		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	1													50 В	2 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
РН1104КТ(ТПЛ3)	-	запросить цену	1891 г.	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН1104		50 мВт	КСТ3	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000													20 В	50 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 10 мА, 5 В		47 кОм	47 кОм
РН2904,ЛФ	-	запросить цену	6480	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН2904		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	47 кОм	47 кОм
2SD2695,T6F(М	-	запросить цену	9931	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SD2695		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	1													60 В	2 А	10 мкА (ИКБО)	НПН	1,5 В при 1 мА, 1 А	2000 @ 1А, 2В	100 МГц
2SC4116-И,ЛФ	0,1800	запросить цену	25	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SC4116		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	150 мА	100нА (ИКБО)	НПН	250 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	80 МГц
ССМ3К357Р,ЛФ	0,4000	запросить цену	82	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСВ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	SOT-23-3 Плоские выводы	ССМ3К357	МОП-транзистор (оксид металла)		СОТ-23Ф	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	60 В	650 мА (Та)	3В, 5В	1,8 Ом при 150 мА, 5 В	2 В при 1 мА	1,5 НК при 5 В	±12 В	60 пФ при 12 В	-	1 Вт (Та)
РН2967(ТЕ85Л,Ф)	0,4700	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН2967		200мВт	США6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	47 кОм
HN4A51JTE85LF	0,4500	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-74А, СОТ-753	ХН4А51		300мВт	СМВ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													120 В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП (двойной)	300 мВ при 1 мА, 10 мА	200 при 2 мА, 6 В	100 МГц
2SC4213BTE85LF	0,4400	запросить цену	15	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SC4213		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													20 В	300 мА	100нА (ИКБО)	НПН	100 мВ при 3 мА, 30 А	350 при 4 мА, 2 В	30 МГц
2SC5201(Т6МУРАТАФМ	-	запросить цену	5065	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC5201		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	2SC5201T6МУРАТАФМ	EAR99	8541.21.0095	1													600 В	50 мА	1 мкА (ИКБО)	НПН	1 В при 500 мА, 20 мА	100 при 20 мА, 5 В	-
SSM3J168F,ЛФ	0,3700	запросить цену	4	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	SSM3J168	МОП-транзистор (оксид металла)		СОТ-23-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		P-канал	60 В	400 мА (Та)	4В, 10В	1,9 Ом при 100 мА, 4,5 В	2 В при 1 мА	3 нк @ 10 В	+20 В, -16 В	82 пФ при 10 В	-	1,2 Вт (Та)
РН1502(ТЕ85Л,Ф)	0,4700	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74А, СОТ-753	РН1502		300мВт	СМВ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц	10 кОм	10 кОм
ССМ3К329Р,ЛФ	0,4300	запросить цену	28	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	SOT-23-3 Плоские выводы	ССМ3К329	МОП-транзистор (оксид металла)		СОТ-23Ф	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	30 В	3,5 А (Та)	1,8 В, 4 В	126 мОм при 1 А, 4 В	1 В @ 1 мА	1,5 НК при 4 В	±12 В	123 пФ при 15 В	-	1 Вт (Та)
TPCA8007-H(TE12L,Q	-	запросить цену	8492	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	*	Разрезанная лента (CT)	Устаревший				TPCA8007				скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000
2SC3665-Y,T2F(Дж	-	запросить цену	2388	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	СК-71	2SC3665		1 Вт	МСТМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1													120 В	800 мА	100нА (ИКБО)	НПН	1 В @ 50 мА, 500 мА	80 при 100 мА, 5 В	120 МГц
RN1901FETE85LF	0,3900	запросить цену	5438	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН1901		100мВт	ES6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
РН1105АКТ(ТПЛ3)	-	запросить цену	7215	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН1105		100 мВт	КСТ3	-		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000													50 В	80 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В		2,2 кОм	47 кОм
SSM6N35AFE,ЛФ	0,4000	запросить цену	43	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	ССМ6Н35	МОП-транзистор (оксид металла)	250мВт	ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000	2 N-канала (двойной)		20 В	250 мА (Та)		1,1 Ом при 150 мА, 4,5 В	1 В @ 100 мкА	0,34 нк при 4,5 В		36пФ при 10В	Ворота логического уровня, привод 1,2 В
РН2105АКТ(ТПЛ3)	0,0527	запросить цену	10	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН2105		100 мВт	КСТ3	-	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000													50 В	80 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В		2,2 кОм	47 кОм
TPHR9203PL1,LQ	1,7200	запросить цену	19	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerTDFN		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5x5,75)	-		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	30 В	150А (Тс)	4,5 В, 10 В	0,92 мОм при 50 А, 10 В	2,1 В при 500 мкА	81 НК при 10 В	±20 В	7540 пФ при 15 В	-	960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
ССМ10Н954Л,ЭФФ	1,3600	запросить цену	10	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	10-СМД, без свинца		МОП-транзистор (оксид металла)		TCSPAC-153001	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	10 000		N-канал	12 В	13,5 А (Та)	2,5 В, 4,5 В	2,75 мОм при 6 А, 4,5 В	1,4 В @ 1,11 мА	25 НК при 4 В	±8 В		-	800 мВт (Та)
ТТА006Б,К	0,6200	запросить цену	103	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Поднос	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-225АА, ТО-126-3			1,5 Вт	ТО-126Н	скачать		1 (без блокировки)	264-ТТА006БК	EAR99	8541.29.0095	250													230 В	1 А	200нА (ИКБО)	ПНП	1,5 В при 50 мА, 500 мА	100 на 100 мА, 5 В	70 МГц
РН4608(ТЕ85Л,Ф)	0,4800	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74, СОТ-457	РН4608		300мВт	СМ6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	22 кОм	47 кОм
TPC8065-H,LQ(S	-	запросить цену	6115	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVII-H	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)	ТПК8065	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2500		N-канал	30 В	13А (Та)	4,5 В, 10 В	11,6 мОм при 6,5 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	20 НК при 10 В	±20 В	1350 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)
РН2601(ТЕ85Л,Ф)	0,4500	запросить цену	253	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74, СОТ-457	РН2601		300мВт	СМ6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 при 10 мА, 5 В	200 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
ССМ3К15АФС,ЛФ	0,2800	запросить цену	107	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ3К15	МОП-транзистор (оксид металла)		ССМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000		N-канал	30 В	100 мА (Та)	2,5 В, 4 В	3,6 Ом при 10 мА, 4 В	1,5 В @ 100 мкА		±20 В	13,5 пФ при 3 В	-	100 мВт (Та)